문맥 (context)
[청구항 1]
각각 캐소드 구조물(structure)의 1차 측면에 배치된 복수의 캐소드-각각은 전계 방출 물질(field emissive material)을 포함하는 기판 및 상기 기판에 평행하게 배치되고 상기 기판으로부터 절연된 게이트 전극을 포함함-을 한정하는 고정되고(stationary) 각각 전기적으로 어드레스가능한(addressable) 복수의 전계 방출 전자 소스(field emissive electron sources)를 구비하는 고정 캐소드 구조물
상기 캐소드 구조물의 1차 측면에 대해 비수직 방향이고 타겟을 한정하는 굴절면(deflection surface)을 구비하는 고정 타켓 구조물
이미지화 구역(imazing zone) 내에 배치된 물체 포지셔너(object positioner); 및
타겟으로부터 x-선을 수용 및 검출하기 위해 구조물 내에 움직이게 배치된 검출기
를 포함하는 x-선 발생 구조물
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 전계 방출 물질이 단일벽 탄소 나노튜브; 이중벽 탄소 나노튜브; 다중벽 탄소 나노튜브; 적어도 하나의 비탄소 원자를 포함하는 나노튜브; 및 금속, 산화금속, 규소, 탄화규소(silicon carbide), 산화규소, 질화규소, 질화붕소, 탄화붕소 및 칼코게나이드(chalcogenide) 중 적어도 하나를 포함하는 나노로드/나노와이어로 이루어진그룹선택되는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 복수의 캐소드각각이 상기 캐소드 구조물 내의 오목한 웰(recessed well)이고 그 내부에 기판이 배치되고, 상기 게이트 전극이 상기 기판 표면을 가로질러 기판으로부터 실질적으로 동일한거리배치되는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 복수의 캐소드이 예정된 간격으로 상기 캐소드 구조물의 1차 표면 상에각각개별적배치되는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 5]
제 4항에 있어서,상기 예정된 간격이 대략 10°내지인것을특징으로 하는구조물.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,물질 또는 복수의 각 타겟물질의에어리어어레이인것을특징으로 하는구조물.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,내벽 및 외벽을 구비하고 이미지화 구역 내의 구조물에 의해 이미지화되는 물체를 배치시키도록 변형된 실질적으로 공동 실린더(hollow cylinder) 형태인 진공 챔버(evacuated chamber)를추가포함하는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 8]
제 7항에 있어서,상기 내벽에 배치되는 복수의 시준 창(collimating window)을추가포함하는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 9]
제 1항에 있어서,물질의 에어리어 어레이또는 타겟물질의라인어레이인것을특징으로 하는구조물.
[청구항 10]
제 1항에 있어서,상기 검출기는 고정되게 배치된전하결합소자인것을특징으로 하는구조물.
[청구항 24]
복수의 캐소드을 한정하는 고정되고(stationary) 각각 전자적으로 어드레스가능한(addressable) 복수의 전자 소스
상기 캐소드에 대향하여 배치되는 적어도 하나의 타겟; 및
상기 복수의 캐소드 및 적어도 하나의 타겟을 하우징하는 진공 챔버
를 포함하는 x-선 발생 구조물
[청구항 25]
제 24항에 있어서,상기 전자 소스이전계 방출전자소스인것을특징으로 하는구조물.
