전자 방출 소자 document_id 1020050067771

[청구항 1] 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과 상기 제1 기판 위에 제1 기판의 일 방향을 따라 형성되는 스캔 전극들과 상기 제1 기판 위에 절연층을 사이에 두고 상기 스캔 전극들과 교차하도록 형성되며, 홀수열 또는 짝수열의 스캔 전극들과 교차 영역을 이루어 서브픽셀 영역을 형성하는 확장부들 및 확장부들 사이에서 확장부보다 작은 폭을 가지는 연결부들을 구비하는 데이터 전극들과 상기 서브픽셀 영역에 형성되는 전자 방출부들과 상기 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층들; 및 상기 형광층들의 어느 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 상기 홀수열의 스캔 전극들과 서브픽셀 영역을 형성하는 데이터 전극과 상기 짝수열의 스캔 전극들과 서브픽셀 영역을 형성하는 데이터 전극이 번갈아 위치하는 전자 방출 소자 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 홀수열의 스캔 전극과 짝수열의 스캔 전극에 걸쳐 삼각형으로 배열된 3개의 서브픽셀이 하나의 화소구성하는전자 방출 소자. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 스캔 전극이 상기 데이터 전극보다 상기 제1 기판멀리 배치되는전자 방출 소자. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 전자 방출부들이 상기 데이터 전극형성되는전자 방출 소자. [청구항 5] 제1항 또는 제4항에 있어서,상기 전자 방출부들이 상기 각각의 서브픽셀 영역에서 원형의 그룹형성되는전자 방출 소자. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 전자 방출부가 카본 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, c60 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질포함하는전자 방출 소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 형광층들이 서로간 소정의 간격을 두고 상기 서브픽셀 영역에 일대일로 대응 배치되며, 상기 각 형광층원형으로 이루어지는전자 방출 소자. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 위치하며 다수의 개구부를 갖는 그리드 전극더욱 포함하는전자 방출 소자. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 그리드 전극의 개구부가 상기 서브픽셀 영역에 일대일로 대응 배치되며, 상기 각 개구부원형으로 이루어지는전자 방출 소자. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 서브픽셀 영역을 서로간 접점을 가지는 원형으로 가정할 때, 상기 개구부의 직경이 서브픽셀 영역 직경의 39% 내지이루어지는전자 방출 소자. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 전자 방출부들이 상기 각각의 서브픽셀 영역에서 원형의 그룹을 이루며 형성되고, 상기 개구부가 상기 전자 방출부들의 원형 그룹과 동일한 직경가지는전자 방출 소자. [청구항 12] 제8항에 있어서,상기 제1 기판과 상기 그리드 전극 사이 및 상기 제2 기판과 상기 그리드 전극 사이에 배치되는 다수의 스페이서들더욱 포함하는전자 방출 소자. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 스페이서들이상기데이터전극들의연결부상부대응하여위치하는전자 방출 소자. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 스페이서들의 평면 형상이 원형, 삼각형 및 사각형 중 어느 하나로 이루어지거나, 한 쌍의 장변과 한쌍의단변중적어도하나오목한모양으로 이루어지는전자 방출 소자.