문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 게이트 전극과 워드 라인nan은일체형성된것을특징으로 하는디램 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 커패시터의 스토리지 전극은 상기 다중 터널 접합 구조물의 상부면 및 하부면 중 어느 한면과일체형성된것을특징으로 하는디램 장치.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 커패시터는, 기판 상에 구비되고 상기 기판 표면과 수직한 방향으로 연장되는 기둥들을 갖는 플레이트 전극;상기 플레이트 전극의 기둥의 측벽 및 기판에 구비되는 커패시터 유전막; 및 상기 커패시터 유전막 상에 상기 기둥들 사이가 상기 도전 물질이 매립된형상스토리지 전극으로이루어지는것을특징으로 하는디램 장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 스토리지 전극은 불순물이 도핑된폴리실리콘물질로이루어진것을특징으로 하는디램 장치.
[청구항 7]
제5항에 있어서,상기 플레이트 전극은 상기 기판과 접하는 제1 패턴과, 상기 제1 패턴의 가장자리를 따라 구비되고 상기 제1 패턴의 상부면과 수직한 방향으로 세워지는기둥형상제2패턴으로이루어진것을특징으로 하는디램 장치.
[청구항 8]
제5항에 있어서,상기 커패시터의 플레이트 전극 상부에는 기생 커패시턴스를 감소시키기 위한추가절연막더구비된것을특징으로 하는디램 장치.
[청구항 9]
제4항에 있어서,상기 기판 및 커패시터 사이에하부도전막더구비된것을특징으로 하는디램 장치.
[청구항 10]
제4항에 있어서,상기 커패시터의 사이에 상기 제2 방향의 라인 형상을 갖는소자분리막패턴구비된것을특징으로 하는디램 장치.
[청구항 11]
제4항에 있어서,상기 다중 터널 접합 구조물은, 제1 내지 제n 도전막 패턴(n은 2 이상의 정수) 및 상기 제1 내지 제n 도전막 패턴들 사이에 구비되는 1 내지 제n-1 비 도전막 패턴을 포함하고,상기 제1 및 제n 도전막 패턴은 제1 타입의 불순물이 도핑된 폴리실리콘으로 이루어지고, 상기 제1 및 제n 도전막 패턴 사이에 구비되는 도전막 패턴은 제1 타입과 다른 제2 타입의 불순물이 도핑된폴리실리콘으로이루어지는것을특징으로 하는디램 장치.
[청구항 12]
제11항에 있어서,상기 제1 도전막 패턴nan은상기커패시터의스토리지 전극과일체형성된것을특징으로 하는디램 장치.
[청구항 13]
제4항에 있어서,상기 비도전막 패턴은 실리콘 질화물,실리콘 산화물및금속 산화물중적어도하나포함하는것을특징으로 하는디램 장치.
[청구항 14]
제4항에 있어서,상기 비트 라인 상에는하드마스크패턴더구비된것을특징으로 하는디램 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 5항 및 11항의 내용을 바탕으로, 디램 장치의 다중 터널 접합 구조물 내에서 제1 및 제n 도전막 패턴과 그 사이에 구비되는 도전막 패턴의 불순물 도핑 특성 차이는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation청구항 5항과 11항을 참조하여 다중 터널 접합 구조물 내 제1 및 제n 도전막 패턴과 그 사이의 도전막 패턴 간 불순물 도핑 특성 차이를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 11항에서 제1 내지 제n 도전막 패턴과 그 사이의 도전막 패턴에 대한 정보를 추출한다.
- 상기 제1 및 제n 도전막 패턴은 제1 타입의 불순물이 도핑된 폴리실리콘으로 이루어지고, 상기 제1 및 제n 도전막 패턴 사이에 구비되는 도전막 패턴은 제1 타입과 다른 제2 타입의 불순물이 도핑된폴리실리콘으로이루어지는것을특징으로 하는디램 장치.
-
3근거 선택
evidence_selection도핑 특성 차이를 명시한 청구항 11항의 핵심 구절을 선택한다.
- 제1 및 제n 도전막 패턴은 제1 타입의 불순물이 도핑된 폴리실리콘으로 이루어지고, 상기 제1 및 제n 도전막 패턴 사이에 구비되는 도전막 패턴은 제1 타입과 다른 제2 타입의 불순물이 도핑된폴리실리콘으로이루어지는것
-
4논리 통합
logical_integration제1 및 제n 패턴은 '제1 타입'의 불순물을 가지며, 그 사이의 패턴은 '제2 타입'의 불순물을 가진다는 점을 결합하여 차이점을 도출한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation제1 및 제n 도전막 패턴은 제1 타입의 불순물이 도핑된 폴리실리콘인 반면, 그 사이의 도전막 패턴은 제1 타입과 다른 제2 타입의 불순물이 도핑된 폴리실리콘이라는 결론을 내린다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대해 도핑 타입의 차이를 명확히 기술하여 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
디램 장치의 다중 터널 접합 구조물 내에서 제1 및 제n 도전막 패턴은 제1 타입의 불순물이 도핑된 폴리실리콘으로 이루어져 있는 반면, 제1 및 제n 도전막 패턴 사이에 구비되는 도전막 패턴은 제1 타입과 다른 제2 타입의 불순물이 도핑된 폴리실리콘으로 이루어져 있어 불순물 도핑 특성에 차이가 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
다중 터널 접합 구조물 내의 도전막 패턴들을 서로 다른 타입의 불순물로 도핑된 폴리실리콘으로 구성하여 전기적 특성을 제어하는 기술이다.