다이아몬드형 함유 물질의 광학적 사용 document_id 1020057009898

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이적어도하나의고급다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는광학 디바이스. [청구항 3] 제 1항에 있어서,적어도 하나의 고급 다이아몬드형이유도체화고급다아이몬드형인것을특징으로 하는광학 디바이스. [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 레이저 매질이 다이아몬드형 함유 호스트 물질 및 상기 호스트 물질 내에적어도하나의색중심포함하는것을특징으로 하는고체상태 염료 레이저. [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 색중심이 적어도 하나의 헤테로다이아몬드형내의 질소 헤테로원자를 포함하고, 상기 헤테로다이아몬드형이 적어도 하나의 공공(vacancy) 또는 구멍(pore)에 인접하여위치하는것을특징으로 하는고체상태 염료 레이저. [청구항 7] 제 5항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 호스트 물질이 화학기상증착 필름, 분자 결정 및 중합 물질로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는고체상태 염료 레이저. [청구항 8] 제 5항에 있어서,상기 호스트 물질이 아다만탄, 다아만탄, 트리아만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는고체상태 염료 레이저. [청구항 9] 제 5항에 있어서,상기 호스트 물질이 테트라만탄, 펜타만탄, 헥사만탄, 헵타만탄, 옥타만탄, 노나만탄, 데카만탄, 운데카만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는고체상태 염료 레이저. [청구항 10] 제 4항에 있어서,상기 레이저 매질이다이아몬드형함유호스트물질및광학활성 도펀트포함하는것을특징으로 하는고체상태 염료 레이저. [청구항 11] 제 10항에 있어서,상기 광학 활성 도펀트가 티탄, 바나듐, 크롬, 철, 코발트, 니켈, 아연, 지르코늄, 니오븀, 카드뮴, 하프늄, 탄탈룸, 텅스텐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금, 수은, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 프로메튬, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스프로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨, 이테르븀, 우라늄 및 이들의 혼합물로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는고체상태 염료 레이저. [청구항 12] 제 10항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 호스트 물질이 화학기상증착 필름, 분자 결정 및 중합 물질로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는고체상태 염료 레이저. [청구항 13] 제 10항에 있어서,상기 호스트 물질이 아다만탄, 디아만탄, 트리아만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는고체상태 염료 레이저. [청구항 14] 제 10항에 있어서,상기 호스트 물질이 테트라만탄, 펜타만탄, 헥사만탄, 헵타만탄, 옥타만탄, 노나만탄, 데카만탄, 운데카만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는고체상태 염료 레이저. [청구항 16] 제 15항에 있어서,상기p-n 접합으로부터 레이저광의 방출을 유발하기 위하여 p-n 접합을 가로질러 포워드 바이어스를 적용하는수단을추가적포함하는것을특징으로 하는반도체 레이저. [청구항 18] 제 17항에 있어서,상기p-n 접합으로부터 레이저광의 방출을 유발하기 위하여 p-n 접합에 포워드 바이어스를 적용하는수단을추가적포함하는것을특징으로 하는반도체 레이저. [청구항 19] 제 15항에 있어서,상기p-형 다이아몬드형 함유 물질이 화학기상증착 필름, 분자 결정 및 중합 물질로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는반도체 레이저. [청구항 20] 제 19항에 있어서,상기 중합 물질이 전도성이거나전도성중합성물질포함하는것을특징으로 하는반도체 레이저. [청구항 21] 제 17항에 있어서,상기n-형 다이아몬드형 함유 물질이 화학기상증착 필름, 분자 결정 및 중합 물질로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는반도체 레이저. [청구항 22] 제 21항에 있어서,상기 중합 물질이 전도성이거나전도성중합성물질포함하는것을특징으로 하는반도체 레이저. [청구항 23] 제 15항에 있어서,상기p-형 다이아몬드형 함유 물질이 아다만탄, 다아만탄, 트리아만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는반도체 레이저. [청구항 24] 제 15항에 있어서,상기p-형 다이아몬드형 함유 물질이 테트라만탄, 펜타만탄, 헥사만탄, 헵타만탄, 옥타만탄, 노나만탄, 데카만탄, 운데카만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는반도체 레이저. [청구항 25] 제 17항에 있어서,상기n-형 다이아몬드형 함유 물질이 아다만탄, 다아만탄, 트리아만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는반도체 레이저. [청구항 26] 제 17항에 있어서,상기n-형 다이아몬드형 함유 물질이 테트라만탄, 펜타만탄, 헥사만탄, 헵타만탄, 옥타만탄, 노나만탄, 데카만탄, 운데카만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는반도체 레이저. [청구항 28] 제 27항에 있어서,상기 전자 전이가 밴드갭을 가로질러일어나는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 29] 제 28항에 있어서,상기 전자 전이가 밴드갭내의 전자 상태의 참여없이 일어나도록추가적구성되는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 30] 제 28항에 있어서상기다이아몬드형함유물질의밴드갭인것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 