플라즈마 처리 장치 및 기판 탑재대 document_id 1020047001126

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치는 상기 처리 용기내에 형성된 플라즈마에 의해 상기 탑재대 본체에 설치된 상기 노출 전극을 거쳐서 흐르는 전류로부터 플라즈마의 자기 바이어스 전압을 측정하는 자기 바이어스 전압 측정 회로를 더 구비하고, 상기 자기 바이어스 전압 측정 회로는 플라즈마 임피던스를 갖는 플라즈마부와, 플라즈마부와 직렬로 접속되고 탑재대 본체와 플라즈마부의 사이에 형성된 플라즈마 시스와, 정합기를 갖는 등회로로이루어지는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 처리 용기 외측에 배치되고, 처리 용기내에 유도 전자계를 형성하는 안테나와, 상기 안테나에 고주파 전력을 공급하는플라즈마용고주파전원구비하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 노출 전극은 그 표면이 상기 탑재대 본체의 표면과 동일면 또는 그것보다 쑥 들어간위치설치되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 노출 전극은 ti, sic, w, co, cu, ni, mo 및 ta중1종으로이루어지는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 노출 전극은 상기 기판 탑재대에 탑재된 피처리 기판의 외연부보다외측설치되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 노출 전극은 원주상에 등간격으로복수곳설치되어있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 탑재대 본체에 매설되고, 상기 전극의 하방에 배치된발열체더구비하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 절연체 부재는 aln, al2o3, sic중하나로이루어지는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 탑재대 본체의 상방에, 피처리 기판의 에지를 피복하는 환상의 링을 배치하고, 링에는 노출 전극에 대응하는 부분에 관통 구멍이 형성되며, 전극의 표면은링상면위치하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,노출 전극은 탑재대 본체의 구멍부내에 설치되어 있음과 동시에, 구멍부의 상방에 구멍부보다 넓어지는정상부갖는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 피처리 탑재대는 피처리 기판에 플라즈마 처리를 실시할 때에 플라즈마로부터 상기 탑재대 본체에 설치된 상기 노출 전극을 거쳐서 흐르는 전류로부터 플라즈마의 자기 바이어스 전압을 측정하는 자기 바이어스 전압 측정 회로를 더 구비하고, 상기 자기 바이어스 전압 측정 회로는 플라즈마 임피던스를 갖는 플라즈마부와, 플라즈마부와 직렬로 접속되고 탑재대 본체와 플라즈마부의 사이에 형성된 플라즈마 시스와, 정합기를 갖는 등회로로이루어지는것을특징으로 하는기판 탑재대. [청구항 15] 제 12 항에 있어서,상기 노출 전극은금속으로이루어지는것을특징으로 하는기판 탑재대. [청구항 16] 제 12 항에 있어서,상기 노출 전극은 상기 기판 탑재대에 탑재된 피처리 기판의 외연부보다외측설치되어있는것을특징으로 하는기판 탑재대. [청구항 18] 제 12 항에 있어서,상기 탑재대 본체에 설치되고, 상기 전극 하방에 매설하는발열체더구비하는것을특징으로 하는기판 탑재대. [청구항 22] 제 1 항에 있어서,기판 탑재대의 상방에, 피처리 기판의 에지를 피복하는 환상의 새도우 링을 배치하고, 상기 링 중 노출 전극에 대응하는 부분에 관통 구멍과, 관통 구멍의 하방에 위치하는 카운터싱크부를마련한것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,노출 전극은 탑재대 본체의 구멍부 내에 설치됨과 동시에, 구멍부의 상방에 구멍부보다 넓어지는정상부갖는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 링의 카운터싱크부는 노출 전극의 정상부보다폭있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 25] 제 1 항에 있어서,상기 처리 용기는 상부가 개구된 챔버와, 챔버 상방에 설치되고 절연재료로 이루어지는벨자갖는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 절연재료는석영또는세라믹재료로이루어지는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 27] 제 10 항 또는 제 22 항에 있어서,상기 링은 석영, aln, al2o3, sic 또는 si3n4중하나로이루어지는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 28] 제 2 항에 있어서,상기 플라즈마 시스는 콘덴서와, 계면에 의해 전류의 흐름을 제한하는 다이오드와, 플라즈마 시스에 의해 이온이 받는 저항을 갖고, 기판 탑재대는 탑재대 본체를 플라즈마부 및 전극에 의해 사이에 끼워서 구성되는 콘덴서와, 노출 전극에 의한 저항을 갖고, 상기 정합기는 전극과 고주파 전원 사이에 개재하여 전극을 부유 전위로 하는 블로킹 콘덴서와, 콘덴서의 전극측에 일 단부가 접속되고 전극으로부터의 전류로부터 직류 성분을 취출하는 코일과, 코일의 타 단부에 접속하는 저항 및 콘덴서와, 저항에 접속된전압계갖는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 29] 제 13 항에 있어서,상기 플라즈마 시스는 콘덴서와, 계면에 의해 전류의 흐름을 제한하는 다이오드와, 플라즈마 시스에 의해 이온이 받는 저항을 갖고, 기판 탑재대는 탑재대 본체를 플라즈마부 및 전극 사이에 끼워서 구성되는 콘덴서와, 노출 전극에 의한 저항을 갖고, 상기 정합기는 전극과 고주파 전원 사이에 개재하여 전극을 부유 전위로 하는 블로킹 콘덴서와, 콘덴서의 전극측에 일 단부가 접속되고 전극으로부터의 전류로부터 직류 성분을 취출하는 코일과, 코일의 타 단부에 접속하는 저항 및 콘덴서와, 저항에 접속된전압계갖는것을특징으로 하는기판 탑재대.