[청구항 26]
제 25항에 있어서,전계 방출 소스이 전계 방출 물질(field emissive material) 및 기판에 평행하게 배치되고 상기 기판으로부터 절연된 게이트 전극을 포함하는 트리오드-형태이고, 상기 게이트 전극 및 전계 방출 물질 간의 전계가 임계치를 초과하는 경우 캐소드로부터 복수의 전자가 전계 방출되고, 상기 전계 방출된 복수의 전자가 게이트 전극을 통과하여 추가로 가속되고 게이트 전극 및 적어도 하나의 타겟 사이에 인가된 전계에 의해 적어도 하나의 타겟에 충돌하고, 상기 입사 지점에 대한 충돌 후 적어도 하나의 타겟 물질에 대응하는 특징적인 파장을 갖는 적어도 하나의 x-선 및 연속적인 파장을 갖는 적어도 하나의 x-선생성되는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 27]
제 25항에 있어서,상기 전계 방출 물질이 단일벽 탄소 나노튜브; 이중벽 탄소 나노튜브; 다중벽 탄소 나노튜브; 적어도 하나의 비탄소 원자를 포함하는 나노튜브; 및 금속, 산화금속, 규소, 탄화규소(silicon carbide), 산화규소, 질화규소, 질화붕소, 탄화붕소 및 칼코게나이드(chalcogenide) 중 적어도 하나를 포함하는 나노로드/나노와이어로 이루어진그룹선택되는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 28]
제 25항에 있어서,상기 전계 방출 물질이 필름으로서 기판 상에 코팅되거나 기판의 매트릭스 내에 파묻히거나 프리-스탠딩(free-standing) 기판 구조물이고, 상기 게이트 전극은 기판 표면을 가로질러 기판으로부터 실질적으로 동일한거리배치되는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 29]
제 24항에 있어서,복수의 캐소드 중 대응하는 하나로부터 복수의 전극이 생성되는 적어도 하나의 x-선 빔의 통과를 허용하도록 배치되는 복수의 x-선 투과 창을 구비한 진공 챔버를 추가로 포함하고, 상기 복수의 캐소드 및 적어도 하나의 타겟은 상기 진공 챔버 내에 배치되고 상기 진공 챔버는 10-3 torr 이하의 압력으로유지되는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 30]
제 24항에 있어서,상기 복수의 캐소드 및 적어도 하나의 타겟이 서로 반대면에 배치되고 상기 타겟이 전자를 방출하는 복수의 캐소드의 표면 쪽으로 배치되는굴절면구비하는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 31]
제 30항에 있어서,상기 굴절면이 복수의 캐소드 표면에 비평행하게배치되는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 32]
제 30항에 있어서,상기 복수의 캐소드각각이 예정된 간격으로대향평면중하나각각배치되는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 33]
제 24항에 있어서,상기 복수의 캐소드가 1차 링 상에 배치되고 상기 적어도 하나의 타겟이 2차 링 상에 배치되고-상기 1차 및 2차 링은 동심임-, 적어도 하나의 타겟이 전자를 방출하는 복수의 캐소드 표면 쪽으로 배치되는굴절면구비하는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 34]
제 33항에 있어서,상기 굴절면이 복수의 캐소드 표면에 비평행하게배치되는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 35]
제 33항에 있어서,상기 복수의 캐소드각각이 예정된 간격으로1차및2차링중하나상각각배치되는것을특징으로 하는구조물.
[청구항 36]
1차 평면의 표면 상에 배치되는 복수의 캐소드를 한정하는 고정되고 각각 전 기적으로 어드레스가능한 복수의 전자 소스을 포함하는 x-선 소스, 2차 평면 상에 배치되는 적어도 하나의 타겟, 상기 1차 평면 표면에 대향하는 2차 평면의 굴절면, 및 상기 복수의 캐소드 및 적어도 하나의 타겟을 하우징하는 진공 챔버를 포함하는 x-선 소스
상기 x-선 소스에 대하여 평행하고 동일한 거리고 대향하여 배치되는 x-선 검출기 또는 x-선 민감성 필름의 어레이 또는 매트릭스; 및
상기 x-선 소스 및 상기 어레이 또는 매트릭스 사이에 배치되는 물체 포지셔너
를 포함하는 x-선 이미지의 기록 장치
[청구항 37]
제 36항에 있어서,상기 굴절면이 전자를 방출하는 복수의 캐소드 표면에 실질적으로 평행하게배치되는것을특징으로 하는장치.
[청구항 38]
제 36항에 있어서,상기 복수의 전자 소스가 상기 복수의 캐소드 표면 상에 예정된간격각각배치되는것을특징으로 하는장치.
[청구항 39]
제 36항에 있어서,상기x-선 소스가 진공 챔버의 벽에 배치되는 복수의 x-선 투과 창 및 복수의 평행 시준기를 추가로 포함하고, 상기 평행 시준기 중 적어도 하나는 상기 복수의 x-선투과창중하나상배치되는것을특징으로 하는장치.
[청구항 40]
제 36항에 있어서,상기 물체 포지셔너가 x-선 소스에 대하여운동가능한것을특징으로 하는장치.
[청구항 41]
제 36항에 있어서,상기 검출기가 고정되어 배치되는전하결합소자인것을특징으로 하는장치.
[청구항 48]
복수의 캐소드를 한정하는 고정된, 개별적 전기적으로 투영할 수 있는 복수의 전자 공급원을 , 제1 링의 표면상에 배치된 복수의 캐소드, 제2 링 상에 배치된 적어도 하나의 타겟, 제1 링의 표면에 대향하는 제2 표면의 편향 표면, 및 복수의 캐소드 및 적어도 하나의 타겟을 내장하는 진공 챔버를 포함하는 x선 공급원
x선 공급원에 대향하는 표면 상에 x선 검출기 또는 x선 감광 필름의 어레이 또는 매트릭스-상기 어레이 또는 매트릭스는 실질적으로 동심원(concentric)이며, x선 공급원과 같은 거리임-; 및
x선 공급원 및 어레이 또는 매트릭스 사이에 배치된 대상물 포지셔너 (positioner)를 포함하는 것을 특징으로 하는 x선 이미지 기록 장치
[청구항 49]
제48항에 있어서,상기제1및제2링동심원인것을특징으로 하는x선 이미지 기록 장치.
