문맥 (context)
[청구항 1]
셀영역과 주변회로영역이 정의된 반도체 기판
상기 셀영역 상부에 형성된 제1비트라인패턴과 상기 주변회로영역 상부에 형성된 제2비트라인패턴
상기 제1비트라인패턴 사이를 관통하면서 금속막으로 형성된 제1스토리지노드콘택
상기 제1스토리지노드콘택과 동일 물질이면서 동일한 평면에 형성되며 상기 제2비트라인패턴에 연결된 제1주변회로콘택
상기 제1스토리지노드콘택 상에 형성되고 금속막으로 이루어진 제2스토리지노드콘택
상기 제2스토리지노드콘택과 동일 물질이면서 동일 평면 상에 형성되며 상기 제1주변회로콘택 상에 형성된 제2주변회로콘택
상기 제2스토리지노드콘택에 연결되는 스토리지노드를 갖고 상기 셀영역 상부에 형성된 캐패시터
상기 제2주변회로콘택 상에 형성된 금속배선콘택; 및
상기 금속배선콘택 에 연결된 금속배선
을 포함하는 반도체메모리장치
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1스토리지노드콘택, 제2스토리지노드콘택, 제1주변회로콘택 및 상기 제2주변회로콘택은,텅스텐또는티타늄질화막인것을특징으로 하는반도체 메모리 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 금속배선콘택은, 텅스텐 또는 티타늄질화막이거나,티타늄질화막과텅스텐적층인것을특징으로 하는반도체 메모리 장치.
[청구항 4]
셀영역과 주변회로영역이 정의된 반도체 기판
상기 반도체 기판 상부의 제1층간절연막;
상기 제1층간절연막 상의 셀영역에 형성된 제1비트라인패턴과 상기 제1층간절연막 상의 주변회로영역에 형성된 제2비트라인패턴
상기 제1비트라인패턴과 제2비트라인패턴 상부를 덮는 제2층간절연막
상기 제2층간절연막과 상기 제1층간절연막을 동시에 관통하여 상기 셀영역에 형성되며 금속막으로 이루어진 제1스토리지노드콘택
상기 제1스토리지노드콘택과 동일 물질 및 동일 평면 상에 형성되며 상기 제 2층간절연막을 관통하여 상기 제2비트라인패턴에 연결된 제1주변회로콘택
상기 제1주변회로콘택을 포함한 전면을 덮는 제3층간절연막
상기 제3층간절연막을 관통하여 상기 제1스토리지노드콘택에 연결되며 금속막으로 이루어진 제2스토리지노드콘택
상기 제2스토리지노드콘택과 동일 물질 및 동일 평면 상에 형성되며 상기 제3층간절연막을 관통하여 상기 제1주변회로콘택에 연결된 제2주변회로콘택
상기 제2주변회로콘택을 포함한 전면을 덮으면서 상기 제2스토리지노드콘택 상부를 개방시키는 스토리지노드홀을 갖는 제4층간절연막
상기 제4층간절연막의 스토리지노드홀 내부에 형성된 스토리지노드
상기 스토리지노드 상부에 적층된 유전막과 플레이트
상기 플레이트를 포함한 전면을 덮는 제5층간절연막
상기 제5층간절연막을 관통하여 상기 제2주변회로콘택에 연결된 금속배선콘택; 및
상기 금속배선콘택 에 연결된 금속배선
을 포함하는 반도체메모리장치
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 제1스토리지노드콘택, 제2스토리지노드콘택, 제1주변회로콘택 및 상기 제2주변회로콘택은,텅스텐또는티타늄질화막인것을특징으로 하는반도체 메모리 장치.
[청구항 6]
제4항에 있어서,상기 금속배선콘택은, 텅스텐 또는 티타늄질화막이거나,티타늄질화막과텅스텐적층인것을특징으로 하는반도체 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 메모리 장치에서 제1스토리지노드콘택, 제2스토리지노드콘택, 제1주변회로콘택 및 제2주변회로콘택을 구성하는 물질은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation반도체 메모리 장치의 구성 요소인 제1스토리지노드콘택, 제2스토리지노드콘택, 제1주변회로콘택, 제2주변회로콘택을 구성하는 물질을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2와 청구항 5에서 해당 구성 요소들의 물질에 대한 명시적인 언급을 확인한다.
- 상기 제1스토리지노드콘택, 제2스토리지노드콘택, 제1주변회로콘택 및 상기 제2주변회로콘택은,텅스텐또는티타늄질화막인것을특징으로 하는반도체 메모리 장치
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 네 가지 구성 요소의 물질이 '텅스텐 또는 티타늄질화막'임을 나타내는 구절을 선택한다.
- 상기 제1스토리지노드콘택, 제2스토리지노드콘택, 제1주변회로콘택 및 상기 제2주변회로콘택은,텅스텐또는티타늄질화막인것을특징으로 하는반도체 메모리 장치
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4논리 통합
logical_integration청구항 1 및 4의 구성 요소들이 청구항 2 및 5에 의해 텅스텐 또는 티타늄질화막으로 정의됨을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation네 가지 콘택의 구성 물질은 텅스텐 또는 티타늄질화막이다.
- 텅스텐또는티타늄질화막
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 텅스텐 또는 티타늄질화막
최종 답변 (final_answer)
텅스텐 또는 티타늄질화막
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 메모리 장치 내의 스토리지 노드 콘택 및 주변 회로 콘택을 구성하는 물질이 텅스텐 또는 티타늄질화막임을 명시하고 있다.