문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 오목부및, 또는 볼록부가, 상기 반도체층의 성장 안정면에 대해서 거의 평행한 면과 교차하는 직선을 구성변(構成邊)으로 하는형상인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 오목부및, 또는 볼록부가, 상기 반도체층의 성장 안정면에 대해서 거의 평행한 면에 정점을 가지며, 또한 상기 반도체층의 성장 안정면에 대해서 거의 평행한 면과 교차하는 직선을 구성변으로 하는다각형인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 반도체층의 성장 안정면을 구성변으로 하는 정다각형을 상정하고, 그 다각형의 중심과 정점을 연결하는 선분에 직교하는 직선을 구성변으로 하는 다각형에 오목부 또는 볼록부를형성한것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 오목부및, 또는 볼록부가 그 형상을 반복한패턴형성되어있는것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 반도체층이 iii-v족계반도체인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 반도체층이 gan계반도체인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 8]
제 2 항에 있어서,상기 기판에 있어서의 반도체층의 성장 안정면이,육방정결정인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 기판이 사파이어기판, sic기판또는스피넬기판인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 기판이 c면(0001)사파이어기판인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 반도체층에 있어서의 성장 안정면이, 상기 기판의 a면｛11－20｝에 평행한면인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 12]
제 3 항에 있어서,상기 오목부및, 또는 볼록부의 다각형이, 삼각형,평행사변형육각형인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 13]
제 3 항에 있어서,상기 오목부및, 또는 볼록부의 다각형이, 정삼각형,마름모꼴정육각형인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 14]
제 1 항에 있어서,상기 오목부의 깊이 또는 볼록부의 단차가 50å이상으로 상기 기판 위에 성장되는반도체층의두께이하치수인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 15]
제 2 항에 있어서,상기 반도체중에 있어서의 발광파장을 λ로 했을 때, 상기 오목부 및, 또는 볼록부의 구성변이 적어도λ/4이상크기인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 16]
제 2 항에 있어서,상기 반도체중에 있어서의 발광파장을 λ, 상기 반도체의 굴절률을 n으로 했을 때, 상기 오목부 및, 또는 볼록부의 구성변이, 적어도 λ/4n이상크기인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 17]
제 2 항에 있어서,상기 오목부및, 또는 볼록부의 구성변이, 100μm이하크기인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 18]
제 2 항에 있어서,상기 오목부및, 또는 볼록부의 구성변이, 20μm이하크기인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 19]
제 1 항에 있어서,상기 반도체층의 표면이 오목한 상태 및, 또는 볼록한모양이루는것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 21]
제 20 항에 있어서,상기 오믹전극이,상기반도체층의최상층의거의전면덮는것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 22]
제 21 항에 있어서,상기 오목부 또는 볼록부 측면의 테이퍼각이, 90°보다 크고, 160°이하인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 24]
제 23 항에 있어서,상기 개구의 내측에, 상기 오목부 또는 볼록부의 단차부가적어도하나이상형성되어있는것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 25]
제 23 항에 있어서,상기 개구의 둘레 길이의 합계를 l, 상기 개구의 내측을 포함한오믹전극의점유면적인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 26]
제 23 항에 있어서,상기 오믹 전극이, ni, pd, co, fe, ti, cu, rh, au, ru, w, zr, mo, ta, pt, ag 및 이러한 산화물, 질화물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함한합금다층막인것을특징으로 하는반도체발광소자.
[청구항 27]
제 23 항에 있어서,상기 오믹 전극이, 로듐(rh), 이리듐(ir), 은(ag), 알루미늄(al)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종을 포함한합금다층막인것을특징으로 하는반도체발광소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 발광 소자의 오목부 또는 볼록부가 다각형인 경우, 해당 다각형의 구성변과 반도체층의 성장 안정면 사이의 기하학적 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation반도체 발광 소자의 오목부 또는 볼록부가 다각형일 때, 그 구성변과 반도체층 성장 안정면 사이의 기하학적 관계를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2와 3에서 다각형의 구성변에 관한 기술적 특징을 추출한다.
- 상기 오목부및, 또는 볼록부가, 상기 반도체층의 성장 안정면에 대해서 거의 평행한 면과 교차하는 직선을 구성변(構成邊)으로 하는형상
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3근거 선택
evidence_selection구성변이 성장 안정면에 거의 평행한 면과 교차하는 직선이라는 구절을 선택한다.
- 상기 오목부및, 또는 볼록부가, 상기 반도체층의 성장 안정면에 대해서 거의 평행한 면과 교차하는 직선을 구성변(構成邊)으로 하는형상
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4논리 통합
logical_integration다각형의 구성변은 반도체층의 성장 안정면에 대해 거의 평행한 면과 교차하는 직선으로 정의됨을 확인한다.
- 상기 오목부및, 또는 볼록부가, 상기 반도체층의 성장 안정면에 대해서 거의 평행한 면과 교차하는 직선을 구성변(構成邊)으로 하는형상
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 구성변이 성장 안정면에 거의 평행한 면과 교차하는 직선임을 도출한다.
- 상기 오목부및, 또는 볼록부가, 상기 반도체층의 성장 안정면에 대해서 거의 평행한 면과 교차하는 직선을 구성변(構成邊)으로 하는형상
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 오목부및, 또는 볼록부가, 상기 반도체층의 성장 안정면에 대해서 거의 평행한 면과 교차하는 직선을 구성변(構成邊)으로 하는형상
최종 답변 (final_answer)
상기 오목부 및 또는 볼록부의 구성변은 상기 반도체층의 성장 안정면에 대해서 거의 평행한 면과 교차하는 직선이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 발광 소자의 요철 형상(오목부 또는 볼록부)을 형성할 때, 그 다각형의 구성변이 반도체층의 성장 안정면과 평행한 면과 교차하도록 설계하여 기하학적 구조를 정의한다.