단일- 또는 두-기판 처리용 장치 및 방법 document_id 1020047008735

[청구항 55] 동시에 두 기판들까지를 포함하도록 설정된 프로세스 챔버 상기 프로세스 챔버에 유동적으로 결합된 제 1 프로세스 유체의 소오스; 및 상기 프로세스 챔버에 유동적으로 결합된 제 2 프로세스 유체의 소오스를 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들을 처리하는 장치 [청구항 56] 제 55 항에 있어서,상기 프로세스 챔버에 유동적으로 결합된 건조 증기의 소오스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 57] 제 55 항에 있어서,상기 기판이 상기 챔버 내의 유체 내에 위치해 있을 때, 상기 기판 표면에 유체의 경계층을 얇게 하기 위한 수단들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 58] 제 57 항에 있어서,상기 경계층을 얇게 하기 위한 수단들은 챔버와, 상기 벽과 기판을 통과하여 유체를 흐르게 하기 위한 상기 챔버내의 입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 59] 제 57 항에 있어서,상기 경계층을 얇게 하기 위한 수단들은 메가소닉 에너지를 상기 챔버 내의 유체 내로 인도하도록 위치되어 있는 메가소닉 트랜스듀서를 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 60] 제 57 항에 있어서,상기 경계층을 얇게 하기 위한 수단들은 상기 챔버 내에 유체를 상기 챔버 내로 상기 기판의 방향을 가로지르는 방향으로 인도하도록 방향된 입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 61] 제 55 항에 있어서,상기 챔버에 결합된 밀봉된 음의 압력의 컨테이너, 상기 챔버와 상기 컨테이너 사이에 닫힌 밸브를 더 포함하고, 상기 밸브는 상기 챔버로부터 상기 컨테이너 내로 유체의 흡입을 유도하기 위해 개방 위치로 움직일 수 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 62] 제 61 항에 있어서,상기 챔버에 결합된 제 2 밀봉된 음의 압력의 컨테이너, 및 상기 챔버와 상기 컨테이너 사이에 제 2 닫힌 밸브를 포함하고, 상기 제 2 밸브는 상기 챔버로부터 상기 제 2 컨테이너 내로 유체의 흡입을 유도하기 위해 개방 위치로 움직일 수 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 63] 제 55 항에 있어서,메가소닉 에너지를 상기 챔버 내의 유체 내로 인도하기 위해 위치된 적어도 하나 이상의 메가소닉 트랜스듀서를 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 64] 제 63 항에 있어서,상기 메가소닉 트랜스듀서는 상기 챔버 내의 기판 표면을 향하여 전파하는 메가소닉 에너지의 밴드를 형성하기 위해 방향 되고, 상기 장치는 상기 기판을 상기 밴드를 통하여 가장자리를 따라서 움직이게 해서 실질적으로 상기 기판의 전체 표면이 상기 밴드를 통과하도록 하기 위해 상기 챔버의 상단과 하단 사이에서 움직일 수 있는 말단 이펙터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 65] 제 64 항에 있어서,상기 메가소닉 에너지는 상기 밴드를 통해 지나는 상기 기판의 일부 상의 경계층을 얇게하도록 하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 66] 제 64 항에 있어서,상기 챔버의 하단 영역은 유체를 포함하도록 배치되고, 상기 챔버의 상단 영역은 기체를 포함하도록 배치되어 있어, 상기 밴드는 상기 린즈 유체와 기체 사이의 기체-유체 계면에 인접해 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 67] 제 64 항에 있어서,상기 기판은 표면 영역을 갖는 면을 포함하고, 상기 밴드는 상기 기판이 상기 밴드를 통과할 때 상기 면의 표면 영역의 약 30% 또는 그 이하의 최대가 상기 밴드 내에 위치하도록 그렇게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 68] 제 64 항에 있어서,상기 말단 이펙터는 여러 번에 걸쳐 상기 밴드를 통해 상기 기판을 움직일 수 있도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 69] 제 66 항에 있어서,상기 말단 이펙터는 상기 챔버의 상단 영역 내로 상기 기체-유체 계면을 통하여 상기 기판을 이동시키도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 70] 제 66 항에 있어서,상기 말단 이펙터는 상기 기판을 상기 기체-유체 계면을 통하여 여러 번에 걸쳐 통과시키도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 71] 제 69 항에 있어서,상기 챔버는 상기 챔버의 상단 영역에 유동적으로 결합되어 있는 린즈 수의 소오스를 더 포함하고, 상기 소오스는 상기 챔버의 상단 영역 내의 상기 기판의 일부 상으로 린즈 수를 인도하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 72] 제 64 항에 있어서,상기 메가소닉 트랜스듀서는 에너지를 상기 기판 표면에 수직한 방향으로 전파하도록 방향 되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 73] 제 64 항에 있어서,상기 메가소닉 에너지는 에너지를 상기 기판 표면에 수직한 방향보다 작은 각도로 전파하도록 방향 되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 74] 제 