문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 제1 도전형은 p형이고,상기제2도전형인것을특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 진성형 반도체층과 상기 제1 도전형 반도체층은 에피택셜층인것을특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 반도체 기판은 실리콘 기판이고, 상기 반도체층들은실리콘 반도체형성된것을특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층과 진성형 반도체층을 통해 상기 제2 도전형 매립층으로 연장되어 상기 제2 도전형 매립층으로의 콘택을 제공하는제2도전형의수직 확산영역더포함하는것을특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 제2 도전형 웰층의 접합 깊이는 0.1내지인것을특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 7]
제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층과 진성형 반도체층 간의 경계의 깊이는1내지인것을특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 진성형 반도체층과 제2 도전형 매립층 간의 경계의 깊이는5내지인것을특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 제2 도전형 매립층과 상기 반도체 기판 간의 경계의 깊이는8내지인것을특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 10]
제1항에 있어서,상기 제2 도전형 웰층의 도핑 농도는 1×1019 내지 3×1019 cm-3 인 것특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 11]
제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체층의 도핑 농도는 5×1016 내지 5×1017 cm-3 인 것특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 12]
제1항에 있어서,상기 진성형 반도체층의 도핑 농도는 1×1013 내지 1×1014 cm-3 인 것특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 13]
제1항에 있어서,상기 제2 도전형 매립층의 도핑 농도는 1×1018 내지 3×1018 cm-3 인 것특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 14]
제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 도핑 농도는 1×1015 내지 1×1016 cm-3 인 것특징으로 하는포토다이오드 소자.
[청구항 16]
제15항에 있어서,상기 하나 이상의 칼라 필터는 적색광 필터, 녹색광 필터 및 청색광 필터이고,상기 2개 이상의 포토다이오드 소자는 제1 내지 제3 포토다이오드 소자이고,상기 적색광 필터와 상기 제1 포토다이오드 소자는 적색광 검출용의 제1 수광 소자를 형성하고,상기 녹색광 필터와 상기 제2 포토다이오드 소자는 녹색광 검출용의 제2 수광 소자를 형성하고,상기 청색광 필터와 상기 제3 포토다이오드 소자는청색광검출용의제3수광소자형성하는것을특징으로 하는포토다이오드 어레이.
[청구항 17]
제15항에 있어서,상기 하나 이상의 칼라 필터는 녹색광 필터이고,상기 2개 이상의 포토다이오드 소자는 제1 및 제2 포토다이오드 소자이고,상기 녹색광 필터와 상기 제1 포토다이오드 소자는 녹색광 검출용의 제1 수광 소자를 형성하고,상기 제2 포토다이오드 소자는칼라필터없이적색및청색광검출용의제2수광소자형성하는것을특징으로 하는포토다이오드 어레이.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
포토다이오드 소자에서 제1 도전형 반도체층과 진성형 반도체층을 통해 제2 도전형 매립층으로 연장되어 콘택을 제공하는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation포토다이오드 소자 내에서 제1 도전형 반도체층과 진성형 반도체층을 거쳐 제2 도전형 매립층으로 연장되며 콘택을 제공하는 구성 요소를 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 5에서 제1 도전형 반도체층, 진성형 반도체층, 제2 도전형 매립층 및 이들 사이의 관계를 설명하는 문구를 추출한다.
- 상기 제1 도전형 반도체층과 진성형 반도체층을 통해 상기 제2 도전형 매립층으로 연장되어 상기 제2 도전형 매립층으로의 콘택을 제공하는제2도전형의수직 확산영역
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 기능(연장 및 콘택 제공)을 수행하는 주체인 '제2도전형의 수직 확산영역'을 근거로 선택한다.
- 제2도전형의수직 확산영역
-
4논리 통합
logical_integration청구항 5에 따르면, 제2도전형의 수직 확산영역이 제1 도전형 반도체층과 진성형 반도체층을 통해 제2 도전형 매립층으로 연장되어 콘택을 제공함을 알 수 있다.
- 상기 제1 도전형 반도체층과 진성형 반도체층을 통해 상기 제2 도전형 매립층으로 연장되어 상기 제2 도전형 매립층으로의 콘택을 제공하는제2도전형의수직 확산영역
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '제2도전형의 수직 확산영역'을 도출한다.
- 제2도전형의수직 확산영역
-
6답변 생성
answer_generation추출된 핵심 용어를 사용하여 최종 답변을 작성한다.
- 제2도전형의수직 확산영역
최종 답변 (final_answer)
제2도전형의 수직 확산영역
핵심 해석 (core_interpretation)
포토다이오드 소자에서 제2 도전형 매립층으로의 전기적 연결(콘택)을 형성하기 위해 제1 도전형 반도체층과 진성형 반도체층을 관통하여 연장되는 제2 도전형 수직 확산영역의 구성을 정의함.