반도체 디바이스들을 언더 충전하는 방법 및 그 장치 document_id 1020047016197

[청구항 27] 제26항에 있어서,상기 열원은 상기 제1 영역에 근사하는 기판과 도전적 열적 소통하게 결합된 제1 부분 및 상기 제2 영역에 근사하는 기판과 도전적 열적 소통하게 결합된 제2 부분을 갖는 지지블록인장치. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 지지 블록은 균일한 온도까지 가열되고, 상기 제1 부분은 상기 기판의 상기 제1 영역과 접촉하는 제1 표면적을 갖고, 상기 제2 부분은 상기 기판의 제2 영역과 접촉하는 제2 표면적을 갖고, 상기 제1 표면적은 상기 제2 표면적과상이한 것인장치. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 기판의 상기 제1 영역 내에 상기 제1 온도를 제공하기 위해 상기 지지 블록의 상기 제1 부분에 열을 전달하도록 작동하는 것으로, 상기 지지 블록과 열적으로 결합된 제1 가열 소자; 및상기 기판의 상기 제2 영역 내에 상기 제2 온도를 제공하기 위해 상기 지지 블록의 상기 제2 부분에 열을 전달하도록 작동하는 것으로, 상기 지지 블록과 열적으로 결합된 제2 가열 소자를 추가포함하는장치. [청구항 30] 제26항에 있어서,상기 열원nan은전자기에너지의방사성플럭스제공하도록작동하는 것인장치. [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 열원은 상기 온도 경사를 확립하도록 구성된 오프닝들의 패턴을 갖는 마스크를 추가포함하는 것인장치. [청구항 32] 제30항에 있어서,상기 열원은 상기 온도 경사를 확립하도록 작동하는 방식으로 상기 다이에 상대적인 방사성 플럭스의 영역을 이동시키기 위해 다이와 반사 디바이스의 표면적보다 치수적으로 작은 일 영역의 방사성 플럭스를 제공하는 레이저포함하는 것인장치. [청구항 33] 제30항에 있어서,상기 다이를 커버하는 것으로, 열 전도를 위한 경로 길이를 변경시키도록 변화하는 두께들의 패턴을 갖는 열적-도전성 물질로 형성된 열 전달 소자를 추가로 포함하고, 이 열 전달 소자는 상기 온도 경사를 확립하기 위해상기방사성플럭스흡수하도록작동하는 것인장치. [청구항 34] 제26항에 있어서,상기 열원은상기 기판의 상기 제1 및 제2 영역들 쪽으로 가열된 가스의 흐름을 지향시킬 수 있는 소스,상기 소스와 상기 기판 사이에 위치하고, 상기 기판의 상기 제1 영역으로 가열된 가스의 흐름을 제어하는데 효과적인 제1 공극을 가짐으로써 충분한 열 에너지가 상기 제1 온도까지 상기 제1 영역을 가열시키도록 대류에 의해 전달되는 것인 제1 다공성 소자; 및상기 소스와 상기 기판 사이에 위치하고, 상기 기판의 상기 제2 영역으로 가열된 가스의 흐름을 제어하는데 효과적인 제2 공극을 가짐으로써 충분한 열 에너지가 상기 제2 온도까지 상기 제2 영역을 가열시키도록 대류에 의해 전달되는 것인 제2 다공성 소자를 포함하고, 상기 제2 공극은 상기 제1 공극상이한 것인장치. [청구항 35] 제26항에 있어서,상기 열원은 상기 다이의 상기 제1 영역에 가열된 가스의 제1 흐름을 지향시키도록 채택된 제1 노즐 ; 및상기 다이의 상기 제2 영역에 가열된 가스의 제2 흐름을 지향시키도록 채택된 제2 노즐을 포함하고,상기 가열된 가스의 제1 흐름은 상기 제1 온도를 제공하는데 효과적인 양으로 열을 대류에 의해 전달하며, 상기 가열된 가스의 제2 흐름은 상기 제2 온도를 제공하는데 효과적인 양으로 열을대류에의해전달하는장치. [청구항 36] 제26항에 있어서,상기 제1 온도와 제2 온도 간의 차이는 상기 다중-측면 다이와 상기 기판 간의 갭 내에 온도 경사제공하는 것인장치. [청구항 37] 제26항에 있어서,상기 열원은 상기 캡슐화 물질이 상기 다중-측면 다이와 상기 기판 간의 갭 내로 이동함에 따라 상기 제1및상기제2온도들변화시킬수있는 것인장치. [청구항 38] 다이의 적어도 한쪽 측면 에지에 인접하게 캡슐화 물질을 분산시키도록 작동하는 디스펜서; 및 다이와 기판 중의 하나의 