문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 중간영역에 있어서, 상기 p측 연신부(10b-2)가 상기 n측 연신부(9-2)와 대향하여 연신하고 있고,상기 n측 연신부(9-2)는 상기 직사각형 형상의 일끝단을 따라 길이방향으로 연신하도록 배치되어 있고,상기 p측 연신부(10b-2)가, 상기 p측 전류확산부(10a)내에 있어서, n측 연신부(9-2)로부터 먼방향측위치하는것을특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기p측 전류확산부(10a)가, 상기 발광다이오드로부터의빛의적어도일부투과하는것을특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기p측 전류확산부(10a)는, 발광다이오드로부터의 빛의 적어도 일부를 투과하는복수의개구부갖는것을특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 발광다이오드는, 전극배치면측으로부터 보아, 중간영역에 있어서의 상기 p측 전류확산부(10a)의 일부에 움푹 패인 부분을 갖고, 그 움푹 패인 부분을 따라서 상기 n측 연신부(9-2)가 연신하고 있고,중간영역에 있어서의 상기 n측 연신부(9-2)와, 상기 p측 전류확산부(10a)내의, n측 연신부(9-2)로부터 먼 방향측에 위치하는 상기 p측 전류확산부(10a)의 끝단부와의 거리(d)가, p측 접속부 영역에 있어서의 상기 p측 전류확산부(10a)의 폭방향의 거리(e)보다 작은 것특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 6]
제 5 항에 있어서,대향하는 상기 n측 연신부(9-2)와 상기 p측 전류확산부(10a)와의 거리(a)가, 상기 n측 연신부(9-2)의 선단과 상기 선단으로부터 p측 접속부영역측에 위치하는 상기 p측 전류확산부(10a)와의 거리(b)보다 작은 것특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기n측 접속부와 상기 p측 전류확산부(10a)가 길이방향에 대해 서로 대향하고 있고,대향하는 상기 n측 연신부(9-2)와 상기 p측 전류확산부(10a)와의 거리(a)가, 적어도 p측 연신부(10b-2)의 선단 근방에 있어서의 길이방향에 대해 서로 대향하는 상기 n측 접속부와 상기 p측 전류확산부(10a)와의 거리(c)보다 작은 것특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기n측 접속부와 상기 p측 접속부는, 길이방향에 대해서로대향하고있는것을특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,측 연신부(9-2)가 p측 접속부 영역까지 연신하고않은것을특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 10]
제 1 항에 있어서,측 연신부(9-2)로부터 길이방향으로 보아, p측 접속부 영역측에 p측 전류확산부(10a)가 있는 것특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 12]
제 1 항에 있어서,상기n측 접속부(9-1)는,직사각형 형상의대각선상배치되어있는것을특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 13]
제 1 항에 있어서,측 전극을 갖는 질화물 반도체로 이루어지는 n형 콘택트층과, p측 전극을 갖는 질화물 반도체로 이루어지는 p형 콘택트층과의 사이에, 질화물 반도체로 이루어지는 활성층을 갖는 반도체 적층구조를 갖추고 있고,상기 발광다이오드는, 상기 n측 전극과 상기 p측 전극을 동일면측에 구비하는 동시에, 상기 n형 콘택트층은, 전극 형성면측으로부터 보아, p측 전극을 갖는 반도체 적층구조가 설치된 제 1 영역과, 상기 제 1 영역과 다른 제 2 영역으로 이루어지고, 상기 제 2 영역에는, 복수의 요철이 설치되고,상기 요철의 꼭대기부분은, 상기 발광다이오드 단면에 있어서, 상기 활성층보다도 p형콘택트층측위치하는것을특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 14]
제 13 항에 있어서,상기 요철의 꼭대기부분은, 상기 p형콘택트층과실질적높이인것을특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 15]
제 13 항에 있어서,상기 요철단면에 있어서, 상기 요철을 형성하는 볼록부는, 상기 n형 콘택트층측으로부터 상기 p형 콘택트층측을 향하여 서서히 가늘어지도록 경사진사다리꼴인것을특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 16]
제 13 항에 있어서,전극형성면측으로부터 보아, 적어도 상기 제 1 영역과 상기 n측 전극의 사이에,상기복수의요철설치되어있는것을특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 17]
제 13 항에 있어서,상기 요철의 바닥부는, 활성층과 거기에 인접하는 n측층과의 계면보다 낮은 것특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 18]
제 13 항 내지 제 17 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기p측 전극은, 상기 p형 콘택트층상에 설치되고 또한 공급된 전류를 확산하는 p측 전류확산부(10a)와, 상기 전류확산부상의 적어도 일부에 설치되고 또한 상기 p측 전류확산부(10a)에 전류를 공급하는 패드부로 구성되고,전극배치면측으로부터 보아, 상기 n측 전극과 상기 p측 전극의 패드부와의 사이에 위치하는 제 1 영역에 설치된 반도체 적층구조가, 상기 n측 전극과 상기 p측 전극의 패드부를 연결하는 직선에 수직을 이루는 방향에 있어서, 상기 제 1 영역의 양측이 잘룩한 부분을 갖는 동시에, 상기 잘룩한 부분에상기복수의요철구비하는것을특징으로 하는발광다이오드.
