문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 기판은 상기 제1 및 제2 측면에 실질적으로 수직인 동시에 서로에 대해 실질적으로 평행한 제3 및 제4 측면을 더 구비하며,상기 소스/드레인 영역들은 상기 상부면의 제1 및 제2 부분의 각각에 형성되어 있으며, 상기 상부면의 상기 제1 및 제2 부분은 상기 기판의 상기 제3 및 제4 측면에 각각 인접하고상기채널 영역에의해분리되어 있는 것인반도체 소자.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 채널 영역은 상기 제1 측면에서 상기 제2 측면연장하는 것인반도체 소자.
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 소스/드레인 영역들은 상기 상부면의 상기 제1 및 제2 부분에서 상기 기판의 상기 제3 및 제4 측면각각 연장하는 것인반도체 소자.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 소스 영역은 상기 기판의 상기 제3 측면 및 상기 상부면의 제1 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제1 부분으로 더 연장하며,상기 드레인 영역은 상기 기판의 상기 제4 측면 및 상기 상부면의 제2 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제2 부분더 연장하는 것인반도체 소자.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 채널 영역과 상기 소스 및 드레인 영역들 사이에서 상기 기판의 상기 상부면과 상기 제1 및 제2 측면 내에 각각 형성되는 소스/드레인 연장부더 포함하는 것인반도체 소자.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 기판을 덮는 중간 유전체층과;상기 중간 유전체층을 통해 상기 소스/드레인 영역으로 연장하는 소스/드레인 콘택더 포함하는 것인반도체 소자.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 기판은 soi(silicon-on-insulator) 기판의일부인 것인반도체 소자.
[청구항 9]
제8항에 있어서,상기 기판은 상기 soi 기판의 절연층 상에 배열된 실리콘 아일랜드인것인반도체 소자.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 게이트 유전체층은재료인 것인반도체 소자.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 채널 영역과 상기 게이트 전극/게이트 연장부 사이의 게이트 유전체층더 포함하는 것인반도체 소자.
[청구항 13]
제12항에 있어서,상기 반도체 기판은 제3 및 제4 측면을 구비하며, 상기 소스/드레인 영역들은 상기 제3 및 제4 측면에 인접하는 상부면의 제1 및 제2 부분 내각각 형성되어 있는 것인반도체 소자.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 소스/드레인 영역들은 상기 상부면의 상기 제1 및 제2 부분에서 상기 기판의 상기 제3 및 제4 측면각각 연장하는 것인반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
소스 영역과 드레인 영역이 각각 기판의 어느 측면 및 상부면의 어느 부분과 인접하여 연장되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation소스 영역과 드레인 영역이 기판의 어느 측면 및 상부면의 어느 부분과 인접하여 연장되는지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 5를 통해 소스 영역과 드레인 영역의 구체적인 인접 및 연장 위치를 추출한다.
- 상기 소스 영역은 상기 기판의 상기 제3 측면 및 상기 상부면의 제1 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제1 부분으로 더 연장하며,상기 드레인 영역은 상기 기판의 상기 제4 측면 및 상기 상부면의 제2 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제2 부분더 연장하는 것
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3근거 선택
evidence_selection소스 영역은 제3 측면, 상부면의 제1 부분, 제1 및 제2 측면의 제1 부분과 관련이 있고, 드레인 영역은 제4 측면, 상부면의 제2 부분, 제1 및 제2 측면의 제2 부분과 관련이 있음을 확인한다.
- 상기 소스 영역은 상기 기판의 상기 제3 측면 및 상기 상부면의 제1 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제1 부분으로 더 연장하며,상기 드레인 영역은 상기 기판의 상기 제4 측면 및 상기 상부면의 제2 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제2 부분더 연장하는 것
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4논리 통합
logical_integration소스 영역은 기판의 제3 측면 및 상부면의 제1 부분에 인접하여 제1 및 제2 측면의 제1 부분으로 연장되며, 드레인 영역은 제4 측면 및 상부면의 제2 부분에 인접하여 제1 및 제2 측면의 제2 부분으로 연장된다.
- 상기 소스 영역은 상기 기판의 상기 제3 측면 및 상기 상부면의 제1 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제1 부분으로 더 연장하며,상기 드레인 영역은 상기 기판의 상기 제4 측면 및 상기 상부면의 제2 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제2 부분더 연장하는 것
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 명시된 소스 및 드레인 영역의 인접 및 연장 위치를 정리하여 답변을 구성한다.
- 상기 소스 영역은 상기 기판의 상기 제3 측면 및 상기 상부면의 제1 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제1 부분으로 더 연장하며,상기 드레인 영역은 상기 기판의 상기 제4 측면 및 상기 상부면의 제2 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제2 부분더 연장하는 것
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 소스 영역은 상기 기판의 상기 제3 측면 및 상기 상부면의 제1 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제1 부분으로 더 연장하며,상기 드레인 영역은 상기 기판의 상기 제4 측면 및 상기 상부면의 제2 부분에 인접하는 상기 제1 및 제2 측면의 제2 부분더 연장하는 것
최종 답변 (final_answer)
소스 영역은 기판의 제3 측면 및 상부면의 제1 부분에 인접하여 제1 및 제2 측면의 제1 부분으로 더 연장되며, 드레인 영역은 기판의 제4 측면 및 상부면의 제2 부분에 인접하여 제1 및 제2 측면의 제2 부분으로 더 연장된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 소스 및 드레인 영역이 기판의 특정 측면(제3, 제4 측면) 및 상부면의 특정 부분(제1, 제2 부분)에 인접하여 제1 및 제2 측면의 특정 부분으로 연장되는 구조를 통해 반도체 소자의 영역을 형성하는 기술에 관한 것이다.