이미지 센서 및 그 제조 방법. document_id 1020050026274

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 반사 방지막 패턴nan은실리콘산질화물실리콘 질화물로이루어진것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 절연막 패턴 구조물은 실리콘 산화막 패턴 및 실리콘 질화막 패턴이 적층된구조갖는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 포토다이오드와 대응하는 부위의 실리콘 질화막 패턴은 500å보다 얇은두께갖는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 기판 상에는 게이트 측벽에 스페이서를 갖는트랜지스터더구비되는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제1 영역은 액티브 픽셀 어레이들이 구비되는 액티브 픽셀 센서 영역이고, 상기 제2 영역은 주변 회로 및 로직 회로들이 형성되어 있는주변영역인것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 투명 절연막 패턴은 상기 제1 층간 절연막 구조물 내의 절연 박막보다 높은 굴절율을 갖는물질로이루어진것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 9] 제6항에 있어서,상기 기판 상에는 게이트 측벽에 스페이서를 갖는트랜지스터더구비되는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 10] 제6항에 있어서,상기 절연막 패턴 구조물은 제1 실리콘 산화막 패턴 및 제1 실리콘 질화막 패턴이 적층된구조갖는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 포토다이오드와 대응하는 부위의 제1 실리콘 질화막 패턴은 500å보다 얇은두께갖는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 12] 제6항에 있어서,상기 절연막 패턴 구조물 상에는, 실리사이드 블로킹용으로 사용되고 상기 포토다이오드와 대응하는 부위가 개구된 형상을 갖는 위한제2실리콘 산화막패턴및제2실리콘 질화막패턴더구비되는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 13] 제6항에 있어서,상기 반사 방지막 패턴 상에는 상기 트랜지스터를 매립하고 상기 제1 개구부와 연통하는 부위가 개구된 형상을 갖는하부절연막패턴더구비되는것을특징으로 하는이미지 센서. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 제1 층간 절연막 구조물은 상기 하부 절연막 패턴 상에 형성된 제1 내지 제n 식각 저지막들 및 상기 제1 내지 제n 식각 저지막들 사이에 적층되어 있는 제1 내지 제n-1 층간 절연막을 포함하고,상기 제1 내지 제n (n은 2 이상의 정수)식각 저지막들 및 제1 내지 제n-1 층간 절연막은 상기 제2 영역에 연장되어 형성되어 상기 제2 층간 절연막 구조물의 하부를 구성하고, 상기 제2 층간 절연막 구조물의 상부는 상기 제2 층간 절연막 구조물의 하부를 구성하는 제n 식각 저지막 상에 형성되어 있는 제1 내지 제m (m은 2이상의 정수) 층간 절연막 패턴 및 상기 층간 절연막 패턴들 사이에 적층되어 있는 제1 내지 제m-1식각저지막패턴포함하는것을특징으로 하는이미지 센서.