문맥 (context)
[청구항 1]
벌크 기판(30a), 매몰 산화막(30b) 및 활성층(30c)으로 구성되는 실리콘 온 인슐레이터(soi) 기판 위에 형성된 트랜지스터와, 이 트랜지스터는 게이트 전극(36)을 포함하고, 상기 벌크 기판(30a)은 하나의 도펀트 물질로 제1의 농도를 가지게 도핑되며; 그리고
상기 벌크 기판(30a) 내에 형성되는 제1의 도핑된 영역(42a)을 포함하여 구성되고, 여기서 제1의 도핑된 영역(42a)은 상기 벌크 기판의 도펀트 물질과 동일한 형의 도펀트 물질을 포함하고, 제1 도핑된 영역(42a)에서의 도펀트 물질의 농도는 벌크 기판(30a)의 제1 도펀트 농도보다 크며, 제1의 도핑된 영역(42a)은 상기 게이트 전극(36)과 정렬되는 것을 특징으로 하는 장치
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 벌크 기판(30a) 내에 형성되는 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c)을 더 포함하고, 이 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c)은 상기 벌크 기판의 도펀트 물질과 동일한 형의 도펀트 물질을 포함하며, 상기 제2 및 제3의 도핑된 영역의 도펀트 물질 농도는 상기 제1의 도펀트 농도보다 크고, 상기 제1의 도핑된 영역(42a)은 상기 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c)과수직방향이격되어있는것을특징으로 하는장치.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 게이트 전극(36)은 소정의 두께를 가지고, 상기 제1의 도핑된 영역(42a)은 상기 게이트 전극(36)의 소정 두께에 해당하는 거리 만큼 상기 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c)으로부터수직방향이격되는것을특징으로 하는장치.
[청구항 4]
제 2 항에 있어서,상기제1, 제2 및 제3의 도핑된 영역(42a, 42b, 42c)은 각각 10-50 nm의두께갖는것을특징으로 하는장치.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기제1의 도핑된 영역(42a)은 10-50 nm의두께갖는것을특징으로 하는장치.
[청구항 6]
제 2 항에 있어서,상기제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c)은 상기 게이트 전극(36)에 대해 정렬된내측모서리부분갖는것을특징으로 하는장치.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기제1의 도핑된 영역(42a)은 상기 매몰 산화막(30b)과 벌크 기판(30a) 사이의 경계면 하부 0 내지 5 nm 에 위치하는상부 표면갖는것을특징으로 하는장치.
[청구항 8]
제 2 항에 있어서,상기제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c)은 각각 게이트 전극(36)의 소정 두께에 해당하는 거리 만큼, 상기 매몰 산화막(30b)과 벌크 기판(30a) 사이의 경계면 하부에 위치하는상부표면갖는것을특징으로 하는장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
실리콘 온 인슐레이터(soi) 기판 상의 장치에서 제1의 도핑된 영역(42a)과 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c) 사이의 수직 방향 이격 거리는 어떻게 결정되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1의 도핑된 영역(42a)과 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c) 사이의 수직 방향 이격 거리가 결정되는 기준을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 제1의 도핑된 영역(42a)과 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c) 사이의 이격 거리에 관한 구체적인 설명이 명시되어 있다.
- 상기 제1의 도핑된 영역(42a)은 상기 게이트 전극(36)의 소정 두께에 해당하는 거리 만큼 상기 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c)으로부터수직방향이격되는것을특징으로 하는장치
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3근거 선택
evidence_selection이격 거리가 게이트 전극(36)의 소정 두께에 의해 결정된다는 청구항 3의 내용을 핵심 근거로 선택한다.
- 상기 제1의 도핑된 영역(42a)은 상기 게이트 전극(36)의 소정 두께에 해당하는 거리 만큼 상기 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c)으로부터수직방향이격되는것을특징으로 하는장치
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4논리 통합
logical_integration청구항 3에 따르면, 제1의 도핑된 영역과 제2/제3의 도핑된 영역 사이의 수직 방향 이격 거리는 게이트 전극(36)이 가지는 소정의 두께와 동일한 거리로 설정된다.
- 상기 게이트 전극(36)은 소정의 두께를 가지고, 상기 제1의 도핑된 영역(42a)은 상기 게이트 전극(36)의 소정 두께에 해당하는 거리 만큼 상기 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c)으로부터수직방향이격되는것을특징으로 하는장치
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5결론 도출
conclusion_formulation따라서 수직 방향 이격 거리는 게이트 전극(36)의 소정 두께에 해당하는 거리만큼 결정된다.
- 상기 제1의 도핑된 영역(42a)은 상기 게이트 전극(36)의 소정 두께에 해당하는 거리 만큼 상기 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c)으로부터수직방향이격되는것을특징으로 하는장치
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6답변 생성
answer_generation질문에 대해 게이트 전극의 두께를 기준으로 답변을 작성한다.
- 상기 게이트 전극(36)의 소정 두께에 해당하는 거리 만큼
최종 답변 (final_answer)
제1의 도핑된 영역(42a)과 제2 및 제3의 도핑된 영역(42b, 42c) 사이의 수직 방향 이격 거리는 게이트 전극(36)의 소정 두께에 해당하는 거리만큼 결정된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 SOI 기판 내 도핑된 영역들 사이의 수직적 간격을 게이트 전극의 두께와 연동시켜 제어함으로써 도핑 영역의 위치 관계를 정의하는 기술을 포함한다.