문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 알루미나 나노틀의 에지를 덮고 상기 알루미나 나노틀의 중앙부분-센서 영역-을 오픈시키는 커버층을 더 포함하고,상기 전해질용액은 상기 센서영역에 노출된 상기 다중벽 탄소나노튜브와 접촉하는 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 커버층은,포토레지스트, 절연층 또는 폴리머 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 기판층의 표면은 상기 알루미나 나노틀과 본딩을 통해 접속되는 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 기판층은,불순물이 도핑된 실리콘기판과 절연층의 순서로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 실리콘기판은 p형 불순물 또는 n형 불순물이 도핑된 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 7]
제5항에 있어서,상기 알루미나 나노틀 외측의 상기 실리콘기판 내에 소스영역과 드레인영역이 구비된 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 8]
제5항에 있어서,상기 절연층은, 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 기판층은,불순물이 도핑된 실리콘기판, 절연층 및 폴리실리콘의 순서로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 실리콘기판은,p형 불순물 또는 n형 불순물이 도핑된 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기 알루미나 나노틀 외측의 상기 실리콘기판 내에 소스영역과 드레인영역이 구비된 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 12]
제9항에 있어서,상기 절연층은, 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 13]
제1항에 있어서,상기 기판층은,pn 접합인 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 14]
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,용액은,염화칼륨(kcl) 용액, 염화나트륨(nacl) 용액 또는 묽게 희석된 황산(diluted h2so4) 용액 중에서 선택된 어느 하나의 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 15]
제14항에 있어서,용액의 전위를 고정시키기 위한 기준전극이 상기 전해질용액에 연결되는 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 16]
제15항에 있어서,상기 기준전극은, 백금 또는 ag/agcl인 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
[청구항 28]
제25항에 있어서,상기 절연층은, 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
화학적/생물학적 센서위한 탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템에서 기판층이 불순물이 도핑된 실리콘기판, 절연층 및 폴리실리콘의 순서로 적층된 구조일 때, 해당 절연층은 무엇으로 구성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation기판층이 불순물이 도핑된 실리콘기판, 절연층, 폴리실리콘 순으로 적층된 구조일 때, 해당 절연층의 구성 성분을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction기판층의 적층 구조(실리콘기판, 절연층, 폴리실리콘)를 명시한 청구항을 확인한다.
- 상기 기판층은,불순물이 도핑된 실리콘기판, 절연층 및 폴리실리콘의 순서로 적층된 구조
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3근거 선택
evidence_selection해당 적층 구조를 포함하는 청구항 9항과 그에 종속되어 절연층의 성분을 규정하는 청구항 12항을 선택한다.
- 상기 기판층은,불순물이 도핑된 실리콘기판, 절연층 및 폴리실리콘의 순서로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템; 상기 절연층은, 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는 화학적/생물학적 센서위한탄소나노튜브 절연체 반도체 시스템
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4논리 통합
logical_integration청구항 9항의 적층 구조 조건과 청구항 12항의 절연층 구성 정보가 논리적으로 연결된다.
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5결론 도출
conclusion_formulation적층 구조 내의 절연층은 실리콘산화막임을 도출한다.
- 상기 절연층은, 실리콘산화막인 것을 특징으로 하는
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변으로 '실리콘산화막'을 제시한다.
- 실리콘산화막
최종 답변 (final_answer)
실리콘산화막
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 실리콘기판, 실리콘산화막 절연층, 폴리실리콘이 적층된 기판 구조를 포함하는 탄소나노튜브 기반의 화학적/생물학적 센서 시스템에 관한 것이다.