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게르마늄 광검출기 document_id 1020047020637

출원번호
1020047020637
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 기판; 및 상기 기판에서 성장되고 정해진 온도 범위에서 어닐링되는 복수의 ge 에피층을 포함하는 광검출기 소자로서, 상기 ge 에피층은 광검출기 소자가 c-밴드와 l-밴드에서 효과적으로 작동하도록 하는 인장 변형된 ge층을 형성하는 광검출기 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기ge 에피층이 1 마이크론두께인광검출기 소자. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기ge 에피층이 대략 0.5 마이크론두께인광검출기 소자. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 인장 변형된 ge층이 인장 변형하에서 대략 0.2% 밴드갭 감소나타내는광검출기 소자. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 인장 변형된 ge층이 인장 변형하에서 대략 0.2% 및 0.32% 사이의 밴드갭 감소나타내는광검출기 소자. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 기판이실리콘 기판인광검출기 소자. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,피층이 700℃에서 상기 실리콘 기판상성장되는광검출기 소자. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,피층이 대략 600℃ 이상의 온도에서 상기 실리콘 기판상성장되는광검출기 소자. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,피층이 700℃ 내지 900℃사이의 정해진 온도어닐링되는광검출기 소자. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,피층이 900℃의 상기 정해진 온도에서등온성어닐링사용하여어닐링되는광검출기. [청구항 21] 기판; 및 sige 구조물을 형성하기 위하여 고온에서 상기 기판상에 성장되는 복수의 sige 에피층을 포함하는 광검출기 소자로서, 상기 sige 에피층이 바이-메탈 효과(bi-metal effect)를 사용하여 sige 구조물을 실온으로 냉각함으로써 인장 변형된 sige층을 형성하고, 상기 인장 변형된 sige층은 광검출기가 c-밴드와 l-밴드에서 효과적으로 작동하게 하는 광검출기 소자 [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기sige 에피층이 1 마이크론두께인광검출기 소자. [청구항 23] 제 21 항에 있어서,상기sige 에피층이 대략 0.5 마이크론두께인광검출기 소자. [청구항 24] 제 21 항에 있어서,상기 인장 변형된 sige층이 인장 변형하에서 대략 0.2% 및 0.32% 사이의 밴드갭 감소나타내는광검출기 소자. [청구항 25] 제 21 항에 있어서,상기 기판이실리콘 기판인광검출기 소자. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,피층이 700℃에서 상기 실리콘 기판상성장되는광검출기 소자. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,피층이 1330℃의 상기 정해진 온도에서등온성어닐링사용하여어닐링되는광검출기 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
게르마늄(Ge) 에피층을 포함하는 광검출기 소자에서, 인장 변형된 Ge층이 c-밴드와 l-밴드에서 효과적으로 작동하도록 하기 위해 수행되는 공정은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    게르마늄(Ge) 에피층을 포함하는 광검출기에서 c-밴드와 l-밴드 작동을 위한 인장 변형된 Ge층을 형성하는 공정을 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 Ge 에피층이 정해진 온도 범위에서 어닐링되어 인장 변형된 Ge층을 형성한다고 명시되어 있다.

    • 상기 기판에서 성장되고 정해진 온도 범위에서 어닐링되는 복수의 ge 에피층을 포함하는 광검출기 소자로서, 상기 ge 에피층은 광검출기 소자가 c-밴드와 l-밴드에서 효과적으로 작동하도록 하는 인장 변형된 ge층을 형성
  3. 3근거 선택evidence_selection

    인장 변형된 Ge층을 형성하여 c-밴드와 l-밴드 작동을 가능하게 하는 핵심 공정인 '정해진 온도 범위에서 어닐링' 구절을 선택한다.

    • 정해진 온도 범위에서 어닐링되는 복수의 ge 에피층
  4. 4논리 통합logical_integration

    Ge 에피층을 정해진 온도 범위에서 어닐링하는 공정이 인장 변형된 Ge층을 형성하며, 이것이 c-밴드와 l-밴드에서의 효과적인 작동을 가능하게 함을 연결한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    수행되는 공정은 Ge 에피층을 정해진 온도 범위에서 어닐링하는 것이다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
정해진 온도 범위에서 어닐링되는 복수의 ge 에피층을 포함하는 공정
핵심 해석 (core_interpretation)
게르마늄(Ge) 에피층을 특정 온도 범위에서 어닐링함으로써 인장 변형을 유도하여, 광검출기가 c-밴드 및 l-밴드 영역에서 효과적으로 작동할 수 있도록 하는 기술이다.