문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 애노드는 상기 전기화학적 도금 셀에서 도금될 금속으로부터 제조되는 실질적인 디스크형 부재를 포함하며, 상기 실질적인 디스크형 부재는 다수의 평행 슬롯이 관통형성되는,반도체 처리 셀.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 다수의 슬롯은 다수의 장분절 및 다수의 단분절을 포함하며, 상기 다수의 장분절 각각이 상기 다수의 단분절 중 상응하는 하나의 단분절과 길이 방향으로 인접하여 위치되고 상기 애노드의 나머지 부분에 의해 상기 단분절분리되는,반도체 처리 셀.
[청구항 4]
제 2 항에 있어서,애노드 베이스 부재를 더 포함하며,상기 애노드 베이스 부재가,바닥 부재 및 상기 바닥 부재로부터 신장되는 직립 벽에 의해 형성되며 상기 애노드를 수용하도록 구성되는 환형 홈, 및상기 바닥 부재에 형성되며 각각이 하부면을 둘러싸는 환형 배수구 내에서 종결하는 다수의 채널포함하는,반도체 처리 셀.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 애노드 베이스 부재가 상기 환형 홈의 환형 수직벽 내에 형성되는 다수의 벽 채널더 포함하는,반도체 처리 셀.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 수평면으로부터의 각도가 약 5° 내지인,반도체 처리 셀.
[청구항 7]
제 6 항에 있어서,상기 애노드의 상부면, 이온막, 및 확산 부재가 실질적으로 평행한 방위배치되는,반도체 처리 셀.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 유체 수용조에 위치되는 확산 부재를 더 포함하며, 상기 확산 부재는 상기 애노드의 상부면에 실질적으로 평행하게 위치되는 상부면가지는,반도체 처리 셀.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 이온막이 수평면으로부터 제 2 각도배치되는,반도체 처리 셀.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 유체 투과성 확산 부재가 세라믹 디스크 부재를 포함하는,기판 상에 금속도금하는장치.
[청구항 12]
제 10 항에 있어서,상기 이온막이 양이온막을 포함하는,기판 상에 금속도금하는장치.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,이온막이 상기 애노드의 상부면에 평행하게 위치되는,기판 상에 금속도금하는장치.
[청구항 14]
제 10 항에 있어서,상기 애노드는 관통하여 형성되는 다수의 슬롯을 가지는 디스크형 부재를 포함하며, 상기 다수의 슬롯이 서로 평행 방위로 위치되는,기판 상에 금속도금하는장치.
[청구항 15]
제 14 항에 있어서,상기 다수의 슬롯은 다수의 단분절 및 다수의 장분절을 포함하며, 상기 단분절 각각은 하나의 장분절과 협동하여 길이 방향으로 위치되고 전도성 스페이서에 의해 상기 장분절로부터 분리되는,기판 상에 금속도금하는장치.
[청구항 16]
제 10 항에 있어서,상기 애노드를 수용하도록 구성되는 애노드 베이스판을 더 포함하며,상기 애노드 베이스판이,상기 애노드를 수용하도록 구성되는 환형 홈,상기 환형 홈의 하부면에 형성되며 각각이 상기 환형 홈의 둘레 주위에 위치되는 환형 배수구에서 종결하는 다수의 채널, 및상기 환형 홈의 환형 수직 벽에 형성되며 유체가 상기 애노드의 상부면 위로 지향되도록 구성되는 다수의 슬롯을 포함하는,기판 상에 금속도금하는장치.
[청구항 17]
제 16 항에 있어서,상기 다수의 채널이 유체 배수 통로를 형성하도록 상기 애노드 내에 형성되는 다수의 애노드 슬롯과 유체 소통하도록 구성되는,기판 상에 금속도금하는장치.
[청구항 18]
제 10 항에 있어서,확산 부재, 및 상기 애노드의 상부면 중 적어도 일부가 서로 실질적으로 평행하게 위치되는,기판 상에 금속도금하는장치.
[청구항 19]
제 18 항에 있어서,상기 각도가 약 5° 내지 약 35°인,기판 상에 금속도금하는장치.
