문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 반도체 기판은 n형 기판이고, 상기 소노스 메모리 셀의 액티브 영역은 3층의 도핑층으로 형성되어 있고, 상기 소노스 메모리 셀의 소스 영역 및 드레인 영역은 p형불순물도핑되어있는것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 액티브 영역은 반도체 기판에 형성된 n형 웰(well) 내부에 3층의 도핑층으로 형성되어 있고, 상기 소노스 메모리 셀의 소스 영역 및 드레인 영역은 p형불순물도핑되어있는것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 액티브 영역은 반도체 기판에 형성된 n형 웰(well) 내부에 2층의 도핑층으로 형성되어 있고, 상기 소노스 메모리 셀의 소스 영역 및 드레인 영역은 p형불순물도핑되어있는것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
[청구항 5]
제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 게이트는 p형 불순물이 도핑된폴리실리콘인것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
[청구항 6]
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 액티브 영역을 형성하는 3층의 도핑층은 기판 상부로부터 문턱전압조절층, 터널링발생유도층 및 애벌런치발생유도층구성된것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
[청구항 7]
제 4 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 액티브 영역을 형성하는 2층의 도핑층은 기판 상부로부터문턱전압조절층과터널링발생유도층구성된것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
[청구항 8]
제 6 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 문턱전압조절층은 p형 불순물로 기판 상단에 얇게 도핑되어 형성된 층이고, 상기 소노스 메모리 셀의 애벌런치발생유도층은 n형 불순물로 상기 소스/드레인 영역 이하로 깊고 넓게 도핑되어 형성된 층이며, 상기 소노스 메모리 셀의 터널링발생유도층은 상기 문턱전압조절층과 애벌런치발생유도층 사이에서 상기 애벌런치발생유도층의 불순물과 같거나 보다 무거운 n형 불순물로 상기 소스/드레인 영역과 pn접합을 이루도록 도핑되어 형성된층인것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
[청구항 9]
제 7 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 문턱전압조절층은 p형 불순물로 기판 상단에 얇게 도핑되어 형성된 층이고, 상기 소노스 메모리 셀의 터널링발생유도층은 상기 문턱전압조절층 아래에서 상기 n형 웰(well)의 불순물과 같거나 보다 무거운 n형 불순물로 상기 소스/드레인 영역과 pn접합을 이루도록 도핑되어 형성된층인것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
[청구항 10]
제 8 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 문턱전압조절층의 p형 불순물은 붕소(b) 또는 인듐(in)으로 하고, 상기 소노스 메모리 셀의 애벌런치발생유도층의 n형 불순물은 인(p) 또는 비소(as)로 하며, 상기 소노스 메모리 셀의 터널링발생유도층의 n형 불순물은 상기 애벌런치발생유도층의 불순물이 인(p)일 경우에는 비소(as) 또는 안티몬(sb)으로, 상기 애벌런치발생유도층의 불순물이 비소(as)일 경우에는안티몬한것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
[청구항 11]
제 9 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 문턱전압조절층의 p형 불순물은 붕소(b) 또는 인듐(in)으로 하고, 상기 소노스 메모리 셀의 터널링발생유도층의 n형 불순물은 상기 n형 웰(well)의 불순물이 인(p)일 경우에는 비소(as) 또는 안티몬(sb)으로, 상기 n형 웰(well)의 불순물이 비소(as)일 경우에는안티몬한것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
[청구항 12]
제 8 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 애벌런치발생유도층의 n형 불순물의 피크 도핑농도는 5×1017/cm3 이상이고, 상기 소노스 메모리 셀의 터널링발생유도층의 n형불순물의피크도핑농도3이상인것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
[청구항 13]
제 9 항에 있어서,상기 소노스 메모리 셀의 n형 웰(well) 불순물의 피크 도핑농도는 5×1017/cm3 이상이고, 상기 소노스 메모리 셀의 터널링발생유도층의 n형불순물의피크도핑농도3이상인것을특징으로 하는낸드(nand)형 플래시 메모리 어레이.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
소노스 메모리 셀의 액티브 영역이 3층의 도핑층으로 구성된 경우, 기판 상부로부터 각 층이 어떠한 순서로 배치되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation소노스 메모리 셀의 액티브 영역이 3층의 도핑층으로 구성될 때, 기판 상부로부터의 배치 순서를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6에서 3층의 도핑층 구성 요소와 기판 상부로부터의 순서에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 소노스 메모리 셀의 액티브 영역을 형성하는 3층의 도핑층은 기판 상부로부터 문턱전압조절층, 터널링발생유도층 및 애벌런치발생유도층구성된것을특징으로 하는
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3근거 선택
evidence_selection3층 도핑층의 명칭과 배치 순서가 명시된 구절을 선택한다.
- 기판 상부로부터 문턱전압조절층, 터널링발생유도층 및 애벌런치발생유도층구성된것
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 기판 상부에서 하부로 이어지는 순서를 정리한다 (문턱전압조절층 → 터널링발생유도층 → 애벌런치발생유도층).
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구한 배치 순서를 리스트 형식으로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
1. 문턱전압조절층, 2. 터널링발생유도층, 3. 애벌런치발생유도층
핵심 해석 (core_interpretation)
소노스 메모리 셀의 액티브 영역을 구성하는 3층 도핑층의 수직적 적층 구조(문턱전압조절층, 터널링발생유도층, 애벌런치발생유도층 순)를 정의하고 있다.