4-웨이밸브를 포함하는 반도체소자 제조장치, 반도체소자제조장치의 밸브 제어방법 및 이를 이용한 반도체소자의제조방법 document_id 1020050076968

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1 공정가스는 퍼지가스이며, 상기 제3 공정가스는 상기 반응챔버내에서 상기 기판에 반도체소자를 제조하기 위해 반응하는 소오스가스를 포함하는 것임을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 제3 공정가스 공급관의 중간에 연결되며, 제2 공정가스를 공급하는 제2 공정가스 공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 제1 공정가스는 퍼지가스이며, 상기 제2 공정가스는 캐리어가스이며, 상기 제3 공정가스는 상기 반응챔버내에서 상기 기판에 반도체소자를 제조하기 위해 반응하는 소오스가스임을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 5] 제4항에 있어서,상기 제2 공정가스 공급관의 일단에는 제2 공정가스 공급원이 설치되며, 상기 제2 공정가스 공급원과 상기 4-웨이밸브 사이에 제1 단속밸브가 설치되며, 상기 제3 공정가스 공급관의 일단은 상기 4-웨이밸브와 상기 제1 단속밸브 사이의 상기 제2 공정가스 공급관에 연결되고, 상기 제3 공정가스 공급관의 타단에는 제3 공정가스 공급원이 설치되며, 상기 제2 공정가스 공급원과 상기 제1 단속밸브 사이의 상기 제2 공정가스 공급관으로부터 분기되어 상기 제3 공정가스 공급원에 연결되어 상기 제2 공정가스를 상기 제3 공정가스 공급원을 향하여 선택적으로 공급할 수 있는 제2 공정가스 공급관이 추가로 더 설치된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 6] 제4항에 있어서,상기 제3 공정가스와 이종의 제3 공정가스들을 선택적으로 공급할 수 있도록 상기 제2 공정가스 공급관에 상기 제3 공정가스 공급원에 대응하여 상기 이종의 제3 공정가스 공급원들이 병렬적으로 설치된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제2 공정가스 공급관의 일단에는 제2 공정가스 공급원이 설치되며, 상기 제2 공정가스 공급원과 상기 4-웨이밸브 사이에 제1 단속밸브가 설치되며, 상기 제3 공정가스 공급관의 일단은 상기 4-웨이밸브와 상기 제1 단속밸브 사이의 상기 제2 공정가스 공급관에 제2 3-웨이밸브에 의해 연결되고, 상기 제3 공정가스 공급관의 타단에는 제3 공정가스 공급원이 설치되며, 상기 제2 공정가스 공급원과 상기 제1 단속밸브 사이의 상기 제2 공정가스 공급관으로부터 제1 3-웨이밸르를 통하여 분기되어 상기 제3 공정가스 공급원에 연결되어 상기 제2 공정가스를 상기 제3 공정가스 공급원을 향하여 선택적으로 공급할 수 있는 제2 공정가스 공급관이 추가로 더 설치되며,상기 이종의 제3 공정가스 공급관의 일단은 상기 4-웨이밸브와 상기 제2 3-웨이밸브 사이에서 제4 3-웨이 밸브에 의해 연결되며, 상기 이종의 제3 공정가스 공급관의 타단에는 상기 이종의 제3 공정가스 공급원이 설치되며, 상기 제2 공정가스 공급원과 상기 제1 3-웨이밸브 사이에서 제3 3-웨이밸브에 의해 분기되어 상기 제2 공정가스를 상기 이종의 제3 공정가스 공급원을 향하여 선택적으로 공급할 수 있는 제2 공정가스 공급관이 추가로 더 설치된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 단속밸브는 2-웨이 다이아프램 밸브인 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기4-웨이밸브는 4-웨이 다이아프램 밸브인 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기4-웨이 다이아프램 밸브는, 상기 4-웨이 다이아프램 밸브가 폐쇄(close)된 경우, 상기 제1 공정가스는 상기 반응챔버로 공급되고, 상기 제2 공정가스는 상기 바이패스관으로 흘러가며,상기 4-웨이 