[청구항 21]
제 20 항에 있어서,애노드 베이스판 및 상기 베이스판의 하부면에 형성되는 다수의 채널을 더 포함하며,상기 애노드 베이스판은 상기 애노드를 수용하도록 구성되는 환형 홈을 가지며, 상기 다수의 채널 각각은 상기 하부면을 둘러싸는 환형 배수구종결되는,소형 전기화학적 도금 셀.
[청구항 22]
제 21 항에 있어서,상기 유체 수용조의 캐소드 챔버로부터 애노드 챔버를 분리하도록 구성되는 이온막포함하는,소형 전기화학적 도금 셀.
[청구항 23]
제 22 항에 있어서,상기 캐소드 챔버에 환원 전극액을 공급하도록 구성되는 제 1 유체 입구 및 상기 애노드 챔버에 산화 전극액을 공급하도록 구성되는 제 2 유체 입구더 포함하는,소형 전기화학적 도금 셀.
[청구항 24]
제 20 항에 있어서,수평면으로부터의 상기 각도가 약 5° 내지인,소형 전기화학적 도금 셀.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
기판 상에 금속도금하는 장치에서, 애노드 내에 형성된 다수의 애노드 슬롯과 유체 배수 통로를 형성하는 다수의 채널이 서로 소통하기 위해 필요한 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation애노드 내의 다수의 애노드 슬롯과 유체 배수 통로를 형성하는 다수의 채널이 서로 소통하기 위해 필요한 구성 요소를 찾는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 17에서 다수의 채널이 유체 배수 통로를 형성하며, 애노드 내의 다수의 애노드 슬롯과 유체 소통하도록 구성된다는 내용을 추출한다.
- 상기 다수의 채널이 유체 배수 통로를 형성하도록 상기 애노드 내에 형성되는 다수의 애노드 슬롯과 유체 소통하도록 구성되는
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3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 '소통하기 위해 필요한 구성 요소'에 대한 직접적인 언급을 확인하기 위해 청구항 16과 17을 연결하여 검토한다.
- 상기 애노드 베이스판이,상기 애노드를 수용하도록 구성되는 환형 홈,상기 환형 홈의 하부면에 형성되며 각각이 상기 환형 홈의 둘레 주위에 위치되는 환형 배수구에서 종결하는 다수의 채널, 및상기 환형 홈의 환형 수직 벽에 형성되며 유체가 상기 애노드의 상부면 위로 지향되도록 구성되는 다수의 슬롯을 포함하는
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4논리 통합
logical_integration청구항 16에 따르면 애노드 베이스판이 환형 홈, 다수의 채널, 다수의 슬롯을 포함하며, 청구항 17은 이 채널과 슬롯이 유체 소통하도록 구성됨을 명시한다. 따라서 이 소통을 가능하게 하는 기반 구성은 애노드 베이스판이다.
- 상기 애노드 베이스판이,상기 애노드를 수용하도록 구성되는 환형 홈,상기 환형 홈의 하부면에 형성되며 각각이 상기 환형 홈의 둘레 주위에 위치되는 환형 배수구에서 종결하는 다수의 채널, 및상기 환형 홈의 환형 수직 벽에 형성되며 유체가 상기 애노드의 상부면 위로 지향되도록 구성되는 다수의 슬롯을 포함하는
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5결론 도출
conclusion_formulation애노드 슬롯과 채널이 포함되어 있고 이들이 유체 소통을 하도록 구성되는 주체인 '애노드 베이스판'이 정답이다.
- 상기 애노드 베이스판이,상기 애노드를 수용하도록 구성되는 환형 홈,상기 환형 홈의 하부면에 형성되며 각각이 상기 환형 홈의 둘레 주위에 위치되는 환형 배수구에서 종결하는 다수의 채널, 및상기 환형 홈의 환형 수직 벽에 형성되며 유체가 상기 애노드의 상부면 위로 지향되도록 구성되는 다수의 슬롯을 포함하는
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6답변 생성
answer_generation추출된 구성 요소인 '애노드 베이스판'을 최종 답변으로 작성한다.
- 상기 애노드 베이스판
최종 답변 (final_answer)
애노드 베이스판
핵심 해석 (core_interpretation)
애노드 베이스판 내에 형성된 환형 홈, 다수의 채널 및 다수의 슬롯을 통해 애노드 슬롯과 유체 배수 통로 간의 유체 소통을 구현하는 기술에 관한 것이다.