문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 개구부의 면적은 상기 캐소드 촉매층 면적의 20%이상이하인것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 전해질막은 상기 애노드측 표면에요철구조구비하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 요철 구조의 골의 깊이는1내지50미크론범위갖는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 캐소드 촉매층은 그물모양으로이루어지는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 캐소드 촉매층은 복수개의 촉매층으로분할배치되는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 촉매층은 백금, 루테늄, 오스뮴, 백금-루테늄 합금, 백금-오스뮴 합금, 백금-팔라듐 합금 및 백금-m 합금(m은 ga, ti, v, cr, mn, fe, co, ni, cu 및 zn로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전이금속)으로 이루어진 군으로부터 선택되는1종이상의금속 촉매포함하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 촉매층은 담지체에 담지된 백금, 루테늄, 오스뮴, 백금-루테늄 합금, 백금-오스뮴 합금, 백금-팔라듐 합금 및 백금-m 합금(m은 ga, ti, v, cr, mn, fe, co, ni, cu 및 zn로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전이금속)으로 이루어진 군으로부터 선택되는1종이상의금속 촉매포함하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 촉매층은 전체 촉매층의 중량에 대하여 10 내지 80 중량%의금속 촉매포함하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,상기 확산층은 탄소천(carbon cloth) 또는 탄소종이(carbon paper) 중에서 선택되는전극기재구비하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 확산층은 상기 전극 기재의 일면에 위치하는미세기공층을추가적포함하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,상기 미세기공층은 흑연, 탄소나노튜브(cnt), 플러렌(c60), 활성탄소, 벌칸, 케첸블랙, 카본블랙 및 탄소나노혼(carbon nano horn)으로 이루어진 군으로부터 선택되는1종이상의탄소물질포함하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 13]
제 11 항에 있어서,상기 미세기공층은 폴리(퍼플루오로술폰산), 폴리(테트라플루오로에틸렌) 및 플로리네이티드 에틸렌-프로필렌으로 이루어진 군으로부터 선택되는1종이상의바인더포함하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 14]
제 1 항에 있어서,상기 전해질막은 퍼플루오르계 고분자, 벤즈이미다졸계 고분자, 폴리이미드계 고분자, 폴리에테르이미드계 고분자, 폴리페닐렌설파이드계 고분자 폴리술폰계 고분자, 폴리에테르술폰계 고분자, 폴리에테르케톤계 고분자 폴리에테르-에테르케톤계 고분자 및 폴리페닐퀴녹살린계 고분자로 이루어진 군으로부터 선택되는1종이상의수소이온전도성 고분자포함하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 15]
제 1 항에 있어서,상기 전해질막은 폴리(퍼플루오로술폰산), 폴리(퍼플루오로카르복실산), 술폰산기를 포함하는 테트라플루오로에틸렌과 플루오로비닐에테르의 공중합체, 탈불소화된 황화 폴리에테르케톤, 아릴 케톤, 폴리(2,2'-(m-페닐렌)-5,5'-바이벤즈이미다졸)(poly(2,2'-(m-phenylene)-5,5'-bibenzimidazole)) 및 폴리(2,5-벤즈이미다졸)로 이루어진 군으로부터 선택되는1종이상의수소이온전도성 고분자포함하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 16]
제 1 항에 있어서,상기 애노드는함수층더포함하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 17]
제 16 항에 있어서,상기 함수층은 sio2, tio2, 포스포텅스텐산(phosphotungstic acid), 포스포몰리브덴산(phosphomolybdenum acid)또는이들의임의의혼합물포함하는것을특징으로 하는막전극 어셈블리.
[청구항 33]
제 32 항에 있어서,상기 세퍼레이터는,상기 캐소드 상에 위치하며 상기 산화제 유동을 가이드하는 제1 유로를 구비한 제1 플레이트; 및상기 애노드 상에 위치하며 상기 연료 유동을 가이드하는 제2 유로를 구비한제2플레이트포함하는것을특징으로 하는연료전지 시스템.
[청구항 34]
제 33 항에 있어서,상기 제2 유로는 상기 개구부에 대향하여위치하는것을특징으로 하는연료전지 시스템.
[청구항 35]
제 33 항에 있어서,상기 개구부의 폭nan은상기제2유로의폭이상의크기갖는것을특징으로 하는연료전지 시스템.
[청구항 36]
제 32 항에 있어서,상기 개구부의 면적은 상기 캐소드 촉매층 면적의 20%이상이하인것을특징으로 하는연료전지 시스템.
[청구항 37]
제 32 항에 있어서,상기 전해질막은 상기 애노드측 표면에요철구조구비하는것을특징으로 하는연료전지 시스템.
[청구항 38]
제 37 항에 있어서,상기 요철 구조의 골의 깊이nan가1내지50미크론범위가진것을특징으로 하는연료전지 시스템.
[청구항 39]
제 32 항에 있어서,상기 캐소드 촉매층은 그물모양으로이루어지는것을특징으로 하는연료전지 시스템.
[청구항 40]
제 32 항에 있어서,상기 캐소드 촉매층은 복수개의 촉매층으로분할배치되는것을특징으로 하는연료전지 시스템.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
막전극 어셈블리에서 전해질막의 애노드측 표면에 구비되는 요철 구조의 골 깊이는 어느 범위인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation막전극 어셈블리 내 전해질막의 애노드측 표면에 형성된 요철 구조의 골 깊이 범위를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction전해질막의 애노드측 표면에 요철 구조가 구비된다는 내용과 그 골의 깊이에 관한 청구항을 확인한다.
- 상기 전해질막은 상기 애노드측 표면에요철구조구비
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3근거 선택
evidence_selection요철 구조의 골 깊이 수치를 명시하고 있는 청구항 4를 선택한다.
- 상기 요철 구조의 골의 깊이는1내지50미크론범위갖는것
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4논리 통합
logical_integration청구항 3에서 요철 구조의 위치를 정의하고, 청구항 4에서 해당 구조의 깊이 범위를 구체적으로 한정하고 있음을 연결한다.
- 상기 요철 구조의 골의 깊이는1내지50미크론범위갖는것
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5결론 도출
conclusion_formulation요철 구조의 골 깊이는 1내지 50미크론 범위임을 도출한다.
- 1내지50미크론범위
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대한 직접적인 답변으로 범위를 제시한다.
- 1내지50미크론범위
최종 답변 (final_answer)
1내지 50미크론 범위
핵심 해석 (core_interpretation)
막전극 어셈블리의 전해질막 애노드측 표면에 특정 깊이(1~50미크론)를 가진 요철 구조를 형성하여 구조적 특성을 부여하는 기술이다.