문맥 (context)
[청구항 1]
콘택홀을 제공하며 적어도 탄소가 함유된 금속간절연막
상기 콘택홀 에 매립된 금속물질
상기 콘택홀의 상기 금속물질과 상기 금속간절연막의 계면에 위치하는 비정질탄소층
을 포함하는 반도체 소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 비정질탄소층과 상기 금속물질 사이에 형성된 배리어메탈; 및상기 배리어메탈과상기비정질탄소층사이의중간층더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 배리어메탈은,티타늄, 니켈, 텅스텐 또는 코발트 중에서 선택되는전기저항금속인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제2항에 있어서,상기 중간층은,tic, nic, wc 또는 coc중선택되는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 비정질탄소층은,불순물이 도핑되지 않은비정질탄소층인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 금속물질은, 텅스텐, 티타늄, 티타늄나이트라이드, 니켈 또는 코발트 중에서 선택되는 저항이 낮은금속물질인것을특징으로 하는반도체소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1 내지 4를 참조할 때, 비정질탄소층과 금속물질 사이에는 어떠한 층들이 순차적으로 형성되어 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation비정질탄소층과 금속물질 사이에 순차적으로 형성된 층들의 구성을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 비정질탄소층과 금속물질의 관계를 확인하고, 청구항 2에서 그 사이의 층들을 추출한다.
- 상기 비정질탄소층과 상기 금속물질 사이에 형성된 배리어메탈; 및상기 배리어메탈과상기비정질탄소층사이의중간층
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3근거 선택
evidence_selection비정질탄소층과 금속물질 사이의 계층 구조를 나타내는 청구항 2의 구절을 선택한다.
- 상기 비정질탄소층과 상기 금속물질 사이에 형성된 배리어메탈; 및상기 배리어메탈과상기비정질탄소층사이의중간층
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4논리 통합
logical_integration비정질탄소층과 배리어메탈 사이에 중간층이 있고, 배리어메탈이 비정질탄소층과 금속물질 사이에 위치함을 결합하여 순서를 도출한다.
- 상기 배리어메탈과상기비정질탄소층사이의중간층
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5결론 도출
conclusion_formulation금속물질 - 배리어메탈 - 중간층 - 비정질탄소층 순으로 층이 형성되어 있음을 확인한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 비정질탄소층과 금속물질 사이에 있는 층들을 순차적으로 나열한다.
최종 답변 (final_answer)
배리어메탈, 중간층
핵심 해석 (core_interpretation)
비정질탄소층과 금속물질 사이에 배리어메탈과 중간층을 순차적으로 배치하여 반도체 소자의 계면 구조를 형성하는 기술이다.