박막 트랜지스터형 이미지 센서 및 그 제조 방법 document_id 1020040108286

[청구항 1] 복수의 단위 화소의 배열을 포함하는 센싱 어레이와 빛을 발산하는 광원을 구비한 박막 트랜지스터형 이미지 센서에 있어서, 상기 단위 화소는, 기판 상의 소정 영역에 형성된 스위칭 소자 상기 스위칭 소자가 형성된 영역 상부의 소정 위치에, 적어도 일부분이 상기 기판과 평행한 평면 상에서 볼 때 상기 스위칭 소자가 차지하는 영역에 중첩되도록 형성된 광감지 소자; 및 상기 스위칭 소자와 상기 광감지 소자가 형성되지 않은 영역에 그 대부분이 형성되며, 상기 광감지 소자 및 상기 스위칭 소자에 접속된 투명 도전 소재의 스토리지 캐패시터를 를 포함하되, 상기 광감지 소자는, x-y 평면에 수직인 방향의 두께를 조절함으로써 입사되는 빛의 투과율을 감소시켜 상기 스위칭 소자의 반도체층에 영향을 미치지 않도록 형성된 반도체층을 포함하며, 상기 스토리지 캐패시터는 투명 도전 소재로 형성된 제1전극 및 x-y 평면 상에서 볼 때 상기 제1전극과 적어도 일부분이 중첩되도록 배치되며, 콘택홀을 통해 상기 제1전극과 전기적으로 접속된 제2전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터형 이미지 센서 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 스위칭 소자는, 상기 기판상의 소정 영역에, 소정의 형상으로 형성된 게이트; 상기 스위칭 소자의 게이트의 상부에, 상기 게이트와 적어도 일부분이 x-y 평면 상에서 중첩되도록 형성되며, 제1절연막에 의하여 상기 게이트와 절연되는 반도체층; 및 상기 반도체층과 적어도 그 일부가 접속되도록 상기 반도체층의 상부에 형성된 소오스 및 드레인포함하는박막 트랜지스터형 이미지 센서. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 광감지 소자는, 제2절연막에 의해 상기 스위칭 소자의 소오스 및 드레인과 절연되도록 그 상부에 형성되며, 상기 스위칭 소자의 반도체층과 x-y 평면상에서 중첩되도록 형성되되, x-y 평면에 수직인 방향의 두께를 조절하여 입사되는 빛의 투과율을 감소시켜 상기 스위칭 소자의 반도체층에 영향을 미치지 않도록 하는 반도체층; 및 상기 광감지 소자의 반도체층과 적어도 그 일부가 접속되도록 상기 반도체층의 상부에 형성된 소오스 및 드레인포함하는박막 트랜지스터형 이미지 센서. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 광감지 소자의 소오스와 상기 스토리지 캐패시터의 제2전극이 일체형성되어 있는박막 트랜지스터형 이미지 센서. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 광원은 상기 단위 화소의 표면 상에 박막으로 형성되며, 피사체의 접촉이 있는 경우 피사체측으로부터 상기 기판을 향하는 방향으로 빛을 공급하며, 상기 스토리지 캐패시터는금속소재형성된것을특징으로 하는박막 트랜지스터형 이미지 센서. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 스토리지 캐패시터의 제1전극nan은상기스위칭소자의드레인과일체형성된것을특징으로 하는박막 트랜지스터형 이미지 센서. [청구항 7] 제5항에 있어서,상기 스토리지 캐패시터의 제2전극nan은상기광감지 소자의소오스와일체형성된것을특징으로 하는박막 트랜지스터형 이미지 센서.