제1 및 제2 영역들에 열 에너지를 전달하도록 작동함으로써 상기 제1 및 제2 영역들은 각각의 제1 및 제2 온도들까지 가열되고, 상기 제1 온도는 상기 다중-측면 다이와 상기 기판 사이의 갭 내로 이동하는 캡슐화 물질로 열을 불균일하게 전달하도록 제2 온도와 상이한 것인 열원을 포함하고, 사이에 형성된 복수개의 전기 접속들을 캡슐화시키기 위해 다중-측면 다이와 기판 사이 의 갭을 언더 충전시키는 장치 [청구항 39] 제38항에 있어서,상기 열원은 상기 제1 영역에 근사하는 기판과 도전적 열적 소통하게 결합된 제1 부분 및 상기 제2 영역에 근사하는 기판과 도전적 열적 소통하게 결합된 제2 부분을 갖는 지지블록인장치. [청구항 40] 제39항에 있어서,상기 지지 블록은 균일한 온도까지 가열되고, 상기 제1 부분은 상기 기판의 상기 제1 영역과 접촉하는 제1 표면적을 갖고, 상기 제2 부분은 상기 기판의 제2 영역과 접촉하는 제2 표면적을 갖고, 상기 제1 표면적은 상기 제2 표면적과상이한 것인장치. [청구항 41] 제39항에 있어서,상기 기판의 상기 제1 영역 내에 상기 제1 온도를 제공하기 위해 상기 지지 블록의 상기 제1 부분에 열을 전달하도록 작동하는 것으로, 상기 지지 블록과 열적으로 결합된 제1 가열 소자; 및상기 기판의 상기 제2 영역 내에 상기 제2 온도를 제공하기 위해 상기 지지 블록의 상기 제2 부분에 열을 전달하도록 작동하는 것으로, 상기 지지 블록과 열적으로 결합된 제2 가열 소자를 추가포함하는장치. [청구항 42] 제38항에 있어서,상기 열원nan은전자기에너지의방사성플럭스제공하도록작동하는 것인장치. [청구항 43] 제42항에 있어서,상기 열원은 상기 온도 경사를 확립하도록 구성된 오프닝들의 패턴을 갖는 마스크를 추가포함하는 것인장치. [청구항 44] 제42항에 있어서,상기 열원은 상기 온도 경사를 확립하도록 작동하는 방식으로 상기 다이에 상대적인 방사성 플럭스의 영역을 이동시키기 위해 다이와 반사 디바이스의 표면적보다 치수적으로 작은 일 영역의 방사성 플럭스를 제공하는 레이저포함하는 것인장치. [청구항 45] 제42항에 있어서,상기 다이를 커버하는 것으로, 열 전도를 위한 경로 길이를 변경시키도록 변화하는 두께들의 패턴을 갖는 열적-도전성 물질로 형성된 열 전달 소자를 추가로 포함하고, 이 열 전달 소자는 상기 온도 경사를 확립하기 위해상기방사성플럭스흡수하도록작동하는 것인장치. [청구항 46] 제44항에 있어서,상기 열원은상기 기판의 상기 제1 및 제2 영역들 쪽으로 가열된 가스의 흐름을 지향시킬 수 있는 소스,상기 소스와 상기 기판 사이에 위치하고, 상기 기판의 상기 제1 영역으로 가열된 가스의 흐름을 제어하는데 효과적인 제1 공극을 가짐으로써 충분한 열 에너지가 상기 제1 온도까지 상기 제1 영역을 가열시키도록 대류에 의해 전달되는 것인 제1 다공성 소자; 및상기 소스와 상기 기판 사이에 위치하고, 상기 기판의 상기 제2 영역으로 가열된 가스의 흐름을 제어하는데 효과적인 제2 공극을 가짐으로써 충분한 열 에너지가 상기 제2 온도까지 상기 제2 영역을 가열시키도록 대류에 의해 전달되는 것인 제2 다공성 소자를 포함하고, 상기 제2 공극은 상기 제1 공극상이한 것인장치. [청구항 47] 제38항에 있어서,상기 열원은 상기 다이의 상기 제1 영역에 가열된 가스의 제1 흐름을 지향시키도록 채택된 제1 노즐; 및상기 다이의 상기 제2 영역에 가열된 가스의 제2 흐름을 지향시키도록 채택된 제2 노즐을 포함하고, 상기 가열된 가스의 제1 흐름은 상기 제1 온도를 제공하는데 효과적인 양으로 열을 대류에 의해 전달하며, 상기 가열된 가스의 제2 흐름은 상기 제2 온도를 제공하는데 효과적인 양으로 열을대류에의해전달하는장치. [청구항 48] 제38항에 있어서,상기 제1 온도와 제2 온도 간의 차이는 상기 다중-측면 다이와 상기 기판 간의 갭 내에 온도 경사제공하는 것인장치. [청구항 49] 제38항에 있어서,상기 열원은 상기 캡슐화 물질이 상기 다중-측면 다이와 상기 기판 간의 갭 내로 이동함에 따라 상기 제1및상기제2온도들변화시킬수있는 것인장치.