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유기전계발광소자 document_id 1020040094756

출원번호
1020040094756
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 개구 영역 및 트랜지스터 영역을 구비하는 기판 상기 기판의 트랜지스터 영역 상부에 형성되며 소오스/드레인 영역들 및 채널 영역을 구비하는 반도체층 상기 반도체층 상부에 형성되는 게이트 절연막 상기 게이트 절연막 상부에 형성되는 게이트 전극 상기 게이트 전극 상부에 형성되는 층간절연막 상기 층간절연막의 콘택홀을 통해 상기 소오스/드레인 영역들과 접하도록 형성되는 소오스/드레인 전극 상기 기판의 개구 영역의 층간절연막 상부에 2개 이상의 홀을 갖으며 실리콘 질화막으로 형성되는 패시베이션막 상기 패시베이션막 상부에 형성되는 평탄화막 상기 평탄화막 상부에 형성되는 제 1 전극 상기 제 1 전극 상부에 형성되며 최소한 유기발광층을 포함하는 유기막층; 및 상기 유기막층 상부에 형성되는 제 2 전극을 포함하며, 상기 패시베이션막의 홀의 크기는 3㎛이상, 개구부의 37%이하인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 홀의 크기를 합한 값은개구부이하인것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 홀의 크기를 합한 값은개구부이하인것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 패시베이션막은 3㎛이상으로 패터닝되어형성되는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 기판 상부에버퍼층더욱포함하는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 버퍼층nan은실리콘 질화막형성되는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연막nan은실리콘 산화막형성되는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 층간절연막nan은실리콘 산화막형성되는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 패시베이션막은 pecvd 또는 lpcvd에 의해형성되는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 평탄화막은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀수지로 이루어진 군에서 선택되는1종형성되는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극이 애노드이고,상기제2전극캐소드인것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극이 캐소드이고,상기제2전극애노드인것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 14] 제 12 항에 있어서,상기 제 1 전극은 ito 또는 izo로 이루어진 투명전극이고, 제 2 전극은 al, mg, ca, pt, ag 및 이들의 합금으로 이루어진반사전극인것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 15] 제 13 항에 있어서,상기 제 1 전극은 al, mg, ca, pt, ag 및 이들의 합금으로 이루어진 투과전극이고, 상기 제 2 전극은 반사막을 포함하는 ito 또는 izo로 이루어진투명전극인것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 반사막은 알루미늄(al), 은(ag) 또는 알루미늄-네오디늄인것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,상기 유기발광층nan은저분자물질또는고분자물질형성되는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 저분자 물질은 알루니 키노륨 복합체(alq3), 안트라센(anthracene), 시클로 펜타디엔(cyclo pentadiene), bebq2, almq, znpbo, balq, dpvbi, bsa-2 및 2psp로 이루어진 군에서 선택되는1종형성되는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 19] 제 17 항에 있어서,상기 고분자 물질은 폴리(p-페닐렌비닐렌)(ppv;poly(p-phenylenevinylene)) 및 그 유도체, 폴리티오펜(pt;polythiophene) 및 그 유도체 및 폴리페닐렌 (ppp;polyphenylene) 및 그 유도체로 이루어진 군에서 선택되는1종형성하는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 20] 제 1 항에 있어서,상기 유기막층은 유기발광층외에 정공 주입층, 정공 수송층,전자 수송층및전자주입층중1이상의층더욱포함하는것을특징으로 하는유기전계발광소자. [청구항 21] 제 1 항에 있어서,상기 평탄화막은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀수지로 이루어진 군에서 선택되는1종형성되는것을특징으로 하는유기전계발광소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
유기전계발광소자에서 패시베이션막의 홀 크기와 개구부 면적 비율에 관한 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    유기전계발광소자에서 패시베이션막의 홀 크기와 개구부 면적 비율에 대한 구체적인 수치 조건을 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 패시베이션막의 홀 크기와 개구부 면적에 관한 기술적 특징을 추출한다.

    • 상기 패시베이션막의 홀의 크기는 3㎛이상, 개구부의 37%이하인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
  3. 3근거 선택evidence_selection

    질문에서 요구하는 홀 크기와 개구부 면적 비율 조건이 명시된 구절을 선택한다.

    • 상기 패시베이션막의 홀의 크기는 3㎛이상, 개구부의 37%이하
  4. 4논리 통합logical_integration

    추출된 정보를 바탕으로 홀의 크기는 3㎛ 이상이어야 하며, 개구부 면적 대비 비율은 37% 이하라는 조건을 결합한다.

    • 상기 패시베이션막의 홀의 크기는 3㎛이상, 개구부의 37%이하
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 직접적인 답변으로 홀 크기 3㎛ 이상, 개구부의 37% 이하라는 조건을 도출한다.

    • 상기 패시베이션막의 홀의 크기는 3㎛이상, 개구부의 37%이하
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 조건을 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

    • 상기 패시베이션막의 홀의 크기는 3㎛이상, 개구부의 37%이하
최종 답변 (final_answer)
패시베이션막의 홀의 크기는 3㎛이상, 개구부의 37%이하이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
유기전계발광소자의 패시베이션막 설계 시, 홀의 크기를 3㎛ 이상으로 유지하면서 개구부 면적 대비 비율을 37% 이하로 제한하는 구조적 조건을 정의하고 있다.