ＧａＮ계 캡 세그먼트 상에 게이트 콘택을 구비한ＡｌＧａＮ/ＧａＮ ＨＥＭＴ 및 그 제조방법 document_id 1020047000318

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기gan계 캡 세그먼트는 상기 드레인 전극과 이격되어 인접한제2측벽가진것을특징으로 하는hemt. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기gan계 캡 세그먼트는 gan캡세그먼트포함하는것을특징으로 하는hemt. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 비-오믹 콘택은 상기 gan 캡 세그먼트의 상기 제1 측벽으로 신장하지만않는것을특징으로 하는hemt. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기gan 캡 세그먼트는 10 내지 60å의두께가진것을특징으로 하는hemt. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기gan 캡 세그먼트는 언도프트포함하는것을특징으로 하는hemt. [청구항 7] 제2항에 있어서,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 2 내지 4㎛거리이격되어있는것을특징으로 하는hemt. [청구항 8] 제3항에 있어서,상기gan 캡 세그먼트의 상기 제1 측벽은상기소스전극미만인것을특징으로 하는hemt. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기gan 캡 세그먼트의 상기 제1 측벽은 상기 소스 전극으로부터 0.3내지인것을특징으로 하는hemt. [청구항 10] 제2항에 있어서,상기gan 캡 세그먼트의 상기 제2 측벽은 상기 게이트 전극으로부터 0.5내지인것을특징으로 하는hemt. [청구항 11] 제3항에 있어서,상기algan 배리어층은 15% 내지 60%의알루미늄포함하는것을특징으로 하는hemt. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기algan 배리어층은 실리콘으로 도핑되어 5×1012cm-2에 이르는 총면농도제공하는것을특징으로 하는hemt. [청구항 13] 제11항에 있어서,상기algan 배리어층은 15 내지 40nm의두께가진것을특징으로 하는hemt. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기algan 배리어층은 25nm의두께가진것을특징으로 하는hemt. [청구항 15] 제3항에 있어서,기판을 더 포함하고, 상기 gan 채널층이상기기판상위치하는것을특징으로 하는hemt. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 기판nan은실리콘 카바이드포함하는것을특징으로 하는hemt. [청구항 17] 제15항에 있어서,상기 기판nan은사파이어포함하는것을특징으로 하는hemt. [청구항 18] 제15항에 있어서,상기 기판은 4h 실리콘 카바이드와 6h실리콘 카바이드중적어도하나포함하는것을특징으로 하는hemt. [청구항 19] 제15항에 있어서,상기gan 채널층과 상기 기판 사이에 배치된 gan버퍼층더포함하는것을특징으로 하는hemt. [청구항 20] 제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 t-형게이트전극포함하는것을특징으로 하는hemt. [청구항 42] 제41항에 있어서,상기 오믹 콘택들의 저항을 감소시키고 상기 게이트 콘택의 차단 전압을 증가시키기 위한 수단은 상기 게이트 콘택과 상기 algan 배리어층 사이의 gan 세그먼트를 포함하고, 상기 gan 세그먼트는 상기 소스 콘택에 인접한 상기 gan 세그먼트의 부분 상에 상기 게이트 콘택을 구비하며, 상기 gan 세그먼트는 상기 게이트 콘택을 지나 상기 드레인콘택신장하여있는것을특징으로 하는hemt. [청구항 43] 제42항에 있어서,상기 게이트 콘택은 상기 gan 세그먼트의 측벽으로 신장하지만 지나치지는 않고,상기소스콘택이격되어있는것을특징으로 하는hemt. [청구항 44] 제42항에 있어서,상기gan 세그먼트는 0.5내지신장하는것을특징으로 하는hemt.