다이아프램 밸브가 개방(open)된 경우, 상기 제1 공정가스는 상기 반응챔버로 공급되고, 상기 제2 공정가스는 상기 바이패스관으로 흘러가거나 상기 반응챔버로 공급되도록 하는 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기4-웨이 다이아프램 밸브는, 상기 4-웨이 다이아프램 밸브가 폐쇄된 경우, 상기 단속밸브는 개방되어 상기 제1 공정가스는 상기 반응챔버로 공급되고, 상기 제2 공정가스는 상기 바이패스관으로 흘러가며,상기 4-웨이 다이아프램 밸브가 개방된 경우, 상기 단속밸브는 폐쇄되어 상기 제1 공정가스는 상기 반응챔버로 공급되고, 상기 제2 공정가스도 상기 반응챔버로 공급되도록 구성된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기4-웨이 다이아프램 밸브는, 몸체;상기 몸체의 상측에 일정한 공간을 확보할 수 있도록 형성된 하우징;상기 하우징내에 설치된 다이아프램 격판;상기 몸체의 하부에서 상기 제1 공정가스 공급관이 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제1 입구 및 제1 출구를 일직선으로 관통하도록 형성된 제1 수평관통홀;상기 제1 수평관통홀의 중간에서 상기 몸체의 상측 표면으로 수직관통된 제1 수직관통홀;상기 바이패스관과 연결된 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제2 출구와 연결되며 상기 몸체의 상측 표면으로 수직관통된 제2 수직관통홀;상기 제2 공정가스 공급관과 연결된 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제2 입구와 연결되며 상기 몸체의 상측 표면으로 수직관통된 제3 수직관통홀; 및 상기 제2 수직관통홀과 상기 제3 수직관통홀의 상단부간을 연통시키는 제2 수평관통홀;을 포함하는 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 13] 제9항에 있어서,상기4-웨이 다이아프램 밸브는, 몸체;상기 몸체의 상측에 일정한 공간을 확보할 수 있도록 형성된 하우징;상기 하우징내에 설치된 다이아프램 격판;상기 몸체의 하부에서 상기 제1 공정가스 공급관이 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제1 입구 및 제1 출구를 직각으로 관통하도록 형성된 제3 수평관통홀;상기 제3 수평관통홀의 중간에서 상기 몸체의 상측 표면으로 수직관통된 제4 수직관통홀;상기 제2 공정가스 공급관과 연결되는 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제2 입구와 상기 바이패스관과 연결되는 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제2 출구를 직각으로 관통하도록 형성된 제4 수평관통홀;상기 제4 수평관통홀의 중간에서 상기 몸체의 상측 표면으로 수직관통된 제5 수직관통홀;을 포함하는 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 반응챔버내의 가스를 배기하도록 상기 반응챔버에 연결되며, 중간에 배기용 펌프가 설치된 배기관을 더 포함하며, 상기 바이패스관은 상기 배기용 펌프의 전단의 상기 배기관내에 연결되는 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 반도체소자 제조장치는 상기 반응챔버내로 공급되는 공정가스를 이용한 증착 장치 또는 식각 장치인 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 배기관과 상기 바이패스관이 연결되는 지점과 상기 반응챔버 사이의 상기 배기관에 트로틀밸브가 더 설치된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기 제1 캐리어가스 공급관의 일단에는 제1 캐리어가스 공급원이 설치되며, 상기 제1 캐리어가스 공급원과 상기 4-웨이밸브 사이에 제1 단속밸브가 설치되며, 상기 소오스가스 공급관의 일단은 상기 4-웨이밸브와 상기 제1 단속밸브 