문맥 (context)
[청구항 1]
반도체기판;
상기 반도체기판의 선택된 표면 상에 형성된 게이트전극
상기 게이트전극 일측의 반도체기판 내에 형성된 포토다이오드
상기 게이트전극을 포함한 반도체 기판 상부를 덮는 층간절연막
상기 층간절연막 상의 구리확산배리어막;
상기 층간절연막과 구리확산배리어막의 동시에 관통하는 콘택홀에 플러깅되어 상기 게이트전극과 연결되는 플러그
상기 플러그를 포함한 구리확산배리어막 상부를 덮고 상기 플러그를 노출시키는 트렌치를 갖고 형성된 금속간절연막; 및
상기 트렌치에 매립된 구리배선
을 포함하는 씨모스 이미지 센서
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 구리확산배리어막은,구리확산절연막인것을특징으로 하는씨모스 이미지 센서.
[청구항 3]
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 구리확산배리어막은, 실리콘카바이드,실리콘나이트라이드또는실리콘카본나이트라이드중선택되는것을특징으로 하는씨모스 이미지 센서.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 콘택홀의 바닥 및 측벽에 형성된 제1배리어메탈과, 상기 트렌치의 바닥 및 측벽에 형성된제2배리어메탈더포함하는것을특징으로 하는씨모스 이미지 센서.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 제1배리어메탈과 상기 제2배리어메탈은, rf 방식으로 증착한적층인것을특징으로 하는씨모스 이미지 센서.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 배리어메탈은, tan/ta의적층형성하는것을특징으로 하는씨모스 이미지 센서의 제조 방버.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 씨모스 이미지 센서에서 게이트전극과 연결되는 플러그는 어떤 구조를 통해 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1에서 게이트전극과 연결되는 플러그가 어떤 구조(콘택홀)를 통해 형성되는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 플러그의 형성 위치와 연결 관계에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 층간절연막과 구리확산배리어막의 동시에 관통하는 콘택홀에 플러깅되어 상기 게이트전극과 연결되는 플러그
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3근거 선택
evidence_selection플러그의 형성 구조를 직접적으로 명시한 '콘택홀' 관련 구절을 선택한다.
- 상기 층간절연막과 구리확산배리어막의 동시에 관통하는 콘택홀에 플러깅되어
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4논리 통합
logical_integration플러그는 층간절연막과 구리확산배리어막을 동시에 관통하는 콘택홀 내에 채워짐(플러깅)으로써 게이트전극과 연결됨을 논리적으로 연결한다.
- 상기 층간절연막과 구리확산배리어막의 동시에 관통하는 콘택홀에 플러깅되어 상기 게이트전극과 연결되는 플러그
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5결론 도출
conclusion_formulation플러그는 층간절연막과 구리확산배리어막을 동시에 관통하는 콘택홀을 통해 형성된다는 결론을 도출한다.
- 상기 층간절연막과 구리확산배리어막의 동시에 관통하는 콘택홀에 플러깅되어
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 층간절연막과 구리확산배리어막의 동시에 관통하는 콘택홀에 플러깅되어
최종 답변 (final_answer)
상기 층간절연막과 구리확산배리어막을 동시에 관통하는 콘택홀에 플러깅되어 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 층간절연막과 구리확산배리어막을 동시에 관통하는 콘택홀을 통해 플러그를 형성함으로써 게이트전극과 연결하는 씨모스 이미지 센서 구조에 관한 것이다.