가변 저항 메모리를 위한 은-셀레나이드/칼코게나이드 글래스 스택 document_id 1020047012958

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 칼코겐 화합물 글래스층nan은복수의칼코겐화합물글래스층들포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 다른 글래스층은복수의글래스층들포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 은-칼코겐화합물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 은-셀레나이드포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 은-황화물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 은-산화물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 은-텔루라이드포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 9] 제 4 항에 있어서,적어도 하나의 칼코겐 화합물 글래스층은 다음의 화학식을 갖는물질포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자.gexse100-x (여기서, x = 20∼43) [청구항 10] 제 4 항에 있어서,적어도 하나의 칼코겐 화합물 글래스층의 화학양론적 조성은 약 ge40se60 인 것특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 11] 제 4 항에 있어서,적어도 하나의 다른 글래스층은제2칼코겐화합물글래스층포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 12] 제 4 항에 있어서,적어도 하나의 다른 글래스층은 sise조성물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 13] 제 4 항에 있어서,적어도 하나의 다른 글래스층은 asse조성물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 14] 제 4 항에 있어서,적어도 하나의 다른 글래스층은 ges조성물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 15] 제 4 항에 있어서,적어도 하나의 다른 글래스층은 게르마늄,은및셀레늄의합성물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 다른 글래스층은 약 100∼약 1000å의두께갖는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 17] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 다른 글래스층은 약 150å의두께갖는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 18] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 칼코겐 화합물 글래스층은 약 100∼약 1000å의두께갖는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 19] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 칼코겐 화합물 글래스층은 약 150å의두께갖는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 20] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 제 1 두께를 갖고, 상기 적어도 하나의 칼코겐 화합물은 제 2 두께를 갖으며, 상기 제 2 두께에 대한 상기 제 1 두께의 두께비는 약 5 : 1 ∼ 약 1 :1범위내에있는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 21] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 제 1 두께를 갖고, 상기 적어도 하나의 칼코겐 화합물은 제 2 두께를 갖으며, 상기 제 2 두께에 대한 제 1 두께의 두께비는 약 3.3 : 1 ∼ 약 2 :1범위내에있는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 22] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 복수의 적층된금속함유층들포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 23] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 다른 글래스층은적어도하나의제2칼코겐화합물글래스층포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 24] 제 23 항에 있어서,적어도 하나의 제 2 칼코겐 화합물 글래스층과 접하는 또 다른 금속 함유층과, 상기 적어도 하나의 제 2 금속 함유층과 접하는적어도하나의제3칼코겐화합물글래스층더포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 25] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 칼코겐 화합물 글래스층 중의 하나 이상의 층nan은금속도펀트함유하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 금속 도펀트는은포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 27] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 제 1 두께를 갖고, 상기 적어도 하나의 다른 글래스층은 제 2 두께를 갖으며, 상기 제 2 두께에 대한 상기 제 1 두께의 두께비는 약 5 : 1 ∼ 약 1 :1범위내에있는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 28] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 제 1 두께를 갖고, 상기 적어도 하나의 다른 글래스층은 제 2 두께를 갖으며, 상기 제 2 두께에 대한 상기 제 1 두께의 두께비는 약 3.3 : 1 ∼ 약 2 :1범위내에있는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 29] 제 1 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층의 두께는, 적어도 하나의 칼코겐 화합물 글래스층의 각각의 두께 및 적어도 하나의 다른 글래스층의 각각의 두께와 같거나 큰 것특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 31] 제 30 항에 있어서,적어도 하나의 은-칼코겐 화합물층은 은-셀레나이드포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 32] 제 30 항에 있어서,적어도 하나의 은-칼코겐 화합물층은 은-황화물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 33] 제 30 항에 있어서,적어도 하나의 은-칼코겐 화합물층은 은-산화물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 34] 제 30 항에 있어서,적어도 하나의 은-칼코겐 화합물층은 은-텔루라이드포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 35] 제 30 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스 