사이의 상기 제1 캐리어가스 공급관에 연결되고, 상기 소오스가스 공급관의 타단에는 소오스가스 공급원이 설치되며, 상기 제1 캐리어가스 공급원과 상기 제1 단속밸브 사이의 상기 제1 캐리어가스 공급관으로부터 분기되어 상기 소오스가스 공급원에 연결되어 상기 제1 캐리어가스를 상기 소오스가스 공급원을 향하여 선택적으로 공급할 수 있는 제1 캐리어가스 공급관이 추가로 더 설치된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 19] 제16항에 있어서,상기 제3 공정가스와 이종의 제3 공정가스들을 선택적으로 공급할 수 있도록 상기 제2 공정가스 공급관에 상기 제3 공정가스 공급원에 대응하여 상기 이종의 제3 공정가스 공급원들이 병렬적으로 설치된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 제2 공정가스 공급관의 일단에는 제2 공정가스 공급원이 설치되며, 상기 제2 공정가스 공급원과 상기 4-웨이밸브 사이에 제1 단속밸브가 설치되며, 상기 제3 공정가스 공급관의 일단은 상기 4-웨이밸브와 상기 제1 단속밸브 사이의 상기 제2 공정가스 공급관에 제2 3-웨이밸브에 의해 연결되고, 상기 제3 공정가스 공급관의 타단에는 제3 공정가스 공급원이 설치되며, 상기 제2 공정가스 공급원과 상기 제1 단속밸브 사이의 상기 제2 공정가스 공급관으로부터 제1 3-웨이밸르를 통하여 분기되어 상기 제3 공정가스 공급원에 연결되어 상기 제2 공정가스를 상기 제3 공정가스 공급원을 향하여 선택적으로 공급할 수 있는 제2 공정가스 공급관이 추가로 더 설치되며,상기 이종의 제3 공정가스 공급관의 일단은 상기 4-웨이밸브와 상기 제2 3-웨이밸브 사이에서 제4 3-웨이 밸브에 의해 연결되며, 상기 이종의 제3 공정가스 공급관의 타단에는 상기 이종의 제3 공정가스 공급원이 설치되며, 상기 제2 공정가스 공급원과 상기 제1 3-웨이밸브 사이에서 제3 3-웨이밸브에 의해 분기되어 상기 제2 공정가스를 상기 이종의 제3 공정가스 공급원을 향하여 선택적으로 공급할 수 있는 제2 공정가스 공급관이 추가로 더 설치된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 21] 제16항에 있어서,상기 반응가스들이 선택적으로 공급될 수 있도록 상기 반응가스 공급관에 반응가스 공급원이 복수개 병렬적으로 설치된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 22] 제16항에 있어서,상기4-웨이밸브는 4-웨이 다이아프램 밸브인 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기4-웨이 다이아프램 밸브는, 상기 4-웨이 다이아프램 밸브가 폐쇄된 경우, 상기 퍼지가스는 상기 반응챔버로 공급되고, 상기 제1 캐리어가스 또는 상기 소오스가스는 상기 바이패스관으로 흘러가며,상기 4-웨이 다이아프램 밸브가 개방된 경우, 상기 퍼지가스는 상기 반응챔버로 공급되고, 상기 제1 캐리어가스 또는 소오스가스는 상기 바이패스관으로 흘러가거나 상기 반응챔버로 공급되도록 하는 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기4-웨이 다이아프램 밸브는, 상기 4-웨이 다이아프램 밸브가 폐쇄된 경우, 상기 단속밸브는 개방되어 상기 퍼지가스는 상기 반응챔버로 공급되고, 상기 제1 캐리어가스 또는 소오스가스는 상기 바이패스관으로 흘러가며,상기 4-웨이 다이아프램 밸브가 개방된 경우, 상기 단속밸브는 폐쇄되어 상기 퍼지가스는 상기 반응챔버로 공급되고, 상기 제1 캐리어가스 또는 소오스가스는 상기 반응챔버로 공급되도록 구성된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 25] 제22항에 있어서,상기4-웨이 다이아프램 밸브는, 몸체;상기 몸체의 상측에 일정한 공간을 확보할 수 있도록 형성된 하우징;상기 하우징내에 설치된 다이아프램 격판;상기 몸체의 하부에서 상기 퍼지가스 공급관이 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제1 