문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 질화물계 반도체 박막층은 그룹 3족 원소 질화물계 반도체로 구성된희생층포함하는것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
[청구항 3]
제 2항에 있어서,상기 질화물계 반도체 박막층은 상기 희생층상에 형성된평탄층더포함하는것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 지지 기판층은 단층(single layer) 또는 다중층(multi-layer)으로 형성된 물질층을 포함하며, 상기 물질층은 실리콘(si), 알루미늄(al), 질소(n), 탄소(c)중적어도실리콘포함하는것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
[청구항 5]
제 4항에 있어서,상기 지지 기판층은 전도성인 sic, sicn, 및 sicaln중적어도하나의물질층포함하는것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
[청구항 6]
제 5항에 있어서,상기 물질층은 단결정(single crystal), 다결정(poly-crystal), 및 비정질(amorphous) 중 어느 하나로 10 마이크로미터이하의두께갖는것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 발광층은 핵생성층(nucleation layer), 완충층 역할을 하는 언돕드 버퍼링 질화물계층(un-doped buffering nitride-based layer), 제1 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer), 다중양자우물 질화물계 활성층(multi quantum well nitride-based active layer),및제2형질화물계클래드층포함하는것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
[청구항 8]
제 7항에 있어서,상기제1 및 제2 형 중 어느 하나는 n형이고나머지하나인것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
[청구항 9]
제 7항에 있어서,상기 발광층은 상기 언돕드 버퍼링 질화물계층(un-doped buffering nitride-based layer)과 상기 제1 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)의 사이, 및 상기 제2 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)상부 중 적어도 하나에 형성된터널정션층더포함하는것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
[청구항 10]
제 9항에 있어서,상기 터널 정션층은 그룹 3-5족 원소로 구성되는 화합물을 포함하는 50nm 이하 두께의 단층 또는 다중층으로 형성되고, 상기 3-5족 원소로 구성되는 화합물은 알루미늄(al), 인듐(in), 갈륨(ga), 질소(n), 인(p) 및 비소(as)중적어도갈륨포함하는것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
[청구항 11]
제 10항에 있어서,상기 터널 정션층은 ingan/gan, algan/gan, alinn/gan, algan/ingan, alinn/ingan, aln/gan, 및 algaas/ingaas 중 적어도 하나를 포함하는 그룹 3-5족 원소들로 형성된 얇은 적층구조로서 반복적으로 최대 30쌍(30 pairs)까지 적층된슈퍼래티스 구조갖는것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
[청구항 12]
제 11항에 있어서,상기 터널 정션층은 그룹 2족 원소(mg, be, zn) 또는 그룹 4족 원소(si, ge)가 첨가된 단결정(single-crystal), 다결정(poly-crystal), 및 비정질(amorphous)중적어도하나의물질층갖는것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
[청구항 13]
제 9항에 있어서,상기 터널 정션층, 상기 제1 및 제2 형의 질화물계 클래드층 중 적어도 하나의 표면에는 표면 거칠기 및 포토닉크리스탈 효과를 제공하기 위해 10nm 이하 크기의 닷(dot), 홀(hole), 피라미드(pyramid), 나노라드(nano-rod), 및 나노기둥(nano-columnar)중적어도하나형성된것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
발광 소자용 구조체의 발광층 구성 요소 중 터널 정션층이 형성될 수 있는 위치는 어디인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation발광층 구성 요소 중 터널 정션층이 형성될 수 있는 위치를 청구항 문맥에서 찾아 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 9에서 터널 정션층의 형성 위치에 관한 구체적인 설명이 포함되어 있다.
- 상기 발광층은 상기 언돕드 버퍼링 질화물계층(un-doped buffering nitride-based layer)과 상기 제1 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)의 사이, 및 상기 제2 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)상부 중 적어도 하나에 형성된터널정션층더포함하는것을특징으로 하는발광 소자용 구조체.
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3근거 선택
evidence_selection터널 정션층의 위치를 명시한 '언돕드 버퍼링 질화물계층과 제1 형 질화물계 클래드층의 사이' 및 '제2 형 질화물계 클래드층 상부' 구절을 선택한다.
- 상기 언돕드 버퍼링 질화물계층(un-doped buffering nitride-based layer)과 상기 제1 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)의 사이, 및 상기 제2 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)상부 중 적어도 하나
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4논리 통합
logical_integration추출된 정보를 바탕으로 터널 정션층은 두 가지 가능한 위치(언돕드 버퍼링 질화물계층과 제1 형 질화물계 클래드층 사이, 또는 제2 형 질화물계 클래드층 상부) 중 적어도 하나에 형성됨을 파악한다.
- 상기 언돕드 버퍼링 질화물계층(un-doped buffering nitride-based layer)과 상기 제1 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)의 사이, 및 상기 제2 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)상부 중 적어도 하나
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 터널 정션층이 형성될 수 있는 위치를 정리한다.
- 상기 언돕드 버퍼링 질화물계층(un-doped buffering nitride-based layer)과 상기 제1 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)의 사이, 및 상기 제2 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)상부 중 적어도 하나
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6답변 생성
answer_generation추출된 텍스트를 바탕으로 최종 답변을 생성한다.
- 상기 언돕드 버퍼링 질화물계층(un-doped buffering nitride-based layer)과 상기 제1 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)의 사이, 및 상기 제2 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)상부 중 적어도 하나
최종 답변 (final_answer)
상기 언돕드 버퍼링 질화물계층(un-doped buffering nitride-based layer)과 상기 제1 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)의 사이, 및 상기 제2 형 질화물계 클래드층(nitride-based cladding layer)상부 중 적어도 하나
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 발광층 내 특정 층(언돕드 버퍼링 질화물계층, 제1 형 클래드층, 제2 형 클래드층) 사이 또는 상부에 터널 정션층을 배치하여 발광 소자의 구조를 정의한다.