플라즈마 도핑 시스템에서 플라즈마 매개 변수를모니터링하기 위한 장치 및 방법 document_id 1020057001436

[청구항 1] 플라즈마 도핑 장치이며, 플라즈마 도핑 챔버와, 작업편을 지지하기 위한 상기 플라즈마 도핑 챔버에 위치된 플래튼과, 상기 플라즈마 도핑 챔버에서 상기 플래튼으로부터 이격된 애노드와, 상기 플라즈마 도핑 챔버에 연결된 처리 가스원과, 작업편으로 플라즈마로부터의 이온을 가속시키기 위해 상기 플래튼과 애노드 사이에 펄스를 인가하는 펄스원과, 플라즈마의 매개 변수의 공간적인 분포를 감지하기 위해 감지 장치를 구비한 플라즈마 모니터를 포함하고, 상기 처리 가스의 이온을 함유한 플라즈마는 상기 애노드와 상기 플래튼 사이의 플라즈마 대전 영역에 형성되는 플라즈마 도핑 장치 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 작업편에 이격 관계로 상기 플라즈마 도핑 챔버 내에 배치된 센서의 선형 배열체포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 작업편에 이격 관계로 상기 플라즈마 도핑 챔버 내에 배치된 센서의 원형 배열체포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 작업편에 이격 관계로 상기 플라즈마 도핑 챔버 내에 배치된 센서의 2차 배열체포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 작업편에 이격 관계로 상기 플라즈마 도핑 챔버 내에 배치된 센서의 방사상 배열체포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 하나 이상의 광센서포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 하나 이상의 광센서는 광대역 광학 감지용구성되는플라즈마 도핑 장치. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 하나 이상의 광센서는 좁은 대역 광학 감지용구성되는플라즈마 도핑 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 하나 이상의 전기 센서포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 상기 애노드에 또는 그 근처에 장착된 하나 이상의 센서포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 작업편에 이격 관계로 상기 플라즈마 도핑 챔버 내에 배치된 화상 센서포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 작업편에 이격 관계로 상기 플라즈마 도핑 챔버 내에 배치된 이동식 센서와 플라즈마에 대해 센서를 이동시키는 엑추에이터포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 플라즈마 대전 영역에서 플라즈마 밀도의 공간적인분포감지하도록구성되는플라즈마 도핑 장치. [청구항 14] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 작업편에 주입된 이온의 투여 분포를 나타내는플라즈마매개변수감지하도록구성되는플라즈마 도핑 장치. [청구항 15] 제1항에 있어서,작업편으로 주입되는 이온의 투여 분포를 측정하고 감지 장치에 의해 측정치를 처리하는 투여 프로세서더 포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,이온 전류를 감지하기 위한 페러데이 컵을 더 포함하고, 상기 투여 프로세서는 작업편에 이송되는 이온 투여량을 측정하기 위해 비임 센서에 의한 측정치반응하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 작업편의 플라즈마 도핑동안 플라즈마 밀도의 공간적인분포감지하도록구성되는플라즈마 도핑 장치. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 감지 장치는 상기 애노드에 장착되는 센서 배열체를 포함하고, 상기 플라즈마 모니터는 센서에 연결된 처리 회로더 포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 센서 배열체는 상기 애노드에 장착되고 상기 애노드로부터 전기적으로 이격된 전기 센서포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 애노드의 후방면에 대해 전기적 절연 커버더 포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 21] 제18항에 있어서,상기 처리 회로는 상기 센서 모두 또는 선택된 그룹의 동시 샘플링하기 위한 회로포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 22] 제18항에 있어서,상기 처리 회로는 상기 플래튼과 애노드 사이에 인가된 안정적 부분의 펄스 동안 상기 센서의 모든 또는 선택된 그룹을 샘플링하기 위한 회로포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 23] 제18항에 있어서,상기 처리 회로는 상기 플래튼과 애노드 사이에 인가된 각각의 펄스의 개시 때나 또는 그 근처에서 상기 센서의 모든 또는 선택된 그룹을 샘플링하기 위한 회로포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 24] 제18항에 있어서,상기 처리 회로는 상기 플래튼과 