문맥 (context)
[청구항 2]
제1 항에 있어서,상기 계면 각도는 85 °인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 3]
제1 항에 있어서,상기 다중 반사 방지층의 반사율은 상기 제2 마스크층의 두께에 따라 변화하고,상기 제2 마스크층은 상기 다중 반사 방지층의 반사율이 두 번째 최소가 되는 두께(2차 최소 반사율의 두께)로 형성된 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 4]
제1 항에 있어서,상기 제2 마스크층의 두께는 0.03 ㎛ 이상 0.1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 5]
제4 항에 있어서,상기 제2 마스크층의 두께는 0.1 ㎛인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 6]
제1 항에 있어서,상기 다중 반사 방지층의 반사율은 1 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 7]
제1 항에 있어서,상기pr 패턴 형성시 이용되는 광원의 파장은 193 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 8]
제1 항에 있어서,상기 제2 마스크층의 굴절율은 상기 제2 마스크층의 실리콘 무게함량에 의해 조절되고 흡수율은 상기 제2 마스크층의 염료 함유량에 의해 조절된 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 9]
제8 항에 있어서,상기 제2 마스크층의 실리콘 무게 함량은 30 ％ 이상 40 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 10]
제8 항에 있어서,상기pr 패턴 형성시 광원의 파장은 불화 아르곤(arf) 엑시머레이저에 의한 193 ㎚ 이고, 상기 제2 마스크층의 굴절율은 1.6 이상 1.75 이하이며, 흡수율은 0.1 이상 0.25 이하인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 11]
제10 항에 있어서,상기 제2 마스크층의 굴절율은 1.6이고 흡수율은 0.1인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 12]
제10 항에 있어서,상기 제1 마스크층은 0.1 ㎛ 이상 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 13]
제10 항에 있어서,상기 제1 마스크층의 굴절율은 1.0 이상 2.0 이하이고 흡수율은 0.3 이상 1.0 이하인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 14]
제13 항에 있어서,상기 제1 마스크층은 굴절율 1.0272이고 흡수율 0.5182의 아모퍼스 카본(armorphous carbon layer:acl)층 또는 굴절율 1.46이고 흡수율 0.67의 스핀 온 카본(spin on cabon:soc)층인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 15]
제14 항에 있어서,상기 다중 반사 방지층의 반사율이 1 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 16]
제10 항에 있어서,상기 제1 마스크층은 굴절율 1.5이고 흡수율 0.29의 soc인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 17]
제10 항에 있어서,상기 제1 마스크층은 카본의 무게함량이 80 ％ 이상인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 18]
제1 항에 있어서,상기 다중 반사 방지층 및 포토 레지스트층은 스핀 코팅법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 19]
제1 항에 있어서,상기 다중 반사 방지층은 상기 제1 마스크층 및 제2 마스크층으로 이루어진 이중 반사 방지층(dual barc)인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
[청구항 20]
제1 항에 있어서,상기 피식각층은 실리콘 옥사이드(sio2), 실리콘 나이트라이드(sin), 구리(cu), 알루미늄(al), 텅스텐(w) 또는 텅스텐 실리사이드(w-silicide)인 것을 특징으로 하는 다중 반사 방지층포함한반도체 구조물.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
다중 반사 방지층의 굴절율과 흡수율을 각각 조절하기 위해 제2 마스크층에서 조절되는 성분은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제2 마스크층에서 굴절율과 흡수율을 조절하기 위해 사용되는 성분이 무엇인지 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 8에서 제2 마스크층의 굴절율과 흡수율 조절에 관한 내용을 추출한다.
- 상기 제2 마스크층의 굴절율은 상기 제2 마스크층의 실리콘 무게함량에 의해 조절되고 흡수율은 상기 제2 마스크층의 염료 함유량에 의해 조절된
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3근거 선택
evidence_selection굴절율 조절 성분인 '실리콘 무게함량'과 흡수율 조절 성분인 '염료 함유량'을 근거로 선택한다.
- 상기 제2 마스크층의 굴절율은 상기 제2 마스크층의 실리콘 무게함량에 의해 조절되고 흡수율은 상기 제2 마스크층의 염료 함유량에 의해 조절된
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4논리 통합
logical_integration굴절율은 실리콘 무게함량으로, 흡수율은 염료 함유량으로 각각 조절됨을 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 따라 굴절율 조절 성분은 실리콘 무게함량, 흡수율 조절 성분은 염료 함유량임을 결론짓는다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 성분 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
실리콘 무게함량(굴절율 조절) 및 염료 함유량(흡수율 조절)
핵심 해석 (core_interpretation)
제2 마스크층의 실리콘 무게함량과 염료 함유량을 각각 조절함으로써 다중 반사 방지층의 광학적 특성인 굴절율과 흡수율을 제어할 수 있다.