문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 금속, 금속 질화물, 도핑된반도체물질또는이들의혼합물포함하는것을특징으로 하는비휘발성 유기물 저항 메모리 장치.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 알루미늄(al), 구리(cu), 티타늄 질화물(tin), 티타늄 알루미늄 질화물(tixalynz), 이리듐(ir), 백금(pt), 은(ag), 금(au), 폴리실리콘(poly silicon), 텅스텐(w), 티타늄(ti), 탄탈륨(ta), 탄탈륨 질화물(tan), 텅스텐 질화물(wn)), 니켈(ni), 코발트(co), 크롬(cr), 안티몬(sb), 철(fe), 몰리브덴(mo), 팔라듐(pd). 주석(sn). 지르코늄(zr) 및 아연(zn)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 어느하나포함하는것을특징으로 하는비휘발성 유기물 저항 메모리 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 폴리이미드막은 10 내지 500å의두께갖는것을특징으로 하는비휘발성 유기물 저항 메모리 장치.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제 1 전극은 불순물 영역을 구비한 반도체 기판 상의 층간 절연막 내에 형성되고상기불순물영역과전기적연결된것을특징으로 하는비휘발성 유기물 저항 메모리 장치.
[청구항 6]
제5항에 있어서,상기 기판에는 억세스 트랜지스터가 구비되고, 상기 불순물 영역은 상기 억세스트랜지스터의드레인인것을특징으로 하는비휘발성 유기물 저항 메모리 장치.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 단계는,반도체 기판에 불순물을 도핑하여 불순물 영역을 형성하는 단계;상기 반도체 기판 상에 상기 불순물 영역을 노출시키는 개구부를 갖는 층간 절연막을 형성하는 단계; 및상기 개구부에 도전 물질을 매립시켜 플러그 형상의 제1 전극을 형성하는단계포함하는것을특징으로 하는비휘발성 유기물 저항 메모리 장치의 제조 방법
[청구항 19]
제18항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극 각각은 금속, 금속 질화물, 도핑된 반도체 물질 또는 이들이 적층된구조갖는것을특징으로 하는비휘발성 유기물 저항 메모리 장치.
[청구항 20]
제18항에 있어서,상기 폴리이미드막은 상기 제1 전극의 상부면으로부터 10 내지 500å의두께갖는것을특징으로 하는비휘발성 유기물 저항 메모리 장치.
[청구항 21]
제18항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극 중어느 하나의 전극과 전기적으로 연결되는다이오드더포함하는것을특징으로 하는비휘발성 유기물 저항 메모리 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
비휘발성 유기물 저항 메모리 장치의 제조 방법 중, 제1 전극을 형성하기 위해 수행되는 단계들을 순서대로 기술하는 것은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation비휘발성 유기물 저항 메모리 장치의 제조 방법 중 제1 전극을 형성하는 단계들을 순서대로 추출하는 작업이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 10에서 제1 전극을 형성하는 구체적인 단계들을 확인한다.
- 상기 제1 전극을 형성하는 단계는,반도체 기판에 불순물을 도핑하여 불순물 영역을 형성하는 단계;상기 반도체 기판 상에 상기 불순물 영역을 노출시키는 개구부를 갖는 층간 절연막을 형성하는 단계; 및상기 개구부에 도전 물질을 매립시켜 플러그 형상의 제1 전극을 형성하는단계포함하는것을특징으로 하는
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3근거 선택
evidence_selection제1 전극 형성과 관련된 세 가지 단계(불순물 영역 형성, 층간 절연막 형성, 도전 물질 매립)를 선택한다.
- 반도체 기판에 불순물을 도핑하여 불순물 영역을 형성하는 단계;상기 반도체 기판 상에 상기 불순물 영역을 노출시키는 개구부를 갖는 층간 절연막을 형성하는 단계; 및상기 개구부에 도전 물질을 매립시켜 플러그 형상의 제1 전극을 형성하는단계
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4논리 통합
logical_integration추출된 단계들을 제조 공정의 순서에 따라 논리적으로 연결한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구한 순서대로 단계들을 정리하여 답변을 구성한다.
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6답변 생성
answer_generation리스트 형식으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
1. 반도체 기판에 불순물을 도핑하여 불순물 영역을 형성하는 단계
2. 상기 반도체 기판 상에 상기 불순물 영역을 노출시키는 개구부를 갖는 층간 절연막을 형성하는 단계
3. 상기 개구부에 도전 물질을 매립시켜 플러그 형상의 제1 전극을 형성하는 단계
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 반도체 기판의 불순물 영역을 노출시키는 개구부를 포함하는 층간 절연막을 형성하고, 그 개구부에 도전 물질을 매립함으로써 플러그 형태의 제1 전극을 형성하는 제조 공정을 포함한다.