드라이에칭방법 및 그 장치 document_id 1020050016386

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 가스도입수단으로서, 제 1 c/f 비의 플로로카본가스를 도입하는 제 1 가스도입수단과, 상기 제 1 플로로카본가스보다도 c/f 비가 낮은 제 2 플로로카본가스를 도입하는 제 2 가스도입수단과, 상기 제 1 가스도입수단과 제 2 가스도입수단을 전환하는 수단을 가지고, 피가공 시료의 온도가 에칭 개시로부터 일정값에 도달하기까지의 시간은 상기 제 2 가스도입수단에 의해 에칭가스를 진공용기 내에 도입하고, 상기 피가공 시료의 온도가 일정값에 도달한 후에는 상기 제 1 가스도입수단으로 전환하여에칭가스공급하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 가스도입수단으로서 cxfy 가스를 상기 진공용기 내에 도입하는 수단과, 상기 도입되는 cxfy 가스의 유량을 제어하는 수단을 가지고, 피가공 시료의 온도가 에칭 개시로부터 일정값에 도달하기까지의 시간에 상기 진공용기 내에 공급하는 cxfy 가스의 유량을, 상기 피가공 시료의 온도가 일정값에 도달한 후에 상기 진공용기 내에 공급하는 cxfy가스의유량설정하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 가스도입수단으로서 희석가스로 이루어지는 희석가스를 상기 진공용기 내에 도입하는 수단과, 상기 도입되는 희석가스로 이루어지는 희석가스의 유량을 제어하는 수단을 가지고, 피가공 시료의 온도가 에칭 개시로부터 일정값에 도달하기까지의 시간에 상기진공용기 내에 공급하는 희석가스로 이루어지는 희석가스의 유량을, 상기 피가공 시료의 온도가 일정값에 도달한 후에 상기 진공용기 내에 공급하는 희석가스로 이루어지는희석가스의유량설정하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 가스도입수단으로서 산소가스 또는 질소가스를 상기 진공용기 내에 도입하는 수단과, 상기 도입되는 산소가스 또는 질소가스의 유량을 제어하는 수단을 가지고,피가공 시료의 온도가 에칭개시로부터 일정값에 도달하기까지의 시간에 상기 진공용기 내에 공급하는 산소가스 또는 질소가스의 유량을, 상기 피가공 시료의 온도가 일정값에 도달한 후에 상기 진공용기 내에 공급하는산소가스또는질소가스의유량설정하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 6] 제 2항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 가스도입수단으로부터 제 1 가스도입수단으로의 전환 타이밍, 내지 cxfy 가스의 유량 전환의 타이밍, 내지 희석가스로 이루어지는 희석가스의 유량 전환의 타이밍, 내지 산소가스 또는 질소가스의 유량 전환의 타이밍을, 플라즈마 중의 래디컬량에 따라다시실행하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 7] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,플라즈마 중의 래디컬량에 따라 피처리 기판과 피처리 기판을 설치하는 전극의 사이에 봉입하는 가스압력 및 그시간제어하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 8] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,피처리 기판 온도를 모니터하는 수단을 가지고, 플라즈마 중의 래디컬량 및 피처리 기판 온도에 따라 피처리 기판과 피처리 기판을 설치하는 전극의 사이에 봉입하는 가스압력 및 그시간제어하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 9] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 피가공 시료를 진공용기 내에 반입한 후에 소정의 처리를 행하기 전에, 상기 피가공 시료의 예비가열을 행하는기구가지는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 10] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,피처리 기판을 설치하는 전극에 온도제어 가능한히터조립되어있는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 11] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,피처리 기판을 가열할 수 있는광원구비하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 12] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,피처리 기판 온도를 모니터하는 수단으로서, 상기 피처리 기판과 대향하는 위치에 비접촉식 온도계를 가지고, 플라즈마 중의 래디컬량 및 피처리 기판 온도에 따라 피처리 기판과 피처리 기판을 설치하는 전극의 사이에 봉입하는 가스압력 및 그시간제어하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 13] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,피처리 기판 온도를 모니터하는 수단으로서, 진공용기 측벽에 비접촉식 온도계를 가지고, 플라즈마 중의 래디컬량 및 상기 비접촉식 온도계로 측정한 피처리 기판 온도에 따라 피처리 기판과 피처리 기판을 설치하는 전극의 사이에 봉입하는 가스압력 및 그시간제어하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 14] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,피처리 기판 온도를 모니터하는 수단으로서, 상기 피처리기판을 설치하는 전극에 비접촉식 온도계 또는 접촉식 온도계를 가지고, 플라즈마 중의 래디컬량 및 상기 비접촉식 온도계 또는 접촉식 온도계가 측정한 피처리 기판 온도에 따라 피처리 기판과 피처리 기판을 설치하는 전극의 사이에 봉입하는 가스압력 및 그시간제어하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 15] 제 12항에 있어서,비접촉식 온도계를 피처리 기판과 대향하는 위치에 설치된가스도입용평판의이면설치하는것을특징으로 하는드라이에칭장치. [청구항 16] 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,플라즈마를 형성하기 위한 고주파 전력, 피처리 기판에 인가하는 고주파 전력, 피처리 기판을 설치하는 전극구조, 상기 전극의 냉각기구 중, 적어도 하나 이상의 항목을 고려하여 처리개시로부터의 피처리 기판 온도의 시간 의존성을 계산에 의하여 예측하여, 원하는 피처리 기판 온도의 시간 의존성이 되도록 피처리 기판과 피처리 기판을 설치하는 전극의 사이에 봉입하는 가스압력 및 그시간제어하는것을특징으로 하는드라이에칭장치.