문맥 (context)
[청구항 1]
제1활성영역과 상기 제1활성영역에 비해 단차가 높은 제2활성영역을 갖는 반도체 기판
상기 반도체기판의 전면에 형성된 게이트절연막
상기 게이트절연막 상에서 일측면은 상기 제1활성영역의 일부분까지 연장되고 타측면은 상기 제2활성영역의 일부분까지 연장되되 에피택셜실리콘층, 게이트메탈막 및 게이트하드마스크의 순서로 적층된 리세스게이트
상기 리세스게이트의 양측벽에 형성된 게이트스페이서
상기 게이트스페이서 일측의 상기 제1활성영역 내에 형성되어 스토리지노드가 연결되는 제1셀접합; 및
상기 게이트스페이서 타측의 상기 제2활성영역 내에 형성되어 비트라인이 연결되는 제2셀접합
을 포함하는 반도체소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 리세스게이트에서,상기에피택셜실리콘층두께인것을특징으로 하는반도체소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 게이트메탈막은, 에피택셜성장된 w, wn, tin, ti, pt, ir, iro2, ru 또는 rb중선택되는것을특징으로 하는반도체소자.
[청구항 4]
제3항에 있어서,상기 게이트메탈막은,두께인것을특징으로 하는반도체소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체소자의 리세스게이트를 구성하는 적층 구조의 순서는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation반도체소자의 리세스게이트를 구성하는 적층 구조의 순서를 추출하는 과업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 리세스게이트의 구성 요소와 적층 순서에 관한 정보를 확인한다.
- 에피택셜실리콘층, 게이트메탈막 및 게이트하드마스크의 순서로 적층된 리세스게이트
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3근거 선택
evidence_selection적층 순서를 명시적으로 나타내는 구절을 선택한다.
- 에피택셜실리콘층, 게이트메탈막 및 게이트하드마스크의 순서로 적층된 리세스게이트
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4논리 통합
logical_integration추출된 구절을 바탕으로 적층 순서가 에피택셜실리콘층, 게이트메탈막, 게이트하드마스크임을 파악한다.
- 에피택셜실리콘층, 게이트메탈막 및 게이트하드마스크의 순서로 적층된 리세스게이트
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 적층 순서를 정리한다.
- 에피택셜실리콘층, 게이트메탈막 및 게이트하드마스크
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 생성한다.
- 에피택셜실리콘층, 게이트메탈막 및 게이트하드마스크
최종 답변 (final_answer)
에피택셜실리콘층, 게이트메탈막 및 게이트하드마스크
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 에피택셜실리콘층, 게이트메탈막, 게이트하드마스크가 순차적으로 적층된 리세스게이트 구조를 포함하는 반도체소자에 관한 것이다.