문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,제1 배선의 상기각 일단부가 상기 각 제1 배선의 길이 방향을 비스듬하게 가로지르는 방향을 따라서일직선 형상배열하도록형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 3]
제1항에 있어서,복수개의 제2 배선을 더 포함하고, 상기 각 제2 배선은, 상기 각 제1 배선이 형성되어 있는 상기 소정의 층에 있어서 상기 각 제1 배선 중 소정의 상기 제1 배선과 쌍을 이루어 배열되어 형성되어 있음과 함께, 상기 각 제2 배선의 길이 방향의 일단부가 상기 소정의 제1 배선의 상기 일단부에 대하여 각각 소정의 간격을 두고 대향하여 배치되어 있고, 또한, 인접하는 상기 각 제2 배선의 상기 일단부가 상기 각 제2 배선이 배열된 방향과 직교하는 방향에 있어서 서로 어긋난 위치배치되어 있는반도체 장치.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 소정의 층의 상층에 형성되어 있는 복수개의 제3 배선; 및 소정의 복수개의 상기 제1 배선의 상기 일단부 상에 적어도 1개씩 형성되어 있음과 함께, 상기 각 소정의 제1 배선과 상기 각 제3 배선을 전기적으로 접속하는복수개의제1컨택트부를더 포함하는반도체 장치.
[청구항 5]
제3항에 있어서,제2 배선은, 상기 소정의 제1 배선의 길이 방향과 평행한 방향을 따라연장되어형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 6]
제3항에 있어서,제2 배선의 상기각 일단부가 상기 각 제2 배선의 길이 방향을 비스듬하게 가로지르는 방향을 따라서일직선 형상배열하도록형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 7]
제3항에 있어서,상기 소정의 층의 상층에 형성되어 있는 복수개의 제4 배선; 및 소정의 복수개의 상기 제2 배선의 상기 일단부 상에 적어도 1개씩 형성되어 있음과 함께, 상기 각 소정의 제2 배선과 상기 각 제4 배선을 전기적으로 접속하는복수개의제2컨택트부를더 포함하는반도체 장치.
[청구항 8]
제3항에 있어서,상기 소정의 층의 상층에 형성되어 있는 복수개의 제3 배선; 소정의 복수개의 상기 제1 배선의 상기 일단부 상에 적어도 1개씩 형성되어 있음과 함께, 상기 각 소정의 제1 배선과 상기 각 제3 배선을 전기적으로 접속하는 복수개의 제1 컨택트부; 상기 소정의 층의 상층에 형성되어 있는 복수개의 제4 배선; 및소정의 복수개의 상기 제2 배선의 상기 일단부 상에 적어도 1개씩 형성되어 있음과 함께, 상기 각 소정의 제2 배선과 상기 각 제4 배선을 전기적으로 접속하는복수개의제2컨택트부를더 포함하는반도체 장치.
[청구항 9]
제4항에 있어서,제3 배선은, 상기 각 제1 배선의 길이 방향에 대하여 교차하는방향연장되어형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 10]
제4항에 있어서,제1 배선의 상기각 일단부가 상기 각 제1 배선의 길이 방향을 비스듬하게 가로지르는 방향을 따라서 일직선 형상으로 배열하도록 형성되어 있음과 함께, 상기 각 제1 컨택트부가 상기 각 제1 배선의 길이 방향을 비스듬하게 가로지르는 방향을 따라서일직선 형상배열하도록형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 11]
제7항에 있어서,제4 배선은, 상기 각 제2 배선의 길이 방향에 대하여 교차하는방향연장되어형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 12]
제7항에 있어서,제2 배선의 상기각 일단부가 상기 각 제2 배선의 길이 방향을 비스듬하게 가로지르는 방향을 따라서 일직선 형상으로 배열하도록 형성되어 있음과 함께, 상기 각 제2 컨택트부가 상기 각 제2 배선의 길이 방향을 비스듬하게 가로지르는 방향을 따라서일직선 형상배열하도록형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 13]
제8항에 있어서,제3 배선과 상기각 제4 배선은, 동일한 층에 형성되어 있음과 함께, 상기 각 제1 컨택트부 및 상기 각 제2 컨택트부를 사이에 두고 서로 180°반대방향연장되어형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 14]
제8항에 있어서,상기제1 및 제2 각 배선은 각각 트랜지스터의 게이트층으로서 형성되어 있음과 함께, 상기 제3 및 제4 각 배선은 각각 상기 각 게이트층에 전기적으로 접속되는 메탈 배선층형성되어 있는반도체 장치.
[청구항 15]
제8항에 있어서,상기제1∼제4 각 배선 및 상기 제1 및 제2 각 컨택트부는, 각각 nand형 플래시 메모리의 일부구성하고 있는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소 사이의 연결 및 상호작용을 분석하여 질문에 답하라. 근거를 종합하여 자연스러운 문장으로 설명하라.
질문 (question)
제8항에 따른 반도체 장치에서 제3 배선과 제4 배선은 어떠한 관계를 가지며, 이들은 어느 층에 형성되어 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation제8항에 따른 반도체 장치에서 제3 배선과 제4 배선의 관계 및 형성 층을 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 8항은 제3 배선과 제4 배선이 모두 '소정의 층의 상층'에 형성되어 있음을 명시한다.
- 상기 소정의 층의 상층에 형성되어 있는 복수개의 제3 배선; 상기 소정의 층의 상층에 형성되어 있는 복수개의 제4 배선
-
3근거 선택
evidence_selection제3 배선과 제4 배선의 관계를 직접적으로 설명하는 청구항 13항의 내용을 선택한다.
- 제3 배선과 상기각 제4 배선은, 동일한 층에 형성되어 있음과 함께, 상기 각 제1 컨택트부 및 상기 각 제2 컨택트부를 사이에 두고 서로 180°반대방향연장되어형성되어 있는
-
4논리 통합
logical_integration청구항 13항에 따라 두 배선은 동일한 층에 형성되며, 제1 및 제2 컨택트부를 사이에 두고 180° 반대 방향으로 연장된 관계임을 알 수 있다.
- 동일한 층에 형성되어 있음과 함께, 상기 각 제1 컨택트부 및 상기 각 제2 컨택트부를 사이에 두고 서로 180°반대방향연장되어형성되어 있는
-
5결론 도출
conclusion_formulation제3 배선과 제4 배선은 동일한 층(소정의 층의 상층)에 형성되어 있으며, 제1 및 제2 컨택트부를 사이에 두고 서로 180° 반대 방향으로 연장되어 있다.
- 동일한 층에 형성되어 있음과 함께, 상기 각 제1 컨택트부 및 상기 각 제2 컨택트부를 사이에 두고 서로 180°반대방향연장되어형성되어 있는
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대해 관계와 형성 층을 포함하여 답변을 작성한다.
- 동일한 층에 형성되어 있음과 함께, 상기 각 제1 컨택트부 및 상기 각 제2 컨택트부를 사이에 두고 서로 180°반대방향연장되어형성되어 있는
최종 답변 (final_answer)
제3 배선과 제4 배선은 동일한 층(소정의 층의 상층)에 형성되어 있으며, 상기 각 제1 컨택트부 및 상기 각 제2 컨택트부를 사이에 두고 서로 180° 반대 방향으로 연장되어 형성되어 있는 관계를 가진다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 장치 내에서 제3 배선과 제4 배선은 동일한 상층에 배치되어 제1 및 제2 컨택트부를 매개로 서로 반대 방향으로 연장되는 구조적 관계를 형성한다.