입구 및 제1 출구를 일직선으로 관통하도록 형성된 제1 수평관통홀;상기 제1 수평관통홀의 중간에서 상기 몸체의 상측 표면으로 수직관통된 제1 수직관통홀;상기 바이패스관과 연결된 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제2 출구와 연결되며 상기 몸체의 상측 표면으로 수직관통된 제2 수직관통홀;상기 소오스가스 공급관과 연결된 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제2 입구와 연결되며 상기 몸체의 상측 표면으로 수직관통된 제3 수직관통홀; 및 상기 제2 수직관통홀과 상기 제3 수직관통홀의 상단부간을 연통시키는 제2 수평관통홀;을 포함하는 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 26] 제22항에 있어서,상기4-웨이 다이아프램 밸브는, 몸체;상기 몸체의 상측에 일정한 공간을 확보할 수 있도록 형성된 하우징;상기 하우징내에 설치된 다이아프램 격판;상기 몸체의 하부에서 상기 퍼지가스 공급관이 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제1 입구 및 제1 출구를 직각으로 관통하도록 형성된 제3 수평관통홀;상기 제3 수평관통홀의 중간에서 상기 몸체의 상측 표면으로 수직관통된 제4 수직관통홀;상기 소오스가스 공급관과 연결되는 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제2 입구와 상기 바이패스관과 연결되는 상기 4-웨이 다이아프램 밸브의 제2 출구를 직각으로 관통하도록 형성된 제4 수평관통홀;상기 제4 수평관통홀의 중간에서 상기 몸체의 상측 표면으로 수직관통된 제5 수직관통홀;을 포함하는 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 27] 제16항에 있어서,상기 반도체소자 제조장치는 상기 소오스가스 및 상기 반응가스가 단속적으로 상기 반응챔버로 공급되는 장치인 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 56] 제55항에 있어서,상기 배기관과 상기 바이패스관이 연결되는 지점과 상기 반응챔버 사이의 상기 배기관에 트로틀밸브가 더 설치되며, 상기 각 바이패스관은 중간에 서로 합류된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 57] 제55항에 있어서,제1 캐리어가스 공급관의 일단에는 각기 제1 캐리어가스 공급원들이 설치되며, 상기 제1 캐리어가스 공급원들과 상기 제1 또는 제2 4-웨이밸브 사이에 각기 제1 단속밸브가 설치되며, 상기 제1 또는 제2 소오스가스 공급관의 일단은 상기 제1 또는 제2 4-웨이밸브와 상기 각 제1 단속밸브 사이의 상기 각 제1 캐리어가스 공급관에 연결되고, 상기 제1 또는 제2 소오스가스 공급관의 타단에는 제1 또는 제2 소오스가스 공급원이 설치되며, 상기 각 제1 캐리어가스 공급원과 상기 각 제1 단속밸브 사이의 상기 각 제1 캐리어가스 공급관으로부터 분기되어 상기 제1 또는 제2 소오스가스 공급원에 연결되어 상기 제1 캐리어가스를 상기 제1 또는 제2 소오스가스 공급원을 향하여 선택적으로 공급할 수 있는 각 제1 캐리어가스 공급관이 추가로 더 설치된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 58] 제55항에 있어서,상기 반응가스들이 선택적으로 공급될 수 있도록 상기 반응가스 공급관에 반응가스 공급원이 복수개 병렬적으로 설치된 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 59] 제55항에 있어서,상기제1 및 제2 4-웨이밸브는 4-웨이 다이아프램 밸브인 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치. [청구항 60] 제55항에 있어서,상기 반도체소자 제조장치는 상기 소오스가스 및 상기 반응가스가 단속적으로 상기 반응챔버로 공급되는 장치인 것을 특징으로 하는 4-웨이밸브포함하는반도체소자 제조장치.