문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 비이클은, 하기 화학식 1로 표시되는 유니트와 하기 화학식 2로 표시되는 유니트를 포함하고 1,000 내지 50,000의 중량 평균 분자량을 갖는 수용성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출원 형성용 조성물:<화학식 1><화학식 2>상기 화학식 1 및 2 중,r1 및 r4는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 c1-c20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 c2-c20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 c3-c20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 c6-c20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 c2-c19 헤테로사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 c2-c20 헤테로아릴렌기이고;r2 및 r5는 각각 독립적으로, 결합, 치환 또는 비치환된 c1-c20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 c2-c20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 c3-c20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 c6-c20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 c2-c19 헤테로사이클로알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 c2-c20 헤테로아릴렌기이고;r3 및 r6는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 c1-c20 알킬기, 치환 또는 비치환된 c2-c20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 c3-c20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 c6-c20 아릴기, 치환 또는 비치환된 c2-c19 헤테로사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 c2-c20 헤테로아릴기이고;z는 -oa, -cooa, -so2a, -so2nh2, -so2nhcot1, -t2so2a, -so3a, -po3nh2, -po3a2, -nh2 및 -n(t1)2로 이루어진 군으로부터 선택된 친수성기이고; a는 수소, 알칼리 금속, 또는 q1 및 q2가 각각 독립적으로, 수소, c1-c20 알킬기 또는 c6-c20 아릴기인 -nq1q2이고; t1은 c1-c20 알킬기, c6-c20 아릴기 또는 c2-c20 헤테로아릴기이고; t2는 c1-c20 알킬렌기, c6-c20 아릴렌기 또는 c2-c20 헤테로아릴렌기인전자 방출원 형성용 조성물.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기z가 -oh, -cooh, -so2h, -so2nh2, -so2nhcoch3, -(ch2)so2h, -so3h, -po3nh2, -po3h2, -nh2 및 -n(ch3)2로 이루어진 군으로부터 선택된친수성기인것을특징으로 하는전자 방출원 형성용 조성물.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 친수성기-함유 감광성 수지가 친수성기로 치환된 아크릴레이트계 수지, 벤조페논계 수지, 아세토페논계 수지, 티오크산톤계 수지, 에폭시계 수지 및 우레탄계 수지로 이루어진군선택된것을특징으로 하는전자 방출원 형성용 조성물.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 친수성기-함유 감광성 수지 중 친수성기는 -oa, -cooa, -so2a, -so2nh2, -so2nhcot1, -t2so2a, -so3a, -po3nh2, -po3a2, -nh2 및 -n(t1)2로 이루어진 군으로부터 선택되고; a는 수소, 알칼리 금속, 또는 q1 및 q2가 각각 독립적으로, 수소, c1-c20 알킬기 또는 c6-c20 아릴기인 -nq1q2이고; t1은 c1-c20 알킬기, c6-c20 아릴기 또는 c2-c20 헤테로아릴기이고; t2는 c1-c20 알킬렌기, c6-c20 아릴렌기 또는 c2-c20헤테로아릴렌기인것을특징으로 하는전자 방출원 형성용 조성물.
[청구항 6]
제4항에 있어서,상기 친수성기가 -oh, -cooh, -so2h, -so2nh2, -so2nhcoch3, -(ch2)so2h, -so3h, -po3nh2, -po3h2, -nh2 및 -n(ch3)2로 이루어진군선택된것을특징으로 하는전자 방출원 형성용 조성물.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 친수성기-함유 감광성 수지가 5 내지 20의산가갖는것을특징으로 하는전자 방출원 형성용 조성물.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 수용성 광개시제가 티오크산톤류, 벤조페논류, 벤질류, 히드록실알킬 케톤류 및 페나실(phenacyl) 티오설페이트류로 이루어진 군으로부터 선택된하나이상인것을특징으로 하는전자 방출원 형성용 조성물.
[청구항 12]
서로 대향되게 배치된 제1기판 및 제2기판
상기 제1기판 상에 형성된 캐소드 전극
상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되도록 형성된 전자 방출원
상기 제2기판 상에 형성된 애노드 전극; 및
상기 전자 방출원으로부터 방출된 전자에 의하여 발광하는 형광층
을 구비하고, 상기 전자 방출원은 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
전자 방출원 형성용 조성물에 포함되는 비이클의 구성 성분과 해당 수용성 고분자의 중량 평균 분자량 범위를 기술하시오.
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation전자 방출원 형성용 조성물의 비이클 구성 성분과 포함된 수용성 고분자의 중량 평균 분자량 범위를 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 2에서 비이클이 화학식 1 유니트, 화학식 2 유니트, 그리고 수용성 고분자를 포함함을 확인한다.
- 상기 비이클은, 하기 화학식 1로 표시되는 유니트와 하기 화학식 2로 표시되는 유니트를 포함하고 1,000 내지 50,000의 중량 평균 분자량을 갖는 수용성 고분자를 포함하는
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3근거 선택
evidence_selection비이클의 구성 성분인 화학식 1 및 2 유니트와 수용성 고분자, 그리고 분자량 범위인 1,000 내지 50,000을 선택한다.
- 하기 화학식 1로 표시되는 유니트와 하기 화학식 2로 표시되는 유니트를 포함하고 1,000 내지 50,000의 중량 평균 분자량을 갖는 수용성 고분자
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4논리 통합
logical_integration비이클은 화학식 1 유니트, 화학식 2 유니트, 수용성 고분자로 구성되며, 이때 수용성 고분자의 분자량은 1,000~50,000이다.
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5결론 도출
conclusion_formulation비이클의 구성 성분은 화학식 1 유니트, 화학식 2 유니트, 수용성 고분자이며, 수용성 고분자의 중량 평균 분자량 범위는 1,000 내지 50,000이다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 구성 성분과 분자량 범위를 구조화하여 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
- 비이클 구성 성분: 하기 화학식 1로 표시되는 유니트, 하기 화학식 2로 표시되는 유니트, 수용성 고분자
- 수용성 고분자의 중량 평균 분자량 범위: 1,000 내지 50,000
핵심 해석 (core_interpretation)
전자 방출원 형성용 조성물의 비이클로서 특정 화학식 유니트들과 일정 분자량 범위를 갖는 수용성 고분자의 조합을 정의하고 있다.