[청구항 50]
제48항에 있어서,상기 복수의 전자 공급원 각각은 개별적으로 상기 링 상에 미리 설정된간격배치되는것을특징으로 하는x선 이미지 기록 장치.
[청구항 51]
제 48항에 있어서,선 소스가 진공실(evacuated chamber) 벽에 위치한 복수의 x선 투명 창, 및 복수의 평행 시준기(collimator)를 추가로 포함하며, 상기 적어도 하나의 평행 시준기가 복수의 x선 투명창중 각하나의표면위치하는것을특징으로 하는장치.
[청구항 52]
제 48항에 있어서,상기 대상물 위치장치가 x선 소스에 따라이동가능한것을특징으로 하는장치.
[청구항 53]
제 48항에 있어서,상기 검출장치가 고정 위치된전하결합소자인것을특징으로 하는장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전계 방출 전자 소스가 트리오드-형태일 때, x-선이 생성되는 물리적 과정과 그 구성 요소 간의 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation트리오드-형태의 전계 방출 전자 소스에서 x-선이 생성되는 물리적 과정과 구성 요소 간의 인과 관계를 설명해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 26에서 트리오드-형태의 전계 방출 소스, 게이트 전극, 전계 방출 물질, 타겟, 그리고 x-선 생성 과정을 추출한다.
- 전계 방출 소스이 전계 방출 물질(field emissive material) 및 기판에 평행하게 배치되고 상기 기판으로부터 절연된 게이트 전극을 포함하는 트리오드-형태
- 게이트 전극 및 전계 방출 물질 간의 전계가 임계치를 초과하는 경우 캐소드로부터 복수의 전자가 전계 방출되고, 상기 전계 방출된 복수의 전자가 게이트 전극을 통과하여 추가로 가속되고 게이트 전극 및 적어도 하나의 타겟 사이에 인가된 전계에 의해 적어도 하나의 타겟에 충돌하고, 상기 입사 지점에 대한 충돌 후 적어도 하나의 타겟 물질에 대응하는 특징적인 파장을 갖는 적어도 하나의 x-선 및 연속적인 파장을 갖는 적어도 하나의 x-선생성되는것
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3근거 선택
evidence_selection전계 방출, 전자 가속, 타겟 충돌, x-선 생성으로 이어지는 단계별 근거 구절을 선택한다.
- 게이트 전극 및 전계 방출 물질 간의 전계가 임계치를 초과하는 경우 캐소드로부터 복수의 전자가 전계 방출되고, 상기 전계 방출된 복수의 전자가 게이트 전극을 통과하여 추가로 가속되고 게이트 전극 및 적어도 하나의 타겟 사이에 인가된 전계에 의해 적어도 하나의 타겟에 충돌하고, 상기 입사 지점에 대한 충돌 후 적어도 하나의 타겟 물질에 대응하는 특징적인 파장을 갖는 적어도 하나의 x-선 및 연속적인 파장을 갖는 적어도 하나의 x-선생성되는것
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4논리 통합
logical_integration게이트 전극과 전계 방출 물질 사이의 전계가 임계치를 넘으면 전자가 방출되고, 이 전자가 게이트 전극을 통과해 가속된 후 타겟에 충돌하여 x-선이 발생한다는 논리적 흐름을 구성한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation물리적 과정(방출 -> 가속 -> 충돌)과 구성 요소(게이트 전극, 전계 방출 물질, 타겟)의 관계를 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
트리오드-형태의 전계 방출 전자 소스에서 x-선이 생성되는 과정은 다음과 같다. 먼저, 게이트 전극과 전계 방출 물질 사이에 형성된 전계가 임계치를 초과하면 캐소드로부터 복수의 전자가 전계 방출된다. 이후 전계 방출된 전자들은 게이트 전극을 통과하며 추가로 가속되고, 게이트 전극과 타겟 사이에 인가된 전계에 의해 타겟에 충돌한다. 이 충돌 결과로 타겟 물질에 대응하는 특징적인 파장의 x-선과 연속적인 파장의 x-선이 생성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 트리오드 구조의 전계 방출 소스에서 게이트 전극과 전계 방출 물질 간의 전계를 제어하여 전자를 방출 및 가속시키고, 이를 타겟에 충돌시켜 x-선을 발생시키는 물리적 메커니즘을 포함한다.