다층구조를 갖는 금속-절연체-금속 커패시터 및 그 제조방법 document_id 1020040101183

[청구항 2] 제1 항에 있어서,상기 유전막 및 제2 금속패턴은 상기 제1 및 제2 트렌치의 바닥과 측벽을 따라형성된것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 3] 제2 항에 있어서,상기 유전막 및 상기 제3 금속패턴 사이에 형성된도전막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 4] 제3 항에 있어서,상기제1 및 제2 금속패턴의 일부가커패시터하부전극형성하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 5] 제4 항에 있어서,상기 제1 금속패턴과 제2 금속패턴을 전기적으로 연결하는제1콘택플러그더구비하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 6] 제5 항에 있어서,상기 제1 콘택 플러그는상기제2트렌치의바깥측면의제1층간 절연막관통하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 7] 제2 항에 있어서,상기 유전막 아래에 위치하며, 상기 제1 및 제2 트렌치 내에 상기 제1 및 제2 층간 절연막의 측벽들과 상기 제1 및 제2 금속패턴 상에 형성된상기도전막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 8] 제7 항에 있어서,상기 도전막이커패시터하부전극형성하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 9] 제3항 또는 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전막nan은텅스텐포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기제1 및 제2 금속패턴과 동일한 층에 각각 제1및제2금속배선더형성된것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 11] 제10 항에 있어서,상기 제1 금속배선과 상기 제2 금속배선을 전기적으로 연결하는제2콘택플러그더구비하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 12] 제1 항에 있어서,상기 제3 금속패턴과 동일한 층에제3금속배선더형성된것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 13] 제12 항에 있어서,상기 제2 금속배선과 상기 제3 금속배선을 전기적으로 연결하는제3콘택플러그더구비하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 14] 제13항에 있어서 상기 제3 콘택 플러그는텅스텐포함하는것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 15] 제1 항에 있어서,상기 금속패턴들은 알루미늄배선인것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 21] 제16 항에 있어서,상기 유전막을 형성하기 전에 상기 상기 제1 및 제2 트렌치 내에 상기 제1 및 제2 층간 절연막의 측벽들과 상기 제1 및 제2 금속패턴 상에 도전막을 형성하는 것을더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.