31] 제 28항에 있어서 상기다아이몬드형함유물질의밴드갭인것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 32] 제 28항에 있어서 상기다아이몬드형함유물질의밴드갭인것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 33] 제 27항에 있어서,상기 방출된 빛의 파장이전자기 스펙트럼외부 영역에속하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 34] 제 27항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 화학기상증착 필름, 분자 결정 및 중합 물질로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 35] 제 27항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 아다만탄, 다아만탄, 트리아만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 36] 제 27항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 테트라만탄, 펜타만탄, 헥사만탄, 헵타만탄, 옥타만탄, 노나만탄, 데카만탄, 운데카만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는발광 다이오드. [청구항 38] 제 37항에 있어서,상기 전자 전이가 밴드갭을 가로질러일어나는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 39] 제 38항에 있어서,상기 전자 전이가 밴드갭내의 전자 상태의 참여없이 일어나도록추가적구성되는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 40] 제 38항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질의 밴드갭이 적어도 3ev인것을특징으로 하는광검출기. [청구항 41] 제 38항에 있어서,다아이몬드형 함유 물질의 밴드갭이 적어도 4ev인것을특징으로 하는광검출기. [청구항 42] 제 38항에 있어서,다아이몬드형 함유 물질의 밴드갭이 적어도 5ev인것을특징으로 하는광검출기. [청구항 43] 제 37항에 있어서,상기 검출된 빛의 파장이전자기 스펙트럼외부 영역에속하는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 44] 제 37항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 화학기상증착 필름, 분자 결정 및 중합 물질로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 45] 제 37항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 아다만탄, 다아만탄, 트리아만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 46] 제 37항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 테트라만탄, 펜타만탄, 헥사만탄, 헵타만탄, 옥타만탄, 노나만탄, 데카만탄, 운데카만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는광검출기. [청구항 47] 제 1항에 있어서,상기 광학 디바이스가 포토레지스터, 광트랜지스터, 광전지 및 태양전지로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는광학 디바이스. [청구항 48] 제 47항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 화학기상증착 필름, 분자 결정 및 중합 물질로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는광학 디바이스. [청구항 49] 제 47항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 아다만탄, 다아만탄, 트리아만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는광학 디바이스. [청구항 50] 제 47항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 테트라만탄, 펜타만탄, 헥사만탄, 헵타만탄, 옥타만탄, 노나만탄, 데카만탄, 운데카만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는광학 디바이스. [청구항 52] 제 51항에 있어서,상기 막이 적어도 4쌍의 고굴절 지수 다이아몬드형 함유층 및 저굴절지수층의교대층포함하는것을특징으로 하는반사 방지막. [청구항 53] 제 51항에 있어서,상기 막이 적어도 6쌍의 고굴절 지수 다이아몬드형 함유층 및 저굴절지수층의교대층포함하는것을특징으로 하는반사 방지막. [청구항 54] 제 54항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질의 굴절 지수가 적어도 1.6인것을특징으로 하는반사 방지막. [청구항 55] 제 54항에 있어서,상기 고굴절 지수 다이아몬드형 함유층의 굴절 지수가 적어도 1.8인것을특징으로 하는반사 방지막. [청구항 56] 제 54항에 있어서,상기 고굴절 지수 다이아몬드형 함유층의 굴절 지수가 적어도 2.0인것을특징으로 하는반사 방지막. [청구항 57] 제 54항에 있어서,상기 고굴절 지수 다이아몬드형 함유층의 굴절 지수가 적어도 2.2인것을특징으로 하는반사 방지막. [청구항 58] 제 1항에 있어서,상기 광학 디바이스가 렌즈, 거울, 압력창 및 광학 도파관으로 구성되는군선택되는것을특징으로 하는광학 디바이스. [청구항 59] 제 58항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 화학기상증착 필름, 분자 결정 및 중합 물질로 이루어진군선택되는것을특징으로 하는광학 디바이스. [청구항 60] 제 59항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 아다만탄, 다아만탄, 트리아만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는광학 디바이스. [청구항 61] 제 60항에 있어서,상기 다이아몬드형 함유 물질이 테트라만탄, 펜타만탄, 헥사만탄, 헵타만탄, 옥타만탄, 노나만탄, 데카만탄, 운데카만탄 및 이들의 헤테로다이아몬드형 유도체로 이루어진 군에서 선택되는적어도하나의다이아몬드형포함하는것을특징으로 하는광학 디바이스.