[청구항 19]
제 13 항 내지 제 17 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기p측 전극은, 상기 p형 콘택트층상에 설치되고 또한 공급된 전류를 확산하는 p측 전류확산부(10a)와, 상기 전류확산부상의 적어도 일부에 설치되고 또한 상기 p측 전류확산부(10a)에 전류를 공급하는 패드부로 구성되고,전극배치면측으로부터 보아, 상기 n측 전극과 상기 p측 전극의 패드부와의 사이에 위치하는 제 1 영역에 설치된 반도체 적층구조가, 상기 n측 전극과 상기 p측 전극의 패드부를 연결하는 직선상에 있어서, 상기 n측 전극측으로부터 잘룩한 부분을 갖는 동시에, 상기 잘룩한 부분에상기복수의요철구비하는것을특징으로 하는발광다이오드.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제13항의 발광다이오드에서 n형 콘택트층의 제2 영역에 설치된 복수의 요철 중, 요철의 꼭대기 부분이 발광다이오드 단면상에서 위치하는 지점은 어디인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제13항의 n형 콘택트층 제2 영역에 설치된 요철의 꼭대기 부분이 발광다이오드 단면상에서 어디에 위치하는지 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 13항에서 n형 콘택트층의 제2 영역에 복수의 요철이 설치되어 있다는 점과 요철의 위치에 관한 기술 내용을 추출한다.
- 상기 제 2 영역에는, 복수의 요철이 설치되고,상기 요철의 꼭대기부분은, 상기 발광다이오드 단면에 있어서, 상기 활성층보다도 p형콘택트층측위치하는것을특징으로 하는발광다이오드.
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3근거 선택
evidence_selection요철의 꼭대기 부분의 위치를 직접적으로 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 요철의 꼭대기부분은, 상기 발광다이오드 단면에 있어서, 상기 활성층보다도 p형콘택트층측위치하는것을특징으로 하는발광다이오드
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4논리 통합
logical_integration추출된 근거에 따르면, 요철의 꼭대기 부분은 발광다이오드 단면상에서 활성층보다 p형 콘택트층 측에 위치한다.
- 상기 요철의 꼭대기부분은, 상기 발광다이오드 단면에 있어서, 상기 활성층보다도 p형콘택트층측위치하는것을특징으로 하는발광다이오드
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 요철의 꼭대기 부분이 위치하는 지점을 정리한다.
- 상기 활성층보다도 p형콘택트층측위치하는것
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 추출 형식에 맞춰 생성한다.
- 상기 활성층보다도 p형콘택트층측위치하는것
최종 답변 (final_answer)
요철의 꼭대기 부분은 발광다이오드 단면에서 활성층보다 p형 콘택트층 측에 위치한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
n형 콘택트층의 제2 영역에 형성된 요철의 상단부가 활성층보다 p형 콘택트층 방향에 위치하도록 설계하여 발광다이오드의 구조적 특징을 정의함.