가공 특허 1020050110269

출원번호: 1020050110269
분류: 전기(H섹션)

문맥 (context)

[청구항 1] 안테나를 통해 인가되는 무선 주파수 신호를 정류하고 불휘발성 강유전체 캐패시터를 통해 정류된 전압을 차지 펌핑하여 rfid의 동작을 제어하는 동작 전압을 생성하는 인벨롭 검출부; 및 상기 동작 전압의 전류를 제한하기 위한 전류 제한 저항 소자를 구비하여 상기 동작 전압을 버퍼링하여 명령신호를 출력하는 출력 버퍼부를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 rfid에서의 복조 장치 [청구항 2] 제 1항에 있어서,불휘발성 강유전체 캐패시터 소자를 구비하여 상기 동작 전압의 출력단의 신호를 필터링하는 신호 필터부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 3] 제 2항에 있어서,상기 신호 필터부는 상기 동작 전압의 출력단과 상기 접지전압단 사이에 연결된 저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 신호 필터부는 상기 동작전압의 출력단과 접지전압단 사이에 연결된 제 1불휘발성 강유전체 캐패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 5] 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 동작 전압을 전압 강하시켜 상기 동작 전압의 전압 변동을 제한하는 신호 리미트부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 신호 리미트부는 상기 동작 전압을 전원전압과 접지전압 사이에서 변동하는 전압 값으로 제한함을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 7] 제 5항에 있어서,상기 신호 리미트부는 상기 동작 전압의 출력단과 접지전압단 사이에 직렬 연결되어 게이트 단자와 드레인 단자가 공통 연결된 복수개의 nmos트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 8] 제 5항에 있어서,상기 신호 리미트부는 상기 동작 전압의 출력단과 접지전압단 사이에 직렬 연결된 복수개의 다이오드 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 9] 제 1항에 있어서,상기인벨롭 검출부는 상기 안테나를 통해 인가되는 상기 무선 주파수 신호를 정류하여 출력하는 복수개의 정류수단; 및 상기 복수개의 정류수단에서 정류된 전압을 각각 차지 펌핑하여 저장하고 상기 rfid의 전원전압인 상기 동작전압을 생성하는 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 10] 제 9항에 있어서,상기 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터는 불휘발성 강유전체 메모리의 셀 캐패시터와 동일한 공정에 의해 형성됨을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 11] 제 9항 또는 제 10항에 있어서,상기 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터의 강유전체는 고유전율을 갖는 표면 장벽형 트랜지스터(sbt)로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 12] 제 9항 또는 제 10항에 있어서,상기 복수개의 불휘발성 강유전체 캐패시터의 강유전체는 고유전율을 갖는 압전 트랜지스터(pzt)로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 13] 제 9항에 있어서,상기 복수개의 정류수단은 쇼트키 다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 14] 제 1항에 있어서,상기 출력 버퍼부는 상기 동작 전압 인가단과 상기 명령신호의 출력단 사이에 직렬 연결된 복수개의 인버터; 상기 복수개의 인버터와 전원전압단 사이에 연결된 제 1전류 제한 저항 소자; 및 상기 복수개의 인버터와 접지전압단 사이에 연결된 제 2전류 제한 저항 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치. [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기 복수개의 인버터는 상기 제 1전류 제한 저항 소자와 상기 제 2전류 제한 저항 소자 사이에 직렬 연결되어 게이트 단자를 통해 상기 동작 전압이 인가되는 제 1트랜지스터와 제 2트랜지스터; 및 상기 제 1전류 제한 저항 소자와 상기 제 2전류 제한 저항 소자 사이에 직렬 연결되어 게이트 단자가 상기 제 1트랜지스터와 제 2트랜지스터의 공통 드레인 단자와 연결되고, 공통 드레인 단자를 통해 상기 명령신호가 출력되는 제 3트랜지스터와 제 4트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 강유전체 메모리포함하는rfid에서의 복조 장치.

지시문 (instruction)

주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.

질문 (question)

불휘발성 강유전체 메모리를 포함하는 RFID 복조 장치에서, 동작 전압의 전압 변동을 제한하기 위한 신호 리미트부가 구성될 수 있는 구체적인 방식들은 무엇인가?

추론 과정 (compact_reasoning)

1과제 해석task_interpretation

RFID 복조 장치에서 동작 전압의 전압 변동을 제한하기 위한 '신호 리미트부'의 구체적인 구성 방식들을 추출해야 한다.
2정보 추출information_extraction

청구항 5항에서 신호 리미트부의 목적(전압 변동 제한)을 확인하고, 이후 종속항인 6, 7, 8항에서 구체적인 구성 방식을 추출한다.
- 상기 동작 전압을 전압 강하시켜 상기 동작 전압의 전압 변동을 제한하는 신호 리미트부
3근거 선택evidence_selection

신호 리미트부의 동작 방식(전압 값 제한)과 물리적 구성(NMOS 트랜지스터, 다이오드 소자)에 관한 구절을 선택한다.
- 상기 동작 전압을 전원전압과 접지전압 사이에서 변동하는 전압 값으로 제한
4논리 통합logical_integration

추출된 정보를 종합하여, 신호 리미트부가 전압 값을 제한하는 방식과 이를 구현하기 위한 NMOS 트랜지스터 및 다이오드 소자 구성을 정리한다.
5결론 도출conclusion_formulation

질문에서 요구하는 '구체적인 방식들'에 맞춰 리스트 형태로 답변을 구성한다.
6답변 생성answer_generation

최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)

1. 동작 전압을 전원전압과 접지전압 사이에서 변동하는 전압 값으로 제한하는 방식 2. 동작 전압의 출력단과 접지전압단 사이에 직렬 연결되어 게이트 단자와 드레인 단자가 공통 연결된 복수개의 NMOS 트랜지스터를 포함하는 방식 3. 동작 전압의 출력단과 접지전압단 사이에 직렬 연결된 복수개의 다이오드 소자를 포함하는 방식

핵심 해석 (core_interpretation)

본 발명은 RFID 복조 장치에서 동작 전압의 변동을 억제하기 위해 NMOS 트랜지스터나 다이오드 소자를 활용하여 전압을 특정 범위 내로 제한하는 신호 리미트부 구성 기술을 제공한다.