플라즈마 처리 장치 및 방법 그리고 플라즈마 생성용전극판 document_id 1020057009443

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 상부 전극은 저 저항의 도전체 또는 반도체구성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 기판과 대향하는 면에 있어서, 상기 제 1 상부 전극은 상기 제 2 상부 전극의 약 1/4배 내지 약 1배의 평면적갖는플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 상부 전극은, 상기 제 1 급전부에 접속된 제 1 전극 부재와, 상기 기판과 대향하도록 상기 제 1 전극 부재의 하면에 탈착가능하게 부착된 제 2 전극 부재구비하는플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 제 1 전극 부재는 냉매를 통과시키기 위한 냉매 통로갖는플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 제 1 전극 부재와 상기 제 2 전극 부재 사이에 배치된, 열저항을 낮게 하기 위한 막 또는 시트더 구비하는플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 급전부가 분기하는 개소로부터 상기 제 1 상부 전극까지의 구간에 있어서의 상기 제 1 급전부의 인덕턴스는, 상기 제 2 급전부의 인덕턴스설정되는플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 급전부는 상기 제 1 상부 전극에 원주방향으로 연속적으로 접속된 제 1 원통형 도전 부재구비하는플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 제 1 원통형 도전 부재의 반경방향 외측에 배치되고 또한 그라운드 전위에 접속된 제 2 원통형 도전 부재더 구비하는플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 제 1 원통형 도전 부재의 반경에 대한 상기 제 2 원통형 도전 부재의 반경의 비인 직경비는 1.2 내지 2.0의 범위내설정되는플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 10 항에 있어서,상기 직경비는 1.5 내지 1.7의 범위내설정되는플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 상부 전극은 1개의 링 형상 전극구성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 급전부는 가변 콘덴서구비하는플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 고주파 전원의 출력 임피던스와 부하 임피던스를 조정시키기 위해서 상기 제 1 고주파 전원의 출력 단자에 접속된 제 1 정합기를 더 구비하며, 상기 제 1 정합기의 출력 단자로부터 본 상기 제 1 고주파 전원에 대한 부하 임피던스의 리액턴스는 용량성인플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 상부 전극과 상기 제 2 상부 전극 사이의 간극에 배치된 유전체더 구비하는플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 급전부의 주위에 도체 부재배치되는플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 도체 부재는 상기 제 2 급전부의 인덕턴스를 작게 하기 위한 유도 전류가 거기배치되는플라즈마 처리 장치. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 도체 부재는, 상기 제 2 급전부의 주위에서, 상기 제 2 급전부를 흐르는 전류에 의해 생성되는 자속과 쇄교하는 폐회로형성하는플라즈마 처리 장치. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 도체 부재는 상기 제 2 급전부의 주위를 둘러싸도록 환형배치되는플라즈마 처리 장치. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 도체 부재는 1개의 링 형상 도체구성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 21] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 원통형 도전 부재와 상기 제 1 상부 전극으로 둘러싸여지는 공간의 1/10 내지 1/3을 묻는 도체 부재더 구비하는플라즈마 처리 장치. [청구항 22] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 상부 전극은 상기 제 2 상부 전극의 하면보다도 아래쪽으로 돌출하는 돌출부구비하는플라즈마 처리 장치. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,상기 제 2 상부 전극의 하면에 대한 상기 돌출부의 하방으로의 돌출량은 25mm 이하설정되는플라즈마 처리 장치. [청구항 24] 제 22 항에 있어서,상기 돌출부의 내경 부분은 상기 기판의 외주 단부보다도 반경방향 외측으로 24mm 내지 30mm 떨어진 위치배치되는플라즈마 처리 장치. [청구항 25] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 상부 전극 아래에 배치된 쉴드 부재더 구비하는플라즈마 처리 장치. [청구항 26] 제 22 항에 있어서,상기 돌출부의 하면을 덮는 쉴드 부재더 구비하는플라즈마 처리 장치. [청구항 27] 제 25 항에 있어서,상기 쉴드 부재는 도체 또는 반도체구성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 28] 제 25 항에 있어서,상기 쉴드 부재는 상기 제 1 상부 전극 아래로부터 상기 처리 용기의 내벽연장되는플라즈마 처리 장치. [청구항 29] 제 25 항에 있어서,상기 쉴드 부재는 상기 제 1 상부 전극으로부터 전기적으로 분리되고 또한 접지된 상기 처리 용기에 전기적접속되는플라즈마 처리 장치. [청구항 30] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 상부 전극의 상방에 가스 도입실이 배치되고, 상기 제 2 상부 전극에 상기 가스 도입실로부터 상기 기판을 향하여 상기 처리 가스를 분출하기 위한 다수의 가스 분출 구멍형성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 31] 제 30 항에 있어서,상기 가스 도입실은 환형의 격벽 부재에 의해 내측의 중심 가스실과 외측의 외주 가스실로 분할되고, 상기 중심 가스실과 상기 외주 가스실에 상기 처리 가스가 소정의 유량비도입되는플라즈마 처리 장치. [청구항 32] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 상부 전극은 직류를 통과시키는 제 1 로우패스 필터를 거쳐서 그라운드 전위에 전기적접속되는플라즈마 처리 장치. [청구항 33] 제 32 항에 있어서,상기 제 1 로우패스 필터는 상기 제 2 상부 전극에 생성되는 직류 전위를 조절하기 위한 저항갖는플라즈마 처리 장치. [청구항 34] 제 33 항에 있어서,상기 저항은 가변 저항기포함하는플라즈마 처리 장치. [청구항 35] 제 34 항에 있어서,상기 가변 저항기의 저항값은 상기 제 1및제2전력값에따라가변되는플라즈마 처리 장치. [청구항 36] 제 1 항에 있어서,상기 제 2 상부 전극은 가변 직류 전원을 거쳐서 그라운드 전위에 전기적접속되는플라즈마 처리 장치. [청구항 37] 제 1 항에 있어서,상기 처리 용기내에서 상기 기판을 탑재하기 위해서 상기 제 l 및 제 2 상부 전극과 대향하여 배치된 하부 전극과, 상기 하부 전극에 상기 제 1 고주파보다도 주파수의 낮은 제 2 고주파를 공급하는 제 2 고주파 전원을 더 구비하며, 상기 제 2 상부 전극은 상기 제 l 고주파를 통과시키지 않고 상기 제 2 고주파를 통과시키는 제 2 로우패스 필터를 거쳐서 그라운드 전위체 전기적접속되는플라즈마 처리 장치.