문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 유기 고분자 반도체에서 ar1과 ar2는 하기 화학식 2로 표시되는 것선택되는것을특징으로 하는유기 고분자 반도체 박막의 형성방법.[화학식 2]
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 유기 고분자 반도체는 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 폴리티오펜 유도체인 것을 특징으로 하는 유기 고분자 반도체 박막의 형성방법.[화학식 3][화학식 4]상기 화학식 3과 4에서, r2는 각각 탄소수 1-30의 선형 또는 분지형 알킬기; 탄소수 1-30의 알콕시알킬기; 탄소수 1-30의 실록시기를 포함하는 알킬기; 또는 탄소수 1-30의 퍼플루오로알킬기이고, r3와 r4는 수소; 탄소수 1-12의 선형 또는 분지형 알킬기탄소수 1-12의 알콕시알킬기이며, 0≤ x 003c# 1, 0 003c# y ≤ 1이고, m은 1~12, n은 10~1,000이다.
[청구항 4]
제 3항에 있어서,상기 폴리티오펜 유도체가 하기 화학식 5 내지 11의 화합물로 이루어진군선택된것을특징으로 하는유기 고분자 반도체 박막의 형성방법.[화학식 5][화학식 6][화학식 7][화학식 8][화학식 9][화학식 10][화학식 11]상기 화학식 5 내지 11에서 n은 10 내지 1,000의 정수이다.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 유기 고분자 반도체는 하기 화학식 13으로 표시되는고분자 화합물인것을특징으로 하는유기 고분자 반도체 박막의 형성방법.[화학식 13]상기 화학식 13에서, n은 10 내지 1,000의 정수이다.
[청구항 11]
제 10항에 있어서,상기 게이트 절연층이ba0.33sr0.66tio3 (bst), al2o3, ta2o5, la2o5, y2o3 및 tio2로 이루어진 군으로부터 선택된 강유전성 절연체, pbzr0.33ti0.66o3(pzt), bi4ti3o12, bamgf4, srbi2(tanb)2o9, ba(zrti)o3 (bzt), batio3, srtio3, bi4ti3o12, sio2, sinx 및 alon로 이루어진 군으로부터 선택된 무기 절연체, 또는 폴리이미드(polyimide), bcb(benzocyclobutene), 파릴렌(parylene), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol) 및 폴리비닐페놀(polyvinylphenol)로 이루어진 군으로부터 선택된유기절연체형성되는것을특징으로 하는유기박막 트랜지스터.
[청구항 12]
제 10항에 있어서,상기 기판이 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphthalate: pen), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate: pet), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리노르보넨(polynorbornene) 및 폴리에테르설폰(polyethersulfone: pes)로 이루어진 군으로부터 선택된물질형성되는것을특징으로 하는유기박막 트랜지스터.
[청구항 13]
제 10항에 있어서,상기 게이트 전극 및 소스-드레인 전극이 금(au), 은(ag), 알루미늄(al), 니켈(ni), 크롬(cr) 및 인듐틴산화물(ito)로 이루어진 군으로부터 선택된물질형성되는것을특징으로 하는유기박막 트랜지스터.
[청구항 15]
제 14항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 유기 고분자 반도체에서 ar1과 ar2는 하기 화학식 2로 표시되는 것선택되는것을특징으로 하는유기 고분자 반도체.[화학식 2]
[청구항 16]
제 14항에 있어서,상기 화학식1로 표시되는 유기 고분자 반도체는화학식표시되는것을특징으로 하는유기 고분자 반도체.[화학식 13]상기 화학식 13에서, n은 10 내지 1,000의 정수이다.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
유기박막 트랜지스터의 구성 요소 중 게이트 절연층으로 사용될 수 있는 물질을 강유전성 절연체, 무기 절연체, 유기 절연체의 분류에 따라 각각 나열하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation유기박막 트랜지스터의 게이트 절연층 물질을 강유전성 절연체, 무기 절연체, 유기 절연체 세 가지 분류에 따라 나열하는 과업을 수행한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 11에서 게이트 절연층의 구성 물질과 그 분류(강유전성, 무기, 유기 절연체)를 추출한다.
- 상기 게이트 절연층이ba0.33sr0.66tio3 (bst), al2o3, ta2o5, la2o5, y2o3 및 tio2로 이루어진 군으로부터 선택된 강유전성 절연체, pbzr0.33ti0.66o3(pzt), bi4ti3o12, bamgf4, srbi2(tanb)2o9, ba(zrti)o3 (bzt), batio3, srtio3, bi4ti3o12, sio2, sinx 및 alon로 이루어진 군으로부터 선택된 무기 절연체, 또는 폴리이미드(polyimide), bcb(benzocyclobutene), 파릴렌(parylene), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol) 및 폴리비닐페놀(polyvinylphenol)로 이루어진 군으로부터 선택된유기절연체
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 세 가지 분류에 해당하는 물질 목록을 청구항 11에서 선별한다.
- ba0.33sr0.66tio3 (bst), al2o3, ta2o5, la2o5, y2o3 및 tio2로 이루어진 군으로부터 선택된 강유전성 절연체, pbzr0.33ti0.66o3(pzt), bi4ti3o12, bamgf4, srbi2(tanb)2o9, ba(zrti)o3 (bzt), batio3, srtio3, bi4ti3o12, sio2, sinx 및 alon로 이루어진 군으로부터 선택된 무기 절연체, 또는 폴리이미드(polyimide), bcb(benzocyclobutene), 파릴렌(parylene), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol) 및 폴리비닐페놀(polyvinylphenol)로 이루어진 군으로부터 선택된유기절연체
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4논리 통합
logical_integration추출된 물질들을 강유전성 절연체, 무기 절연체, 유기 절연체 카테고리에 맞춰 분류를 정리한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation각 분류별로 나열된 물질들을 질문의 형식에 맞게 구성한다.
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6답변 생성
answer_generation최종적으로 분류별 물질 목록을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
- 강유전성 절연체: ba0.33sr0.66tio3 (bst), al2o3, ta2o5, la2o5, y2o3, tio2
- 무기 절연체: pbzr0.33ti0.66o3(pzt), bi4ti3o12, bamgf4, srbi2(tanb)2o9, ba(zrti)o3 (bzt), batio3, srtio3, bi4ti3o12, sio2, sinx, alon
- 유기 절연체: 폴리이미드(polyimide), bcb(benzocyclobutene), 파릴렌(parylene), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol), 폴리비닐페놀(polyvinylphenol)
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 유기박막 트랜지스터의 게이트 절연층으로 사용될 수 있는 다양한 물질군(강유전성, 무기, 유기 절연체)을 구체적으로 정의하고 있다.