물질nan은다음의화학식갖는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자.gexse100-x (여기서, x = 20∼43) [청구항 36] 제 30 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스 물질의 화학양론적 조성은 약 ge40se60 인 것특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 37] 제 30 항에 있어서,상기 제 1 글래스층과 제 2 글래스층nan은칼코겐화합물글래스물질포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 38] 제 30 항에 있어서,상기 제 1 글래스층과 제 2 글래스층 중 적어도 하나는금속도펀트함유하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 39] 제 30 항에 있어서,상기 금속 도펀트는은포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 40] 제 30 항에 있어서,상기 제 1 글래스층과 제 2 글래스층 중 적어도 하나는 sise조성물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 41] 제 30 항에 있어서,상기 제 1 글래스층과 제 2 글래스층 중 적어도 하나는 asse조성물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 42] 제 30 항에 있어서,상기 제 1 글래스층과 제 2 글래스층 중 적어도 하나는 ges조성물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 43] 제 30 항에 있어서,상기 제 1 글래스층과 제 2 글래스층 중 적어도 하나는 게르마늄,은및셀레늄의합성물포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 44] 제 30 항에 있어서,상기 은-칼코겐 화합물은 제 1 두께를 갖고, 상기 제 2 글래스층은 제 2 두께를 갖으며, 상기 제 2 두께에 대한 제 1 두께의 두께비는 약 5 : 1 ∼ 약 1 :1범위내에있는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 45] 제 30 항에 있어서,상기 은-칼코겐 화합물은 제 1 두께를 갖고, 상기 제 2 글래스층은 제 2 두께를 갖으며, 상기 제 2 두께에 대한 상기 제 2 두께의 두께비는 약 3.3 : 1 ∼ 약 2 :1범위내에있는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 46] 제 30 항에 있어서,상기 은-칼코겐 화합물은 제 1 두께를 갖고, 상기 제 1 글래스층은 제 2 두께를 갖으며, 상기 제 2 두께에 대한 제 1 두께의 두께비는 약 5 : 1 ∼ 약 1 :1범위내에있는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 47] 제 30 항에 있어서,상기 은-칼코겐 화합물은 제 1 두께를 갖고, 상기 제 1 글래스층은 제 2 두께를 갖으며, 상기 제 2 두께에 대한 상기 제 1 두께의 두께비는 약 3.3 : 1 ∼ 약 2 :1범위내에있는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 48] 제 30 항에 있어서,상기 은-칼코겐 화합물의 두께는 상기 제 1 및 제 2 글래스층들의 각각의 두께와 같거나 큰 것특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 49] 제 30 항에 있어서,상기 제 1 글래스층과 제 2 글래스층 중 적어도 하나는금속도펀트함유하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 50] 제 49 항에 있어서,상기 금속 도펀트는은포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자. [청구항 52] 제 51 항에 있어서,상기x는 약 40인것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 53] 제 51 항에 있어서,상기 제 1 금속 함유층은 은-칼코겐화합물포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 54] 제 51 항에 있어서,상기 제 1 금속 함유층은 은-셀레나이드포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 55] 제 51 항에 있어서,상기 제 1 금속 함유층은 은-황화물포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 56] 제 51 항에 있어서,상기 제 1 금속 함유층은 은-산화물포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 57] 제 51 항에 있어서,상기 제 1 금속 함유층은 은-텔루라이드포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 58] 제 54 항에 있어서,상기 제 2 글래스층은 상기 제 2 전극으로부터 상기 금속 함유층 및 제 1 글래스층으로 성분이 확산되는 것을 제어하는 확산 조절층으로서의역할수행하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 59] 제 58 항에 있어서,상기 제 2 글래스층은 sise조성물포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 60] 제 58 항에 있어서,상기 제 2 글래스층은 asse조성물포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 61] 제 58 항에 있어서,상기 제 2 글래스층은 ges조성물포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 62] 제 58 항에 있어서,상기 제 2 글래스층은 게르마늄,은및셀레늄의합성물포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 63] 제 51 항에 있어서,상기 제 1 금속 함유층은 순차적으로 서로 접하는복수의금속함유층들포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 64] 제 51 항에 있어서,상기 제 1 글래스층과 제 2 글래스층 중 적어도 하나는 순차적으로 서로 접하는복수의글래스층들포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 65] 제 51 항에 있어서,상기 제 1 글래스층과 제 2 글래스층 중 적어도 하나는금속도펀트함유하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 66] 제 65 항에 있어서,상기 금속 도펀트는은포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 68] 제 67 항에 있어서,상기 확산 조절층은 제 2 글래스층인것을특징으로 하는칼코겐 화합물 글래스 스택. [청구항 69] 제 67 항에 있어서,상기 확산 조절층과 접하는 금속 함유 전극을 더 포함하며, 상기 확산 조절층은 상기 금속 함유 전극으로부터 상기 칼코겐 화합물 글래스층으로의금속의이동속도늦추는것을특징으로 하는칼코겐 화합물 글래스 스택. [청구항 70] 제 67 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 은-칼코겐화합물포함하는것을특징으로 하는칼코겐 화합물 글래스 스택. [청구항 71] 제 67 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 은-셀레나이드포함하는것을특징으로 하는칼코겐 화합물 글래스 스택. [청구항 