컨택 홀 제조의 모니터링 document_id 1020047012076

[청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 컨택 개구는 컨택 홀포함하는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 22] 제 20 항에 있어서,상기 컨택 개구는 트렌치포함하는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 테스트 패턴은 100 개 이상의 상기 컨택 개구포함하는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 25] 제 23 항에 있어서,상기 전자빔 공급원은 전자 빔을 상기 테스트 패턴 사이즈와 대략 동일한 영역에 포커싱구성되는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 26] 제 20 항에 있어서,상기 전류 측정 장치는, 웨이퍼로부터 포토레지스트층을 제거하기 전에, 전자빔이 상기 웨이퍼 상의 비전도층을 덮는, 컨택 개구 에칭에 이용되었던 포토레지스트층을 조사하는 동안에표본전류측정하도록구성되는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 27] 제 20 항에 있어서,상기 테스트 영역은 웨이퍼 상의 상이한 위치에 있는 복수의 그러한 테스트 영역 중 하나이고, 전자빔을 테스트 영역들 중 2 개 이상의 영역을 각각 순차적으로 조사하기 위해 전자빔 공급원과 웨이퍼 중 적어도 하나 이상을 위치시키도록 구성되는 포지셔닝 스테이지포함하는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 28] 제 20 항에 있어서,상기 전자빔 공급원은 상기 테스트 영역을 예비대전하기 위해 예비대전 기간 동안 제 1 빔 에너지에서 동작하고, 상기 예비대전 기간 후의 테스트 기간 동안 제 2 빔 에너지에서 동작하도록 구성되며, 그 동안 상기 전류 측정 장치는 상기 표본 전류측정하는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 29] 제 28 항에 있어서,상기 예비대전 기간 동안, 상기 전자빔이 음전하를 상기 테스트 영역 표면인가하는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 제 2 빔 에너지는상기기판의양의충전도메인존재하도록선택되는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 31] 제 20 항에 있어서,상기 전류 측정 장치는 상기 테스트 영역에 인접한 상기 웨이퍼에 고정되는 전도성 컨택 패드를 접촉하도록 결합되어, 상기 컨택 패드를 통해 흐르는 전류측정하는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 32] 제 20 항에 있어서,상기 전자빔 공급원은 펄스 공급원을 포함하고, 상기 전류 측정 장치는 상기 웨이퍼와의 용량성 커플링에 의해 전류측정하는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 33] 제 20 항에 있어서,상기 제어기는 측정된 표본 전류에 응답하여컨택개구의깊이와너비중하나이상산정하도록구성되는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 34] 제 20 항에 있어서,상기 전자빔에 응답하여 상기 기판으로부터 방출되는 2차 전자 전류를 측정하도록 구성되는 2차 전자 검출기를 포함하고, 상기 제어기는 상기 표본 전류와함께2차전자전류분석하도록더 구성되는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 35] 제 20 항에 있어서,상기 제어기는 상기 표본 전류에 기초하여 컨택 개구 내의 잔여물을 검출하도록 더 구성되고, 상기 전자빔 공급원은 상기 잔여물을 제거하기 위해 전자빔을 사용하여웨이퍼조사하도록구성되는,웨이퍼 제조 테스트 장치. [청구항 37] 제 36 항에 있어서,상기 컨택 개구 어레이에 포함되지 않는 몇개 이상의 컨택 개구는 상기 웨이퍼 상의 복수의 초소형 전자회로에 속하고, 상기 초소형 전자회로는 스크라이브 라인에 의해 분리되며, 상기 테스트 영역은 상기 스크라이브 라인 중 하나위치되는,반도체 웨이퍼. [청구항 38] 제 36 항에 있어서,상기 컨택 개구는 컨택 홀포함하는,반도체 웨이퍼. [청구항 39] 제 36 항에 있어서,상기 컨택 개구는 트렌치포함하는,반도체 웨이퍼. [청구항 41] 제 36 항에 있어서,상기 테스트 패턴은 100 개 이상의 상기 컨택 개구포함하는,반도체 웨이퍼. [청구항 42] 제 36 항에 있어서,상기 웨이퍼에서 발생되는 표본 전류를 수용하기 위해, 상기 테스트 영역에 인접한 상기 기판에 고정되는 전도성 컨택 패드포함하는,반도체 웨이퍼. [청구항 44] 제 43 항에 있어서,상기 웨이퍼를 진공으로 유지하면서 상기 에칭 툴로부터 상기 테스팅 툴로 이송하도록 구성되는 로봇포함하는,클러스터 툴. [청구항 45] 제 43 항에 있어서,컨택 홀의 치수가 소정의 범위 이하인 것으로 그 표본 전류가 나타내면, 상기 제어기는 치수를 증가시키기 위해 비전도층을 상기 웨이퍼를 상기 에칭 스테이션으로 복귀시켜추가적에칭하도록구성되는,클러스터 툴. [청구항 46] 제 43 항에 있어서,상기 제어기는 상기 표본 전류에 기초하여 상기 컨택 개구 내의 잔류물을 검출하도록 더 구성되고, 상기 전자빔 공급원은 상기 잔류물을 제거하기 위해 전자 빔으로상기웨이퍼조사하도록구성되는,클러스터 툴.