55 항에 있어서,상기 제 1 프로세스 유체는 세정 용액이고, 제 2 프로세스 유체는 린즈 유체임을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 75] 제 55 항에 있어서,상기 제 1 프로세스 유체는 식각 용액이고, 제 2 프로세스 유체는 린즈 유체임을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 76] 제 75 항에 있어서,상기 식각 용액은 불산(hydrofluoric acid), 불화암모니움(ammonium fluoride), 및 버퍼 옥사이드(buffered oxide)로 구성되는 군에서 적어도 하나의 식각 용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 77] 제 66 항에 있어서,상기 메가소닉 트랜스듀서는 상기 밴드 내에 마이크로캐비태이션을 유도하도록 더 배치되어 있고, 상기 장치는 상기 챔버에 유동적으로 결합된 기체 소오스 및 상기 챔버 내의 기체 출구를 더 포함하고, 상기 기체 출구는 상기 밴드 내에 마이크로캐비태이션의 비율을 높이기 위해 기체-유체 계면의 세정 유체 내로 기체를 확산시키도록 위치되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 78] 제 64 항에 있어서,상기 밴드 아래의 영역에 상기 챔버 내에 유체 내로 메가소닉 에너지를 인도하도록 위치된 제 2 메가소닉 트랜스듀서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 79] 제 78 항에 있어서,상기 제 2 메가소닉 트랜스듀서는 상기 유체 내에 어쿠스틱 스트리밍을 유도하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 80] 제 56 항에 있어서,건조 증기의 상기 소오스는 건조 증기를 상기 챔버의 상단 영역으로 인도하고, 상기 말단 이펙터는 상기 기판을 상기 챔버의 하단 영역의 유체로부터 상기 챔버의 상단 영역의 건조 증기 내로 후진시키도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 81] 제 80 항에 있어서,상기 말단 이펙터는 상기 기판을 약 8 - 30 mm/sec의 속도로 후시시키도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 82] 제 80 항에 있어서,상기 말단 이펙터는 상기 기판을 약 0.25 - 5 mm/sec의 속도로 후진시키도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 83] 제 56 항에 있어서,상기제 1 또는 제 2 프로세스 유체는 린즈 유체이고, 상기 장치는 상기 기판 표면 상에 잔류 프로세스 유체를 남기면서 상기 챔버로부터 린즈 유체를 배출하기 위해 빠른 덤프를 수행하도록 배치된 드레인을 더 포함하고, 상기 건조 증기가 상기 기판의 표면 상에서 응축하고, 상기 잔류 프로세스 유체의 표면 장력을 감소시켜 상기 잔류 프로세스 유체가 상기 기판을 벗어나 흐르도록 하기 위하여, 상기 건조 증기 소오스는 빠른 덤프가 행해진 후에 건조 증기를 상기 챔버 내로 유입하기 위한 것임을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 84] 제 83 항에 있어서,덤프는 약 5 초 내에 상기 프로세스 유체를 배출하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 85] 제 56 항에 있어서,상기 건조 증기는 이소프로필 알코올 증기임을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 86] 제 56 항에 있어서,상기 기판 표면으로부터 응축된 건조 증기를 증발시키기 위해 유동적으로 상기 챔버에 결합된 가열된 기체의 소스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 87] 제 86 항에 있어서,상기 챔버 내에 상기 가열된 기체를 인도하기 위한 상기 챔버 내의 출구, 및 증발을 가속시키기 위해 상기 기판을 상기 출구를 통과하여 움직이도록 움직일 수 있는 말단 이펙터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 88] 제 56 항에 있어서,상기 제 1 프로세스 유체는 식각 유체이고, 상기 제 2 프로세스 유체는 린즈 유체이고, 상기 장치는 상기 챔버에 유동적으로 결합된 세정 유체 소오스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 89] 제 55 항에 있어서,상기 챔버는 기판의 하단 끝을 수신하도록 설정된 노치를 갖는 기판 수신 부재를 포함하고, 상기 장치는 한 쌍의 기판 수신 부재를 포함하는 말단 이펙터를 포함하고, 각 기판 수신 부재가 적어도 하나의 안정화 요소와 적어도 하나의 맞물림 요소를 포함하고, 말단 이펙터는 기판의 하단 끝이 상기 노치와 접촉해 있고, 각 안정화 요소가 상기 기판의 움직임을 제한하기 위하여 상기 기판의 측면 끝에 위치되어 있는 상기 프로세스 챔버 내의 제 1 위치와, 상기 기판의 하단 끝이 상기 노치와 접촉해 있고 각 맞물림 요소가 상기 기판의 측면 끝을 지지하는 제 2 위치 사이에서 움직일 수 있는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치. [청구항 90] 제 89 항에 있어서,적어도 하나의 안정화 요소는 상기 기판을 포함하는 평면을 가로지르는 방향으로의 상기 기판의 움직임을 제한기 위해 상기 슬롯 내의 기판 끝을 수신하기 위해 방향된 슬롯과, 상기 기판의 측면 방향으로의 움직임을 제한하기 위해 기판 끝을 향해 확장하는 하나의 안정화 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 개별적으로 기판들처리하는장치.