문맥 (context)
[청구항 1]
포토 다이오드가 형성된 기판; 및
상기 포토 다이오드의 광전하를 제어하기 위하여 상기 기판 상에 형성된 복수의 트랜지스터를 포함하되,
상기 복수의 트랜지스터 중 서로 동일한 문턱전압 특성을 갖는 트랜지스터의 게이트 전극은 서로 동일한 방향으로 신장되고, 서로 다른 문턱전압 특성을 갖는 트랜지스터의 게이트 전극은 서로 수직한 방향으로 신장되도록 형성된 씨모스 이미지 센서
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 복수의 트랜지스터는 각각 신장된 방향으로 장방향을 갖고, 단방향으로는 상기 포토다이오드와 연결된 액티브 영역중첩되는씨모스 이미지 센서.
[청구항 3]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수의 트랜지스터는,상기 포토 다이오드에서 집속된 광전하를 플로팅 디퓨전 영역으로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터;상기 플로팅 디퓨전 영역의 전위를 원하는 값으로 세팅하고 전하를 배출하여 상기 플로팅 디퓨전 영역을 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터;상기 플로팅 디퓨전 영역에 축적된 전하에 따라 동작하여 소스 팔로워 구성으로 버퍼 증폭기 역할을 하는 드라이브 트랜지스터; 및상기 드라이브 트랜지스터를 통해 증폭된 데이터를 스위칭하여 출력하는 셀렉트 트랜지스터포함하는씨모스 이미지 센서.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 트랜스퍼 트랜지스터 및 상기 리셋 트랜지스터는 서로 동일한 문턱전압 특성갖는씨모스 이미지 센서.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 드라이브 트랜지스터 및 상기 셀렉트 트랜지스터는 서로 동일한 문턱전압 특성을 갖고, 상기 트랜스퍼 트랜지스터 및 상기 리셋 트랜지스터와는 서로 다른 문턱전압 특성갖는씨모스 이미지 센서.
[청구항 6]
제 3 항에 있어서,상기 트랜스퍼 트랜지스터, 상기 리셋 트랜지스터, 상기 드라이브 트랜지스터 및 상기 셀렉트 트랜지스터는 모두 서로 동일한 문턱전압 특성갖는씨모스 이미지 센서.
[청구항 7]
제 3 항에 있어서,상기 트랜스퍼 트랜지스터, 상기 리셋 트랜지스터 및 상기 드라이브 트랜지스터는 서로 동일한 문턱전압 특성을 갖고, 상기 셀렉트 트랜지스터와는 서로 다른 문턱전압 특성갖는씨모스 이미지 센서.
[청구항 8]
제 3 항에 있어서,상기 트랜스퍼 트랜지스터, 상기 리셋 트랜지스터 및 상기 셀렉트 트랜지스터는 서로 동일한 문턱전압 특성을 갖고, 상기 드라이브 트랜지스터와는 서로 다른 문턱전압 특성갖는씨모스 이미지 센서.
[청구항 9]
제 3 항에 있어서,상기 트랜스퍼 트랜지스터, 상기 드라이브 트랜지스터 및 상기 셀렉트 트랜지스터는 서로 동일한 문턱전압 특성을 갖고, 상기 리셋 트랜지스터와는 서로 다른 문턱전압 특성갖는씨모스 이미지 센서.
[청구항 10]
제 3 항에 있어서,상기 리셋 트랜지스터, 상기 드라이브 트랜지스터 및 상기 셀렉트 트랜지스터는 서로 동일한 문턱전압 특성을 갖고, 상기 트랜스퍼 트랜지스터와는 서로 다른 문턱전압 특성갖는씨모스 이미지 센서.
[청구항 11]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수의 트랜지스터는,상기 포토 다이오드에서 집속된 광전하에 의해 생성된 전위를 원하는 값으로 세팅하고 전하를 배출하여 상기 포토 다이오드를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터;상기 포토 다이오드에 축적된 전하에 따라 동작하여 소스 팔로워 구성으로 버퍼 증폭기 열할을 하는 드라이브 트랜지스터; 및상기 드라이브 트랜지스터를 통해 증폭된 데이터를 스위칭하여 출력하는 셀렉트 트랜지스터포함하는씨모스 이미지 센서.
[청구항 12]
제 11 항에 있어서,상기 리셋 트랜지스터 및 상기 드라이브 트랜지스터는 서로 동일한 문턱전압 특성을 갖고, 상기 셀렉트 트랜지스터와는 서로 다른 문턱전압 특성갖는씨모스 이미지 센서.
[청구항 13]
제 11 항에 있어서,상기 리셋 트랜지스터 및 상기 셀렉트 트랜지스터는 서로 동일한 문턱전압 특성을 갖고, 상기 드라이브 트랜지스터와는 서로 다른 문턱전압 특성갖는씨모스 이미지 센서.
[청구항 14]
제 11 항에 있어서,상기 드라이브 트랜지스터 및 상기 셀렉트 트랜지스터는 서로 동일한 문턱전압 특성을 갖고, 상기 리셋 트랜지스터와는 서로 다른 문턱전압 특성갖는씨모스 이미지 센서.
[청구항 15]
제 11 항에 있어서,상기 리셋 트랜지스터, 상기 드라이브 트랜지스터 및 상기 셀렉트 트랜지스터는 모두 서로 동일한 문턱전압 특성갖는씨모스 이미지 센서.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
씨모스 이미지 센서에서 문턱전압 특성이 서로 다른 트랜지스터들의 게이트 전극은 각각 어떠한 방향으로 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation씨모스 이미지 센서 내에서 문턱전압 특성이 서로 다른 트랜지스터들의 게이트 전극 형성 방향을 찾는 과업이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 문턱전압 특성에 따른 게이트 전극의 신장 방향에 관한 기술적 특징을 추출한다.
- 서로 다른 문턱전압 특성을 갖는 트랜지스터의 게이트 전극은 서로 수직한 방향으로 신장되도록 형성된
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '서로 다른 문턱전압 특성'을 가진 트랜지스터의 게이트 전극 방향에 대한 직접적인 구절을 선택한다.
- 서로 다른 문턱전압 특성을 갖는 트랜지스터의 게이트 전극은 서로 수직한 방향으로 신장되도록 형성
-
4논리 통합
logical_integration문턱전압 특성이 다를 경우 게이트 전극이 서로 수직한 방향으로 형성된다는 인과 관계를 확인한다.
- 서로 다른 문턱전압 특성을 갖는 트랜지스터의 게이트 전극은 서로 수직한 방향으로 신장되도록 형성
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 게이트 전극이 서로 수직한 방향으로 형성됨을 도출한다.
- 서로 수직한 방향으로 신장되도록 형성
-
6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 서로 수직한 방향으로 신장되도록 형성
최종 답변 (final_answer)
서로 수직한 방향으로 신장되도록 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
씨모스 이미지 센서에서 트랜지스터들의 문턱전압 특성에 따라 게이트 전극의 신장 방향을 동일하거나 수직하게 배치함으로써 소자 특성을 제어하는 기술이다.