플라즈마 화학 증착 서셉터 지지 구조 document_id 1020050086458

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,각각의 상기 지지 플레이트는 세라믹 재료로 이루어지는,서셉터지지 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,셉터는 직사각형이며 대면적 기판을 지지하는,서셉터지지 장치. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,하나 이상의 상기 다수의 지지 플레이트는 원 형상을 갖는,서셉터지지 장치. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,하나 이상의 상기 다수의 지지 플레이트는 직사각형 형상을 갖는,서셉터지지 장치. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,개 이상의 상기 다수의 지지 플레이트 중두 개 이상은, 상기 지지 플레이트들 사이의 브랜치 플레이트와 함께 두 개 이상의 지지 샤프트에 연결되는,서셉터지지 장치. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 다수의 지지 샤프트는 하나의 액츄에이터에 연결되며, 상기 장치는,상기 다수의 지지 플레이트와 상기 액츄에이터 사이에서 상기 다수의 지지 샤프트에 연결되는 지지 트러스를 더 포함하는,증착 챔버에서 대면적 기판지지하기 위한장치. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,상기 다수의 지지 샤프트는 두 개 이상의 액츄에이터에 연결되는,증착 챔버에서 대면적 기판지지하기 위한장치. [청구항 10] 제 7 항에 있어서,상기 다수의 지지 샤프트는 두 개 이상의 액츄에이터에 연결되며, 상기 장치는,상기 다수의 지지 플레이트와 하나 이상의 상기 다수의 지지 샤프트 사이에 배치된 하나 이상의 브랜치 플레이트를 더 포함하는,증착 챔버에서 대면적 기판지지하기 위한장치. [청구항 11] 제 7 항에 있어서,상기 다수의 지지 플레이트는 직사각 형상, 원 형상 또는 이들의 조합으로 이루어지는,증착 챔버에서 대면적 기판지지하기 위한장치. [청구항 12] 제 7 항에 있어서,셉터의 중심 영역을 지지하는 액츄에이터에 연결되는 중심 플레이트를 더 포함하는,증착 챔버에서 대면적 기판지지하기 위한장치. [청구항 13] 제 7 항에 있어서,셉터는 알루미늄 재료로 제조되고 상기 다수의 서셉터 지지 플레이트에 의해 지지될 때 평면 수평 프로파일로 지향되는,증착 챔버에서 대면적 기판지지하기 위한장치. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,개 이상의 지지 샤프트는 하나 이상의 수직 액츄에이터와 연통되는,대면적 기판의 평면성조정하기 위한장치. [청구항 16] 제 14 항에 있어서,개 이상의 지지 샤프트에 연결되는 다수의 지지 플레이트를 더 포함하는,대면적 기판의 평면성조정하기 위한장치. [청구항 17] 제 14 항에 있어서,상기 챔버는 진공원, 가스 공급원 및 무선 주파수 전원에 연결되는,대면적 기판의 평면성조정하기 위한장치. [청구항 18] 제 14 항에 있어서,개 이상의 지지 샤프트는 수직 방향으로 이동하며, 상기 수직 이동은 공동으로 제어되는,대면적 기판의 평면성조정하기 위한장치. [청구항 19] 제 14 항에 있어서,개 이상의 지지 샤프트는 수직 방향으로 이동하며, 상기 수직 이동은 개별적으로 제어되는,대면적 기판의 평면성조정하기 위한장치. [청구항 20] 제 14 항에 있어서,셉터는 알루미늄 재료로 제조되며 상기 다수의 서셉터 지지 플레이트에 의해 지지될 때 평면 수평 프로파일로 지향되는,대면적 기판의 평면성조정하기 위한장치. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 하나 이상의 지지 트러스에 연결되는 하나 이상의 액츄에이터를 더 포함하는,증착 챔버에서 대면적 서셉터지지하기 위한장치. [청구항 23] 제 21 항에 있어서,상기 다수의 지지 샤프트에 연결되는 다수의 지지 플레이트를 더 포함하는,증착 챔버에서 대면적 서셉터지지하기 위한장치. [청구항 24] 제 21 항에 있어서,셉터의 외주를 지지하는 다수의 샤프트에 연결된 상기 챔버 외부에 배치되는 제 1 지지 트러스; 및상기 서셉터의 중심 영역을 지지하는 하나 이상의 지지 샤프트에 연결된 상기 챔버 외부에 배치되는 제 2 지지 트러스를 더 포함하는,증착 챔버에서 대면적 서셉터지지하기 위한장치. [청구항 26] 제 25 항에 있어서,셉터는 각각의 지지 샤프트와 연통되는 하나 이상의 지지 플레이트를 포함하는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,각각의 상기 하나 이상의 상기 지지 플레이트는 세라믹 재료로 이루어지는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치. [청구항 28] 제 25 항에 있어서,개 이상의 지지 샤프트는 지지 트러스에 배치되는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치. [청구항 29] 제 25 항에 있어서,상기 수직 액츄에이터는 무빙 블록을 포함하며, 상기 두 개 이상의 지지 샤프트는 상기 무빙 블록에 배치되는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치. [청구항 30] 제 25 항에 있어서,각각의 상기 지지 샤프트는 대응하는 수직 액츄에이터와 직접 연통되는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치. [청구항 31] 제 25 항에 있어서,상기 하나 이상의 수직 액츄에이터는 전기, 유압, 공압 또는 이들의 조합들로부터 선택된 모터를 포함하는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치. [청구항 32] 제 25 항에 있어서,개 이상의 지지 샤프트는 냉각 블록에 의해 냉각되는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치. [청구항 33] 제 25 항에 있어서,개 이상의 지지 샤프트는 상기 챔버 외부의 시일에 의해 둘러싸이는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치. [청구항 34] 제 33 항에 있어서,상기 시일은 냉각 블록을 포함하는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치. [청구항 35] 제 25 항에 있어서,상기 다수의 지지 샤프트는 공동으로 제어되는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치. [청구항 36] 제 25 항에 있어서,상기 다수의 지지 샤프트는 개별적으로 제어되는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치. [청구항 37] 제 25 항에 있어서,상기 지지 샤프트는 상기 서셉터와 접촉하는 하나 이상의 스페이서를 포함하는,플라즈마 화학 증착 시스템에서 다수의 기판조정하기 위한장치.