문맥 (context)
[청구항 21]
제 1 또는 제 2 도전성 형태의 기판; 및
상기 기판상에 배치되는 전압 유지 영역
- 상기 전압유지 영역은:
제 1 도전성 형태의 에피택셜층;
상기 에피택셜층내 에 위치되는 적어도 하나의 트랜치
제 2 도전성 형태의 도펀트를 가지며, 상기 트랜치를 형성시키기 위해 사용되는 에천트 기체에 의하여 상기 트랜치의 표면들 내부로 주입되며 상기 에피택셜층 내부로 확산되는 도펀트로부터 형성되는 적어도 하나의 도핑 칼럼
상기 트랜치를 실질적으로 충진하는 충진재료; 및
상기 전압 유지 영역상에 배치되어 그 사이에 접합을 형성하는 상기 제 2 도전성의 적어도 하나의 영역을 포함함 -
을 포함하는, 전력 반도체 소자
[청구항 22]
제 21 항에 있어서,적어도 하나의 영역은:게이트 유전체 및 그 게이트 유전체 상부에 배치되는 게이트 전도체;상기 에피택셜층에 배치되어 그 사이에 표류 영역을 한정하는 제 1 및 제 2 몸체 영역들 - 상기 몸체 영역들은 제 2 도전성 형태를 가짐 - ; 및상기 제 1 및 제 2 몸체 영역들에 각각 위치된 상기 제 1 도전성 형태의 제 1 및 제 2 소스 영역들포함하는,전력 반도체 소자.
[청구항 23]
제 21 항에 있어서,상기 트랜치를 충진하는 상기 재료는 비도핑 폴리실리콘인,전력 반도체 소자.
[청구항 24]
제 21 항에 있어서,상기 트랜치를 충진하는 상기 재료는 유전체재료인,전력 반도체 소자.
[청구항 25]
제 24 항에 있어서,상기 유전체 재료는 실리콘산화물인,전력 반도체 소자.
[청구항 26]
제 24 항에 있어서,상기 유전체 재료는실리콘 질화물인,전력 반도체 소자.
[청구항 27]
제 21 항에 있어서,상기 도펀트는붕소인,전력 반도체 소자.
[청구항 31]
제 22 항에 있어서,상기 몸체 영역들은 깊은 몸체 영역들포함하는,전력 반도체 소자.
[청구항 32]
제 21 항에 있어서,상기 전력 반도체 소자는 수직형 dmos, v-홈(groove) dmos, 트랜치 dmos mosfet, igbt, 및 바이폴라 트랜지스터로 구성되는 그룹선택되는,전력 반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전력 반도체 소자의 전압 유지 영역 내에서 도핑 칼럼을 형성하기 위해 사용되는 에천트 기체의 역할과 그에 따른 도펀트의 거동은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation에천트 기체의 역할과 그에 따른 도펀트의 거동을 파악하는 것이 과제이다.
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2정보 추출
information_extraction에천트 기체는 트랜치를 형성하기 위해 사용되며, 제 2 도전성 형태의 도펀트를 포함한다.
- 상기 트랜치를 형성시키기 위해 사용되는 에천트 기체에 의하여 상기 트랜치의 표면들 내부로 주입되며
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3근거 선택
evidence_selection에천트 기체가 도펀트를 주입하고 확산시킨다는 핵심 구절을 선택한다.
- 제 2 도전성 형태의 도펀트를 가지며, 상기 트랜치를 형성시키기 위해 사용되는 에천트 기체에 의하여 상기 트랜치의 표면들 내부로 주입되며 상기 에피택셜층 내부로 확산되는 도펀트
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4논리 통합
logical_integration에천트 기체는 트랜치를 형성하는 동시에 도펀트를 공급하는 역할을 하며, 이 도펀트는 트랜치 표면 내부로 주입되어 에피택셜층으로 확산된다.
- 상기 트랜치를 형성시키기 위해 사용되는 에천트 기체에 의하여 상기 트랜치의 표면들 내부로 주입되며 상기 에피택셜층 내부로 확산되는 도펀트
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5결론 도출
conclusion_formulation에천트 기체는 트랜치 형성과 도펀트 공급을 동시에 수행하며, 도펀트는 트랜치 표면 내부로 주입되어 에피택셜층 내부로 확산된다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 에천트 기체의 역할과 도펀트의 거동을 정리하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
에천트 기체는 트랜치를 형성하는 역할을 수행함과 동시에 제 2 도전성 형태의 도펀트를 포함하며, 이 도펀트는 에천트 기체에 의해 트랜치의 표면들 내부로 주입되어 에피택셜층 내부로 확산되는 거동을 보인다.
핵심 해석 (core_interpretation)
에천트 기체를 도핑 소스로 활용하여 트랜치 형성 시 도펀트를 트랜치 표면 내부로 주입 및 확산시킴으로써 도핑 칼럼을 형성하는 기술이다.