가공 특허 1020040093335

출원번호: 1020040093335
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 1] 내부 소정의 깊이까지 형성된 홀을 구비하는 반도체 기판 상기 홀 내부벽에 형성된 내부절연막 상기 홀 내에 형성되되, 상부가 리세스된 전도성 플러그 상기 전도성 플러그가 리세스된 홀 영역에 형성된 캐핑절연막 상기 반도체 기판 및 캐핑절연막 위에 형성된 층간절연막 상기 층간절연막과 캐핑절연막을 관통하여 상기 전도성 플러그 상부면을 노출시키는 음각패턴 상기 음각패턴 내에 형성되어 상기 전도성 플러그의 상부면과 연결되는 금속배선 상기 반도체 기판의 씨닝된 후면에 형성되되, 상기 씨닝된 후면에 대해 돌출된 상기 전도성 플러그의 하부면을 노출시키는 음각구조를 갖는 후면절연막; 및 상기 후면절연막 밑에 형성되어 상기 전도성 플러그의 하부면과 연결되는 입출력 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 [청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 내부절연막은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘탄화막또는이들조합으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 전도성 플러그는라이너와금속몸체로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 라이너는 ti, tin, tisin, ta, tan, tasin, wn또는이들조합으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 5] 제 3항에 있어서,상기 금속몸체는 w로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 6] 제 1항에 있어서,핑절연막은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘탄화막또는이들조합으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 7] 제 1항에 있어서,상기 음각패턴nan은홀형태인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 8] 제 1항에 있어서,상기 음각패턴은 홀과, 상기 홀 상부와 연통되어 있는 트렌치로 구성되어 있는형태인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 9] 제 1항에 있어서,상기 금속배선은 상기 반도체 기판 상에 형성된트랜지스터연결된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 10] 제 1항에 있어서,상기 후면절연막은 실리콘산화막, 실리콘질화막, 실리콘탄화막또는이들조합으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 11] 제 1항에 있어서,상기 후면절연막은폴리머로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 12] 제 1항에 있어서,상기 입출력 단자에적어도하나이상의전도성플러그하부면연결되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 13] 제 1항에 있어서,상기 전도성 플러그의 하부면과 입출력 단자 사이에후면금속배선더형성된것을특징으로 하는반도체 장치 [청구항 14] 제 1항에 있어서,상기 입출력 단자는 상기 음각구조 내부에 형성된 장벽층과 상기 장벽층 표면에 형성되어 상기 음각구조 내부를 채우는전도성스터드로구성된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기 장벽층은 ta, tan, tasin또는이들조합으로이루어진것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 16] 제 14항에 있어서,상기 전도성 스터드는이루어진것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 17] 제 1항에 있어서,상기 입출력 단자는 상기 음각구조 내부 및 상기 음각구조와 인접한 상기 후면절연막 하부면에 형성된 ubm층과 상기 ubm층 표면에 형성된범프구성된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 18] 제 1항에 있어서,상기 입출력 단자는 상기 음각구조 내부 중 전도성 플러그의 하부면 및 상기 하부면과 인접한 상기 음각구조의 수평 벽면에 형성된 ubm층과 상기 ubm층 표면에 형성된범프구성된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 19] 제 17항 또는 제 18항에 있어서,상기ubm층은 ti, ta, cr, ni, cu, pd, au또는이들조합으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 20] 제 17항 또는 제 18항에 있어서,상기 범프는 au 또는 cu로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 21] 제 17항 또는 제 18항에 있어서,상기 범프는솔더범프로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 22] 제 21항에 있어서,상기 솔더 범프는 pb, sn, sb, cu, ni, ag, bi, in, zn 중 선택된금속들합금으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 23] 제 18항에 있어서,상기 범프는상기음각구조바깥않는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 24] 제 1항에 있어서,상기 입출력 단자는 상기 음각구조 내부 및 상기 음각구조와 인접한 상기 후면절연막 하부면에 형성된 장벽층과 상기 장벽층 표면에 형성된패드구성된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 25] 제 1항에 있어서,상기 입출력 단자는 상기 음각구조 내부에 형성된 장벽층과 상기 장벽층 표면에 형성된패드구성된것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 26] 제 24항 또는 제 25항에 있어서,상기 장벽층은 ti, tin, ta, tan또는이들조합으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 27] 제 24항 또는 제 25항에 있어서,상기 패드는 al 또는 al합금으로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 28] 제 24항 또는 제 25항에 있어서,상기 패드는 ni, ti, cr, cu, au의 조합으로 구성된다층형태로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 29] 제 25항에 있어서,상기 패드는상기음각구조바깥않는것을특징으로 하는반도체 장치.

지시문 (instruction)

주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.

질문 (question)

반도체 장치에서 입출력 단자가 ubm층과 범프의 구성을 가질 때, 해당 ubm층이 형성되는 위치와 범프의 구성 성분은 각각 무엇인가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

입출력 단자가 ubm층과 범프 구성을 가질 때, ubm층의 형성 위치와 범프의 구성 성분을 찾는 것이다.
2정보 추출information_extraction

청구항 17항에서 ubm층의 위치를, 청구항 19항과 20항에서 ubm층과 범프의 성분을 추출한다.
- 상기 음각구조 내부 및 상기 음각구조와 인접한 상기 후면절연막 하부면에 형성된 ubm층과 상기 ubm층 표면에 형성된범프구성된것을특징으로 하는반도체 장치
3근거 선택evidence_selection

ubm층의 위치에 대한 근거와 ubm층 및 범프의 성분에 대한 근거를 선택한다.
- 상기 음각구조 내부 및 상기 음각구조와 인접한 상기 후면절연막 하부면에 형성된 ubm층
4논리 통합logical_integration

청구항 17항을 통해 ubm층의 위치를 파악하고, 청구항 19항과 20항을 통해 각각의 성분을 결합한다.
- 상기 음각구조 내부 및 상기 음각구조와 인접한 상기 후면절연막 하부면에 형성된 ubm층
5결론 도출conclusion_formulation

ubm층은 음각구조 내부 및 인접한 후면절연막 하부면에 형성되며, 성분은 ti, ta, cr, ni, cu, pd, au(또는 조합)이고, 범프는 au 또는 cu이다.
6답변 생성answer_generation

질문에 맞춰 ubm층의 위치와 범프의 성분을 리스트 형식으로 작성한다.

최종 답변 (final_answer)

ubm층의 형성 위치는 상기 음각구조 내부 및 상기 음각구조와 인접한 상기 후면절연막 하부면이며, 범프의 구성 성분은 au 또는 cu이다.

핵심 해석 (core_interpretation)

본 발명은 반도체 장치의 후면 입출력 단자 구조에 있어, 음각구조와 후면절연막 하부에 ubm층을 형성하고 그 위에 범프를 배치함으로써 전기적 연결을 구현하는 기술에 관한 것이다.