플라즈마에 튜닝되는 샤워헤드 ＲＦ 전극을 갖는 아킹 억제된 ＭＥＲＩＥ 플라즈마 반응기 document_id 1020047006023

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 자계는 상기 자계와 연관된 전자 사이클로트론 주파수가 상기 rf 전력 발생기의 주파수보다 작아지도록 충분히 작은 크기갖는플라즈마 반응기. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기rf 전력 발생기의 상기 주파수주파수인플라즈마 반응기. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 워크피스 지지부와 대향하는 상기 오버헤드 전극의 표면상에 형성되는 절연층더 구비하는플라즈마 반응기. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기rf 전력 발생기와 상기 오버헤드 전극 사이에 용량성 절연층더 구비하는플라즈마 반응기. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 워크피스 지지부로부터 떨어져 대향하는 상기 오버헤드 전극의 표면을 오버레이 및 접촉하는 금속폼 (metal foam) 층더 구비하는플라즈마 반응기. [청구항 8] 제 5 항에 있어서,상기 절연층을 커버하는 실리콘 함유 코팅더 구비하는플라즈마 반응기. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 실리콘 함유 코팅은 실리콘 또는 실리콘 카바이드 중 하나포함하는플라즈마 반응기. [청구항 10] 제 7 항에 있어서,상기 절연층은 상기 가스 주입구내의 아킹 (arcing) 을 억제하기에 충분한 커패시턴스제공하는플라즈마 반응기. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 용량성 절연층은 상기 챔버내의 플라즈마로부터의 d.c. 전류가 상기 오버헤드 전극을 통하여 흐르는 것을 차단하기에 충분한 커패시턴스갖는플라즈마 반응기. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 전극은 상기 워크피스 지지부와 대개 대향하는 복수의 가스 주입구를 가지며,상기 금속폼 층은 상기 가스 주입구 내의 축방향 전계를 억제하기에 충분한 두께가지는플라즈마 반응기. [청구항 13] 제 5 항에 있어서,상기 오버헤드 전극은 알루미늄을 포함하며, 상기 절연층은양극처리함형성되는플라즈마 반응기. [청구항 14] 제 6 항에 있어서,상기 용량성 절연층은 플라즈마 시스 (sheath) 가 생성된 고조파에 대하여 상기 오버헤드 전극을 통하여 접지에 낮은 임피던스 경로를 제공하는 커패시턴스형성하는플라즈마 반응기. [청구항 15] 제 6 항에 있어서,상기 오버헤드 전극의 가스 도입구; 및상기 가스 도입구와 상기 가스 주입 구멍의 하나 이상의 제 1 세트 사이, 상기 오버헤드 전극이내의 가스 배플링 층더 구비하는플라즈마 반응기. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 가스 배플링 층은 금속폼 층구비하는플라즈마 반응기. [청구항 17] 제 13 항에 있어서,상기 오버헤드 전극이내의 열 제어 유체 통로들더 구비하는플라즈마 반응기. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 웨이퍼 지지부와 대개 대향하는 상기 오버헤드 전극내의 광학 윈도우, 및 상기 윈도우에 결합되며 상기 오버헤드 전극을 통하여 연장되는 광 반송 매체더 구비하는플라즈마 반응기. [청구항 19] 제 5 항에 있어서,상기 플라즈마는 리액턴스를 가지며, 상기 전극의 리액턴스는 상기 플라즈마의 리액턴스대응하는플라즈마 반응기. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 전극의 리액턴스는 상기 플라즈마의 리액턴스의 컨주게이트인플라즈마 반응기. [청구항 21] 제 19 항에 있어서,상기 플라즈마의 리액턴스는 음의 커패시턴스를 가지며, 상기 전극의 커패시턴스는상기플라즈마의상기음의커패시턴스의크기동일한크기인플라즈마 반응기. [청구항 22] 제 1 항에 있어서,상기rf 발생기의 주파수와 전극-플라즈마 공진 주파수주파수인플라즈마 반응기. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,상기 플라즈마 리액턴스는 상기 플라즈마 이온 밀도의 함수이며, 상기 플라즈마 이온 밀도는 상기 반응기에 대하여 선택된 플라즈마 프로세스지원하는플라즈마 반응기. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 플라즈마 프로세스는 플라즈마 에칭 프로세스이며, 상기 플라즈마 이온 밀도는 약 109 이온/㎤ 내지 약 1012 이온/㎤ 의 범위내에 있는플라즈마 반응기. [청구항 25] 제 1 항에 있어서,상기 발생기와 상기 오버헤드 전극 사이에 접속된 고정 임피던스 정합 엘리먼트를 더 구비하며, 상기 고정 임피던스 정합 엘리먼트는 정합 엘리먼트 공진 주파수가지는플라즈마 반응기. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,정합 엘리먼트 공진 주파수와 상기 전극-플라즈마 공진 주파수는 서로 오프셋되며, 상기 발생기의 주파수는 상기 전극-플라즈마 공진 주파수와 상기 정합 엘리먼트 공진 주파수사이에 있는플라즈마 반응기. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,상기 발생기의 상기 주파수, 상기 플라즈마 주파수 및 상기 정합 엘리먼트 공진 주파수주파수인플라즈마 반응기. [청구항 28] 제 25 항에 있어서,상기 고정 임피던스 정합 엘리먼트는,상기 rf 전력 발생기로부터 상기 오버헤드 전극으로 전력을 커플링하며 이들 사이에 임피던스 변환을 제공하는, 상기 오버헤드 전극에 인접한 근접단 (near end) 을 갖는 스트립 라인 회로를 구비하며,상기 스트립 라인 회로는,대개 상기 오버헤드 전극 위에 있고 근접단에서 상기 오버헤드 전극에 접속되는 스트립 라인 도전체,상기 오버헤드 전극 위에 있고, 그 길이에 따른 상기 내부 도전체로부터 이격되며 상기 rf 전력 발생기의 rf 귀환 전위에 접속되는 접지면 도전체,상기 스트립 라인 도전체의 길이에 따른 선택 위치에 있는 탭으로서, 상기 스트립 라인 도전체와 상기 rf 전력 발생기의 출력 단자 사이의 접속을 포함하는 탭구비하는플라즈마 반응기. [청구항 29] 제 28 항에 있어서,상기 접지면 도전체는 상기 오버헤드 전극을 오버레이하는 하우징의 천정을 구비하며, 상기 스트립 라인 도전체는 상기 천정 하부에그리고상기하우징내의와인딩경로에따라형성되는플라즈마 반응기. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 스트립 라인 도전체는 공동 (空洞) 이며, 상기 반응기는, 상기 오버헤드 전극내의 상기 가스 주입 구멍에 프로세스 가스를 공급하기 위하여 상기 공동 스트립 라인 도전체를 통하여 연장하는 가스 공급 라인더 구비하는플라즈마 반응기.