트렌치 구속 분리 확산영역을 갖는 상보형 아날로그 바이폴라 트랜지스터 document_id 1020057002479

[청구항 51] 제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 웰은 제 1 도전성 타입의 물질로 도핑되고, 상기 에피택셜층은 상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 물질로 도핑되며, 상기 제 1및제2접합부접합인것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 53] 제 51 항에 있어서,상기 웰은 상기 제 1 도전성 타입의 매장층을 포함하고, 상기 매장층은 상기 기판에서 위로 연장하고상기웰의잔부병합하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 54] 제 53 항에 있어서,상기 매장층은 각각의 상기 트렌치의 바닥의 레벨 아래의 상기 에피택셜층내의 레벨에서상기웰의상기잔부병합하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 55] 제 53 항에 있어서,상기 매장층은 상기 메사 내에서상기웰의잔부병합하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 56] 제 51 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 에피택셜층의 두께의 10% ~ 90%범위연장되는것을특징으로 하는반도체 구조체. [청구항 57] 제 56 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 에피택셜층의 두께의 30% ~ 70%범위연장되는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 58] 제 57 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 에피택셜층의 두께의 1/2이내연장되는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 59] 제 51 항에 있어서,상기 유전체는산화물포함하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 60] 제 51 항에 있어서,상기 유전체는질화물포함하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 61] 제 51 항에 있어서,상기 트렌치의 폭nan은인것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 62] 제 1 항에 있어서,상기 기판은 제 1 도전성 타입의 물질로 도핑되고, 상기 에피택셜층과 상기 웰은 상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입의 물질로 도핑되며, 상기 제 1 및 제 2 접합부는가상접합부인것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 64] 제 62 항에 있어서,상기 웰은 상기 제 1 도전성 타입의 매장층을 포함하고, 상기 매장층은 상기 기판에서 위로 연장되며상기웰의잔부병합되는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 65] 제 64 항에 있어서,상기 매장층은 각각의 상기 트렌치의 바닥의 레벨 아래의 상기 에피택셜층내의 레벨에서상기웰의잔부병합하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 66] 제 65 항에 있어서,상기 매장층의 측면 크기는 상기 메사의 폭과 상기 트렌치 폭의 2배를 합한 거리보다 작은 것특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 67] 제 66 항에 있어서,상기 매장층nan은상기메사의수직 중심선대칭인것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 68] 제 65 항에 있어서,상기 매장층은 상기 트렌치 중 어느 하나를 너머측면연장하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 69] 제 65 항에 있어서,상기 매장층은 상기 트렌치 양쪽을 너머측면연장하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 70] 제 64 항에 있어서,상기 매장층은 상기 메사 내에서상기웰의잔부병합되는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 71] 제 70 항에 있어서,상기 매장층의 측면 크기는 상기 메사의 폭과 상기 트렌치 폭의 2배를 합한 거리보다 작은 것특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 72] 제 71 항에 있어서,상기 매장층nan은상기메사의수직중심라인대칭인것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 73] 제 70 항에 있어서,상기 매장층은 상기 트렌치 중 어느 하나를 넘어측면연장하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 74] 제 62 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 에피택셜층의 두께의 10% ~ 90%범위연장하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 75] 제 74 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 에피택셜층의 두께의 30% ~ 70%범위연장하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 76] 제 75 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 에피택셜층의 두께의 1/2이내연장하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 77] 제 62 항에 있어서,상기 유전체는산화물포함하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 78] 제 62 항에 있어서,상기 유전체는질화물포함하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 79] 제 62 항에 있어서,상기 트렌치의 폭nan은인것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 80] 제 62 항에 있어서,상기 웰의 도핑 농도는 상기 에피택셜층의 도핑 농도보다 10% 이상 높은 것특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 81] 제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 에피택셜층은 제 1 도전성 타입의 물질로 도핑되고, 상기 웰은 상기 제 1 도전성 타입과 반대인 제 2 도전성 타입으로 도핑되고, 상기 제 1및제2접합부접합인것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 83] 제 81 항에 있어서,상기 웰은 상기 제 1 도전성 타입의 매장층을 포함하고, 상기 매장층은 상기 기판에서 위로 연장되고,상기웰의잔부병합하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 84] 제 83 항에 있어서,상기 매장층은 각각의 상기 트렌치의 바닥의 레벨 아래의 상기 에피택셜층내의 레벨에서상기웰의잔부병합하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 85] 제 84 항에 있어서,상기 매장층의 측면 크기는 상기 메사의 폭과 상기 트렌치 폭의 2배를 합한 거리보다 작은 것특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 86] 제 85 항에 있어서,상기 매장층nan은상기메사의수평 중심선대칭인것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 87] 제 84 항에 있어서,상기 매장층은 상기 트렌치 중 어느 하나를 넘어측면연장하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 88] 제 84 항에 있어서,상기 매장층은 상기 트렌치 양쪽을 넘어측면연장하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 89] 제 81 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 에피택셜층의 두께의 10% ~ 90%범위연장하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 90] 제 89 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 에피택셜층의 두께의 30% ~ 70%범위연장하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 91] 제 90 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 에피택셜층의 두께의 1/2이내연장하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 92] 제 81 항에 있어서,상기 유전체는산화물포함하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 93] 제 81 항에 있어서,상기 유전체는질화물포함하는것을특징으로 하는반도체 분리 구조체. [청구항 94] 제 81 항에 있어서,상기 트렌치의 폭nan은인것을특징으로 하는반도체 분리 구조체.