문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 기판은 p형 기판이고,상기반전층내캐리어전자인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 표면 절연층은 하프늄이 풍부한 하프늄산화막(hf rich-hafnium oxide) 및 지르코늄이 풍부한 지르코늄산화막(zr rich-zirconium oxide)및실리콘 질화막중하나로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 기판은 n형 기판이고,상기반전층내캐리어정공인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 표면 절연층은 알루미늄이 풍부한알루미늄산화막이루어진것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 6]
제 1 항 내지 제 5 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 스페이서는 상기 표면 절연층에 비하여 유전상수가 낮은 절연 물질을 포함하는 것을특징으로하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 7]
제 1 항 내지 제 5 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 패턴 양측의 상기 기판에 형성된 불순물 도핑층을 더 포함하되, 상기 불순물 도핑층은 상기 반전층의 일단에 전기적으로 접속되고, 상기 반전층은상기게이트 패턴아래의채널영역과상기불순물도핑층사이개재된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 스페이서 및 상기 불순물 도핑층을 덮되, 단층 또는 다층인 절연막; 및상기 절연막 상에 배치되되, 상기 절연막을 관통하여 상기 불순물 도핑층을 노출시키는 콘택홀을 채우는 비트 라인을 더 포함하되, 상기 비트라인과 상기 게이트 패턴 사이에 상기 스페이서개재된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,상기 기판은 p형 기판이고,상기반전층내캐리어전자인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 표면 절연층은 하프늄이 풍부한 하프늄산화막(hf rich-hafnium oxide), 지르코늄이 풍부한지르코늄산화막및실리콘질화막중하나로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 12]
제 9 항에 있어서,상기 기판은 n형 기판이고,상기반전층내캐리어정공인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,상기 표면 절연층은 알루미늄이 풍부한알루미늄산화막이루어진것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 14]
제 9 항 내지 제 13 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 스페이서는 상기 표면 절연층에 비하여 유전상수가 낮은절연물질포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 15]
제 9 항 내지 제 13 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 게이트 패턴 양측의 상기 기판에 형성된 불순물 도핑층을 더 포함하되, 상기 불순물 도핑층은 상기 반전층의 일단에 전기적으로 접속되고, 상기 반전층은상기게이트 패턴아래의채널영역과상기불순물도핑층사이배치된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 16]
제 15 항에 있어서,상기 표면 절연층은 옆으로 연장되어상기불순물도핑층상배치된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 17]
제 9 항 내지 제 13 항 중에 어느 한 항에 있어서,상기 표면 절연층 및 상기 반전층은 상기 게이트 패턴에 대향된 방향으로 상기 기판 표면을 따라연장된것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 소자에서 스페이서가 포함하는 절연 물질의 유전상수는 표면 절연층과 비교하여 어떠한 특징을 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation스페이서가 포함하는 절연 물질의 유전상수와 표면 절연층의 유전상수를 비교하여 그 특징을 추출해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 6 및 청구항 14에서 스페이서와 표면 절연층의 유전상수 관계에 대한 기술 내용을 확인한다.
- 상기 스페이서는 상기 표면 절연층에 비하여 유전상수가 낮은 절연 물질을 포함하는 것
-
3근거 선택
evidence_selection스페이서의 유전상수가 표면 절연층보다 낮다는 직접적인 문구를 선택한다.
- 상기 스페이서는 상기 표면 절연층에 비하여 유전상수가 낮은 절연 물질을 포함하는 것
-
4논리 통합
logical_integration스페이서의 유전상수는 표면 절연층의 유전상수보다 낮다는 비교 관계를 도출한다.
- 상기 스페이서는 상기 표면 절연층에 비하여 유전상수가 낮은 절연 물질을 포함하는 것
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 스페이서의 유전상수가 표면 절연층보다 낮음을 확정한다.
- 상기 스페이서는 상기 표면 절연층에 비하여 유전상수가 낮은 절연 물질을 포함하는 것
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 스페이서는 상기 표면 절연층에 비하여 유전상수가 낮은 절연 물질을 포함하는 것
최종 답변 (final_answer)
스페이서는 상기 표면 절연층에 비하여 유전상수가 낮은 절연 물질을 포함한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 반도체 소자에서 스페이서의 유전상수를 표면 절연층보다 낮게 형성하여 소자의 특성을 제어하는 기술적 구성을 포함한다.