문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 중심 실리콘 부품과 상기 실리콘 조각은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 실리콘 카바이드형성되는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 제 1 백킹판은 탄성적인 조인트에 의해 상기 중심 실리콘 부품에 연결되고, 상기 제 1 백킹판은 상기 상판을 통해 상기 제 1 백킹판으로 연장하는 스크류에 의해 상기 상판부착되는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 탄성적인 조인트는 열전도성 및 도전성인 탄성체형성되는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 전극은 상기 플라즈마 반응 챔버에서 공정가스를 분배하도록 배열된 복수개의 가스출구를 가지는 샤워헤드 전극포함하는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 중심 실리콘 부품은 13 인치 이하의 직경가지는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 단차는 상기 중심 실리콘 부품과 복수개의 상기 실리콘 조각 사이의 계면에 실질적있는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 중심 실리콘 부품과 상기 실리콘 조각 사이의 환형에서 가스 흐름을 방지하기 위한 밀봉링더 포함하는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 중심 실리콘 부품은 단차 없이 실질적으로 평평한 저면가지는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 실리콘 조각은 상기 중심 실리콘 부품과 동일한 재료형성되는,플라즈마 공정 시스템.
[청구항 13]
제11항에 있어서,상기 중심 실리콘 부품은 전극 조인트에서 상기 실리콘 조각의 측면들과 접하는 측면가지는,플라즈마 공정 시스템.
[청구항 14]
제13항에 있어서,상기 전극 조인트는 상기 하부전극의 바깥쪽 가장자리 위에 실질적정렬되는,플라즈마 공정 시스템.
[청구항 15]
제13항에 있어서,상기 하부 전극 상에 웨이퍼가 배치되는 경우, 상기 전극 조인트는 상기 웨이퍼의 바깥쪽 가장자리 위에 실질적정렬되는,플라즈마 공정 시스템.
[청구항 16]
제14항에 있어서,상기 하부전극은 12 인치의 직경을 가지고 상기 상부전극은 12 인치보다 큰 직경가지는,플라즈마 공정 시스템.
[청구항 17]
제11항에 있어서,상기 실리콘 조각을 교체하지 않고상기중심실리콘부품교체할수있는,플라즈마 공정 시스템.
[청구항 18]
제12항에 있어서,상기 중심 실리콘 부품과 상기 실리콘 조각은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 실리콘 카바이드형성되는,플라즈마 공정 시스템.
[청구항 19]
제11항에 있어서,상기 실리콘 조각 안쪽으로 상기 중심 실리콘 부품이 리세스되도록, 상기 중심 실리콘 부품은 평평한 저면을 가지고 상기 실리콘 조각은 각각 상기 전극 조인트 근처에 형성된 단차가지는,플라즈마 공정 시스템.
[청구항 20]
제11항에 있어서,상기 중심 실리콘 부품과 상기 실리콘 조각 사이의 환형부에서의 가스 흐름을 방지하기 위한 밀봉링더 포함하는,플라즈마 공정 시스템.
[청구항 22]
제21항에 있어서,상기 중심 실리콘 부품과 상기 실리콘 조각 사이의 환형부에서의 가스 흐름을 방지하기 위한 밀봉링더 포함하는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 23]
제21항에 있어서,상기 중심 실리콘 부품은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 실리콘 카바이드형성되는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 24]
제23항에 있어서,상기 실리콘 조각은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 실리콘 카바이드형성되는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 25]
제21항에 있어서,상기 실리콘 조각 안쪽으로 상기 중심 실리콘 부품이 리세스되도록, 상기 중심 실리콘 부품은 평평한 저면을 가지고 상기 실리콘 조각은 각각 상기 중심 실리콘 부품과 실리콘 조각 사이의 조인트 근처에 형성된 단차가지는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 32]
제31항에 있어서,상기 링 형상의 백킹판은 상기 전극 상판을 통해 상기 링 형상의 백킹판으로 연장하는 스크류에 의해 상기 전극 상판에 고정되는, 교체가능한전극.
[청구항 33]
제31항에 있어서,상기 복수개의 전극 조각은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 또는 실리콘 카바이드로 형성되는, 교체가능한전극.
[청구항 34]
제31항에 있어서,상기 백킹판은 흑연 또는 실리콘 카바이드로 형성되는, 교체가능한전극.
[청구항 35]
제1항에 있어서,상기 실리콘 조각은 단일 링형성하는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
[청구항 36]
제21항에 있어서,상기 실리콘 조각은 단일 링형성하는,플라즈마 반응 챔버용 다중부재 전극.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
플라즈마 공정 시스템에서 중심 실리콘 부품과 실리콘 조각 사이의 환형부에서 가스 흐름을 방지하기 위해 포함되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation플라즈마 공정 시스템 내 중심 실리콘 부품과 실리콘 조각 사이의 환형부에서 가스 흐름을 방지하는 구성 요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 20에서 중심 실리콘 부품과 실리콘 조각 사이의 환형부에서의 가스 흐름을 방지하기 위한 구성 요소에 대한 언급을 추출한다.
- 상기 중심 실리콘 부품과 상기 실리콘 조각 사이의 환형부에서의 가스 흐름을 방지하기 위한 밀봉링
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 조건(환형부, 가스 흐름 방지)과 일치하는 '밀봉링' 구절을 선택한다.
- 상기 중심 실리콘 부품과 상기 실리콘 조각 사이의 환형부에서의 가스 흐름을 방지하기 위한 밀봉링
-
4논리 통합
logical_integration청구항 20의 내용을 바탕으로, 해당 목적을 달성하기 위한 구성 요소가 '밀봉링'임을 확인한다.
- 상기 중심 실리콘 부품과 상기 실리콘 조각 사이의 환형부에서의 가스 흐름을 방지하기 위한 밀봉링
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5결론 도출
conclusion_formulation가스 흐름을 방지하기 위해 포함되는 구성 요소는 밀봉링이다.
- 상기 중심 실리콘 부품과 상기 실리콘 조각 사이의 환형부에서의 가스 흐름을 방지하기 위한 밀봉링
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6답변 생성
answer_generation추출된 핵심 단어인 '밀봉링'을 최종 답변으로 생성한다.
- 밀봉링
최종 답변 (final_answer)
밀봉링
핵심 해석 (core_interpretation)
플라즈마 공정 시스템에서 중심 실리콘 부품과 실리콘 조각 사이의 틈새(환형부)를 밀봉링으로 차단하여 가스 누출을 방지하는 기술에 관한 것이다.