문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 보조 도전층은 게이트 전극과 동일층인것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 알루미늄(al), 몰리브덴(mo), 몰리브덴-텅스텐(mow)중의하나이상포함하는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 유기 반도체 층과 상기 게이트 전극 사이에 개재되는 게이트 절연층은, sio2, sinx, al2o3, ta2o5, bst, pzt, pmma(poly methylmethacrylate), ps(polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드(polyimide)와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene), 및 이들의 하나 이상을 포함하는 화합물 중 하나 이상의 재료를 포함하는하나이상의층구비하는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 유기 반도체 층은, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 아트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리플로렌-올리고티오펜의 공중합체 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 이들의 유도체 중 적어도 어느하나포함하는것을특징으로 하는유기 박막 트랜지스터.
[청구항 7]
제 6항에 있어서,상기 보조 도전층은 게이트 전극과 동일층인것을특징으로 하는평판디스플레이장치.
[청구항 8]
제 6항에 있어서,상기 소스/드레인 전극은 알루미늄(al), 몰리브덴(mo), 몰리브덴-텅스텐(mow)중의하나이상포함하는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치.
[청구항 9]
제 6항에 있어서,상기 유기 반도체 층과 상기 게이트 전극 사이에 개재되는 게이트 절연층은, sio2, sinx, al2o3, ta2o5, bst, pzt, pmma(poly methylmethacrylate), ps(polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드(polyimide)와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene), 및 이들의 하나 이상을 포함하는 화합물 중 하나 이상의 재료를 포함하는하나이상의층구비하는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치.
[청구항 10]
제 6항에 있어서,상기 유기 반도체 층은, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 아트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리플로렌-올리고티오펜의 공중합체 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디이미드 및 이들의 유도체, 나프탈렌 테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 이들의 유도체 중 적어도 어느하나포함하는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치.
[청구항 11]
제 6항에 있어서,상기 화소부는 제 1 전극층, 제 2 전극층 및 이들 전극층 사이에 개재되는유기전계발광부포함하는것을특징으로 하는평판 디스플레이 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
유기 박막 트랜지스터에서 게이트 절연층을 구성할 수 있는 재료의 종류는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation유기 박막 트랜지스터의 게이트 절연층을 구성할 수 있는 재료의 종류를 추출하는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4와 청구항 9에서 게이트 절연층의 재료 목록을 확인한다.
- 상기 유기 반도체 층과 상기 게이트 전극 사이에 개재되는 게이트 절연층은, sio2, sinx, al2o3, ta2o5, bst, pzt, pmma(poly methylmethacrylate), ps(polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드(polyimide)와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene), 및 이들의 하나 이상을 포함하는 화합물 중 하나 이상의 재료를 포함하는
-
3근거 선택
evidence_selection게이트 절연층의 재료로 명시된 구체적인 화합물 및 고분자 명칭들을 선택한다.
- sio2, sinx, al2o3, ta2o5, bst, pzt, pmma(poly methylmethacrylate), ps(polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드(polyimide)와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene)
-
4논리 통합
logical_integration추출된 재료들을 나열 형식으로 정리하여 질문에 대한 답변을 구성한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation청구항에 기재된 재료들을 누락 없이 리스트 형태로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종적으로 재료의 종류를 나열하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
sio2, sinx, al2o3, ta2o5, bst, pzt, pmma(poly methylmethacrylate), ps(polystyrene), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리이미드(polyimide)와 같은 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계 고분자, p-자일리렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 파릴렌(parylene)
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것으로, 다양한 무기물 및 고분자 재료를 활용하여 게이트 절연층을 구성할 수 있음을 명시한다.