72] 제 67 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 은-황화물포함하는것을특징으로 하는칼코겐 화합물 글래스 스택. [청구항 73] 제 67 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 은-산화물포함하는것을특징으로 하는칼코겐 화합물 글래스 스택. [청구항 74] 제 67 항에 있어서,적어도 하나의 금속 함유층은 은-텔루라이드포함하는것을특징으로 하는칼코겐 화합물 글래스 스택. [청구항 75] 제 67 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스층과 상기 확산 조절층 중 적어도 하나는금속도펀트함유하는것을특징으로 하는칼코겐 화합물 글래스 스택. [청구항 76] 제 75 항에 있어서,상기 금속 도펀트는은포함하는것을특징으로 하는칼코겐 화합물 글래스 스택. [청구항 78] 제 77 항에 있어서,상기 금속 함유층은 적어도 한 층 이상의 은-셀레나이드층포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 79] 제 77 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스층들 중적어도 한 층 이상은복수의칼코겐화합물글래스층들포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 80] 제 77 항에 있어서,상기 금속 함유층들 중적어도 한 층 이상은복수의금속함유층들포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 81] 제 77 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스층들 중적어도 한 층 이상은금속도펀트함유하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 82] 제 81 항에 있어서,상기 금속 도펀트는은포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 84] 제 83 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스층은 다음의 화학식을 갖는물질포함하는것을특징으로 하는가변 저항 메모리 소자의 제조방법.gexse100-x (여기서, x = 약 20∼약 43) [청구항 110] 제 109 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스층은 다음의 화학식을 갖는물질포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템.gexse100-x (여기서, x = 20∼43) [청구항 111] 제 109 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스층의 화학양론적 조성은 약 ge40se60 인 것특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 112] 제 109 항에 있어서,상기 글래스층들 중적어도 한 층은금속도펀트함유하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 113] 제 112 항에 있어서,상기 금속 도펀트는은포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 114] 제 109 항에 있어서,글래스층nan은제2칼코겐화합물글래스층포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 115] 제 114 항에 있어서,적어도 하나의 제 2 칼코겐 화합물 글래스층과 접하는 또 다른 금속 함유층과, 상기 적어도 하나의 제 2 금속 함유층과 접하는적어도하나의제3칼코겐화합물글래스층더포함하여이루어지는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 116] 제 114 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스층은 복수의 적층된칼코겐화합물글래스층포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 117] 제 114 항에 있어서,상기 금속 함유층은 복수의 적층된금속함유층포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 118] 제 115 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스층들 중적어도 한 층 이상은금속도펀트함유하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 119] 제 109 항에 있어서,상기 금속 함유층은 은-셀레나이드층포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 120] 제 119 항에 있어서,글래스층은 sise조성물포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 121] 제 119 항에 있어서,글래스층은 asse조성물포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 122] 제 109 항에 있어서,글래스층은 ges조성물포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 123] 제 109 항에 있어서,글래스층은 게르마늄,은및셀레늄의합성물포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 124] 제 109 항에 있어서,글래스층은 전극으로부터 프로세서 기반 시스템으로 금속 이온이 이동하는 속도를 늦추기 위한확산조절층인것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 126] 제 125 항에 있어서,상기 금속 함유층들은 하나 이상의 은-셀레나이드층들포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 127] 제 125 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스층들의 적어도 하나는복수의칼코겐화합물글래스층들포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 128] 제 125 항에 있어서,상기 금속 함유층들의 적어도 하나는복수의금속함유층들포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 129] 제 125 항에 있어서,상기 칼코겐 화합물 글래스층들의 적어도 하나는금속도펀트함유하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 130] 제 129 항에 있어서,상기 금속 도펀트는은포함하는것을특징으로 하는프로세서 기반 시스템. [청구항 132] 제 131 항에 있어서,상기 복수의 금속 함유층들은 하나 이상의 은-셀레나이드층들포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 133] 제 131 항에 있어서,상기 복수의 칼코겐 화합물 글래스층들 중 하나 이상의 층이복수의칼코겐화합물글래스층들포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 134] 제 131 항에 있어서,상기 복수의 금속 함유층들 중 하나 이상의 층들이복수의금속함유층들포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 135] 제 131 항에 있어서,상기 복수의 칼코겐 화합물 글래스층들 중 하나 이상의 층들이금속도펀트함유하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 136] 제 135 항에 있어서,상기 금속 도펀트는은포함하는것을특징으로 하는메모리 소자.