애노드 사이에 인가된 각각의 펄스 이후에 잔광 기간에 상기 센서의 모든 또는 선택된 그룹을 샘플링하기 위한 회로포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 25] 제18항에 있어서,상기 처리 회로는 상기 플래튼과 애노드 사이에 인가된 각각의 펄스의 폭보다 작은 샘플링 시간동안 상기 센서의 모든 또는 선택된 그룹을 샘플링하기 위한 회로포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 26] 제18항에 있어서,상기 처리 회로는 상기 플래튼과 애노드 사이에 인가된 각각의 펄스의 폭보다 큰 샘플링 시간동안 상기 센서의 모든 또는 선택된 그룹을 샘플링하기 위한 회로포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 27] 제18항에 있어서,상기 처리 회로는 상기 플래튼과 애노드 사이에 인가된 두 개 이상의 펄스를 포함하는 샘플링 시간동안 상기 센서의 모든 또는 선택된 그룹을 샘플링하기 위한 회로포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 29] 제28항에 있어서,상기 하나 이상의 광센서는 작업편에 이격 관계로 상기 플라즈마 도핑 챔버 내에 배치된 센서의 선형 배열체포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 30] 제28항에 있어서,상기 하나 이상의 광센서는 작업편에 이격 관계로 상기 플라즈마 도핑 챔버 내에 배치된 센서의 2차 배열체포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 31] 제28항에 있어서,상기 하나 이상의 광센서는 작업편에 이격 관계로 상기 플라즈마 도핑 챔버 내에 배치된 화상 센서포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 32] 제28항에 있어서,상기 하나 이상의 광센서는 작업편에 이격 관계로 상기 플라즈마 도핑 챔버 내에 배치된 이동식 센서와 플라즈마에 대해 센서를 이동시키는 엑추에이터포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 33] 제28항에 있어서,상기 하나 이상의 광센서 각각은 상기 플라즈마 도핑 챔버에 장착된 광학 프로브, 멀리 떨어져 위치한 포토센서 및 멀리 떨어져 위치한 포토센서로 감지된 광학 방출을 수행하기 위한 광섬유포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 34] 제28항에 있어서,상기 하나 이상의 광센서는 약 20 나노미터 이상의 폭을 갖는 선택된 파장 범위에 걸쳐 플라즈마의 공간적인분포감지하도록구성되는플라즈마 도핑 장치. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 선택된 파장 범위는 약 50 내지 600 나노미터의 폭갖는플라즈마 도핑 장치. [청구항 36] 제34항에 있어서,상기 선택된 파장 범위는 처리 가스로부터 광학 방출정합하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 37] 제34항에 있어서,상기 처리 가스는 bf3이고, 상기 선택된 파장 범위는 약 350 내지 400 나노미터에서 중심설정되는플라즈마 도핑 장치. [청구항 38] 제34항에 있어서,상기 플라즈마 모니터는 선택된 파장 범위에 걸쳐 감지된 광학 방출을 평균화하기 위한 처리 회로더 포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 39] 제34항에 있어서,상기 플라즈마 모니터는 선택된 파장 범위에 걸쳐 감지된 광학 방출을 적분하기 위한 처리 회로더 포함하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 65] 플라즈마 도핑 장치이며, 플라즈마 도핑 챔버와, 작업편을 지지하기 위한 상기 플라즈마 도핑 챔버에 위치된 플래튼과, 상기 플라즈마 도핑 챔버에서 상기 플래튼으로부터 이격된 애노드와, 상기 플라즈마 도핑 챔버에 연결된 처리 가스원과, 작업편으로 플라즈마로부터의 이온을 가속시키기 위해 상기 플래튼과 애노드 사이에 펄스를 인가하는 펄스원과, 선택된 파장 범위에 걸쳐 플라즈마로부터 광학 방출을 감지하기 위한 광센서와 선택된 파장 범위에 걸쳐 감지된 광학 방출을 처리하기 위해 광센서에 연결된 처리 회로를 구비한 플라즈마 모니터를 포함하고, 상기 처리 가스의 이온을 함유한 플라즈마는 상기 애노드와 상기 플래튼 사이의 플라즈마 대전 영역에 형성되는 플라즈마 도핑 장치 [청구항 66] 제65항에 있어서,상기 선택된 파장 범위는 약 20 나노미터 이상의 폭갖는플라즈마 도핑 장치. [청구항 67] 제65항에 있어서,상기 선택된 파장 범위는 약 50 내지 600 나노미터의 폭갖는플라즈마 도핑 장치. [청구항 68] 제65항에 있어서,상기 선택된 파장 범위는 처리 가스로부터 광학 방출정합하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 69] 제65항에 있어서,상기 처리 가스는 bf3를 포함하고, 선택된 파장 범위는 약 350 내지 400 나노미터에서 중심설정되는플라즈마 도핑 장치. [청구항 70] 제65항에 있어서,처리 회로는 선택된 파장 범위에 걸쳐 감지된 광학 방출을 평균화하는플라즈마 도핑 장치. [청구항 71] 제65항에 있어서,처리 회로는 선택된 파장 범위에 걸쳐 감지된 광학 방출적분하는플라즈마 도핑 장치.