에피택셜 기판 및 반도체 소자 document_id 1020050080579

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1 질화갈륨 에피택셜막 내에 마련된 p형 반도체 영역과,상기 p형 반도체 영역 내에 마련된 n형 반도체 영역을 구비하고,상기 제1 질화갈륨 에피택셜막 및 상기 질화갈륨 자립 기판은 n도전형갖는것을특징으로 하는에피택셜 기판. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 제1 질화갈륨 에피택셜막 위에 마련되어 있고 p형 도펀트를 포함하는 제2 질화갈륨 에피택셜막더 구비하는에피택셜 기판. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기p형 도펀트는이온주입에의해도입되어 있는 것인에피택셜 기판. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 제2 질화갈륨 에피택셜막은유기 금속 기상 성장법에의해형성되는 것인에피택셜 기판. [청구항 6] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화갈륨 자립 기판의 상기 제1 면의 면 방위가 (0001)면으로부터 ＋5° 이하 －5°이상범위인것을특징으로 하는에피택셜 기판. [청구항 7] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화갈륨 자립 기판의 상기 제1 면의 면 방위가 (1-100)면 및 (11-20)면 중 어느 한쪽 면으로부터 ＋5° 이하 －5°이상범위인것을특징으로 하는에피택셜 기판. [청구항 8] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화갈륨 자립 기판의 상기 제1 면의 전위 밀도가 1×108 ㎝-2이하인것을특징으로 하는에피택셜 기판. [청구항 9] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화갈륨 자립 기판의 상기 제1 면은 전위 밀도가 1×108 ㎝-2 이하인 제1 영역과, 상기 제1 영역의 전위 밀도보다 큰 전위 밀도를 갖는제2 영역포함하는것을특징으로 하는에피택셜 기판. [청구항 10] 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 질화갈륨 에피택셜막은 hvpe법성장되는것을특징으로 하는에피택셜 기판. [청구항 11] iii족 질화물 반도체층을 포함하는 반도체 소자로서, 제1 면과 상기 제1 면의 반대측인 제2 면을 갖고 있고 1×10 18 ㎝ -3 을 초과하는 캐리어 농도를 갖는 질화갈륨 지지 기체와, 상기 제1 면 위에 마련된 제1 질화갈륨 에피택셜층과, 상기 제2 면 위에 마련된 오믹 전극과, 상기 제1 질화갈륨 에피택셜층 에 마련된 쇼트키 전극 을 구비하고, 상기 제1 질화갈륨 에피택셜층의 두께는 5 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하이며, 상기 제1 질화갈륨 에피택셜층의 캐리어 농도는 1×10 14 ㎝ -3 이상 1×10 17 ㎝ -3 이하이고, 상기 반도체 소자는 쇼트키 다이오드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 [청구항 12] iii족 질화물 반도체층을 포함하는 반도체 소자로서, 제1 면과 상기 제1 면의 반대측인 제2 면을 갖고 있고 1×10 18 ㎝ -3 을 초과하는 캐리어 농도를 갖는 질화갈륨 지지 기체와, 상기 제1 면 위에 마련된 제1 질화갈륨 에피택셜층과, 상기 제2 면 위에 마련된 오믹 전극과, 상기 제1 질화갈륨 에피택셜층 위에 마련되어 있고 p형 도펀트를 포함하는 제2 질화갈륨 에피택셜층과, 상기 제2 질화갈륨 에피택셜층 위에 마련된 오믹 전극 을 구비하고, 상기 질화갈륨 지지 기체는 n 도전형을 나타내고 있으며, 상기 제1 질화갈륨 에피택셜층의 두께는 5 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하이고, 상기 제1 질화갈륨 에피택셜층의 캐리어 농도는 1×10 14 ㎝ -3 이상 1×10 17 ㎝ -3 이하이며, 상기 반도체 소자는 pn 접합 다이오드인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 [청구항 13] iii족 질화물 반도체층을 포함하는 반도체 소자로서, 제1 면과 상기 제1 면의 반대측인 제2 면을 갖고 있고 1×10 18 ㎝ -3 을 초과하는 캐리어 농도를 갖는 질화갈륨 지지 기체와, 상기 제1 면 위에 마련된 제1 질화갈륨 에피택셜층과, 상기 제1 질화갈륨 에피택셜층 내에 마련된 p형 반도체 영역과, 상기 p형 반도체 영역 내에 마련된 n형 반도체 영역과, 상기 n형 반도체 영역 위에 마련된 소스 전극과, 상기 제2 면 위에 마련된 드레인 전극과, 상기 제1 질화갈륨 에피택셜층 에 마련된 절연층과, 상기 절연층 위에 마련된 게이트 전극 을 구비하고, 상기 제1 질화갈륨 에피택셜층의 두께는 5 ㎛ 이상 1000 ㎛ 이하이며, 상기 제1 질화갈륨 에피택셜층의 캐리어 농도는 1×10 14 ㎝ -3 이상 1×10 17 ㎝ -3 이하이고, 상기 반도체 소자는 mis 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 [청구항 14] 제13항에 있어서,상기p형 반도체 영역의 p형 도펀트는이온주입에의해도입되어 있는 것인반도체 소자. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기n형 반도체 영역의 n형 도펀트는이온주입에의해도입되어 있는 것인반도체 소자. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기n형 반도체 영역의 n형 도펀트는이온주입에의해도입되어 있는 것인반도체 소자. [청구항 17] 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화갈륨 지지 기체의 상기 제1 면의 면 방위가 (0001)면으로부터 ＋5° 이하 －5°이상범위인것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 18] 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화갈륨 지지 기체의 상기 제1 면의 면 방위가 (1-100)면 및 (11-20)면 중 어느 한쪽 면으로부터 ＋5° 이하 －5°이상범위인것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 19] 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화갈륨 지지 기체의 상기 제1 면의 전위 밀도가 1×108 ㎝-2이하인것을특징으로 하는반도체 소자. [청구항 20] 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 질화갈륨 지지 기체의 상기 제1 면은 전위 밀도가 1×108 ㎝-2 이하인 제1 영역과, 상기 제1 영역의 전위 밀도보다 큰 전위 밀도를 갖는제2 영역포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.