용량성 결합 플라즈마를 증진 및 국소화하는 방법, 장치 및자석 조립체 document_id 1020057011244

[청구항 4] 플라즈마 처리 장치로서, 진공실, 중심 웨이퍼 지지 표면 및, 상기 중심 웨이퍼 지지 표면을 둘러싸는 환상형 주변 표면을 가진 상기 진공실 내의 웨이퍼 지지체, 상기 웨이퍼 지지체에 결합된 바이어스원 및, 상기 웨이퍼 지지체의 환상형 주변 표면에 인접하고, 2개 이상의 극을 가진 환상형 영구 자석 조립체로서, 상기 극은, 상기 환상형 주변 표면에 인접하고, 중심 웨이퍼 지지 표면을 둘러싸는 환상형 자기 터널을 형성하여, 상기 터널 내에 형성된 플라즈마가 상기 터널로부터 상기 중심 웨이퍼 지지 표면 상에 지지되는 웨이퍼의 표면에 걸쳐 내부로 확산하도록 상기 중심 웨이퍼 지지 표면 상의 웨이퍼로부터 떨어져 터널 내에 전자를 형성하는 플라즈마를 트랩하도록 구성되는 환상형 영구 자석 조립체를 구비하는 플라즈마 처리 장치 [청구항 5] 제 4 항에 있어서,상기 환상형 영구 자석 조립체는 상기 웨이퍼 지지체의 상기 환상형 주변 표면 뒤에 배치되어, 상기 지지체의 표면을 통해 상기 조립체의 극으로부터 아싱하는 자기장에 의해상기자기터널생성시키는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제 4 항에 있어서,상기 환상형 영구 자석 조립체는 대향하여 배치되고, 상기 웨이퍼 지지체의 상기 환상형 주변 표면으로부터 이격되어, 상기 지지체의 표면을 통해 상기 조립체의 극으로부터 아싱하는 자기장에 의해상기자기터널생성시키는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제 4 항에 있어서,상기 환상형 영구 자석 조립체는, 상기 웨이퍼 지지체의 영역 내의 상기 환상형 주변 표면과 일반적으로 평행하고, 상기 영역 내의 상기 중심 웨이퍼 지지 표면으로부터 일반적으로 격리되는 생성된 자속선을 포함하는 상기 웨이퍼 지지체의 상기 표면 위에 생성된 자기장을 생성시키도록구성되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제 4 항에 있어서,상기 환상형 영구 자석 조립체는, 한 피스(piece)의 고 투자율 재료 , 외부 환상형 자석 링 및 내부 환상형 자석 링을 포함하며, 상기 링의 각각은 북자극 및 남자극을 가지며, 이들 자극의 대향 자극은 상기 피스의 고 투자율 재료와 접촉하거나근접있는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 외부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 수직인극축가지는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,상기 외부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 수직인 극축을 가지며,상기 내부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 수직이고, 상기 외부 환상형 자석 링의 극축과 대향하는극축가지는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제 8 항에 있어서,상기 외부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 수직인 극축을 가지고, 상기 외부 환상형 자석 링의 제 1 극은 상기 웨이퍼 지지체의 상기 환상형 주변 표면에 대면하며,상기 내부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 평행한 극축을 가지고, 상기 중심 웨이퍼 지지 표면으로 떨어져 대면하는 상기 외부 환상형 자석 링의 제 1 극축과 동일한 극성인극가지는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 환상형 영구 자석 조립체는 상기 중심 웨이퍼 지지 표면을 향해 대면하는 상기 외부 환상형 자석 링의 상기 제 1 극과 동일한 극성인 극을 가지는 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 평행한 극축을 가진중간자석링갖는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제 8 항에 있어서,상기 외부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 수직인 극축을 가지고, 상기 외부 환상형 자석 링의 제 1 극은 상기 웨이퍼 지지체의 상기 환상형 주변 표면에 대면하며,상기 환상형 영구 자석 조립체는 상기 중심 웨이퍼 지지 표면을 향해 대면하는 상기 외부 환상형 자석 링의 상기 제 1 극과 동일한 극성인 극을 가지는 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 평행한 극축을 가진중간자석링갖는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제 4 항에 있어서,상기 웨이퍼 지지체는 상기 중심 웨이퍼 지지 표면을 둘러싸는다수의환상형주변표면가지는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제 4 항에 있어서,상기 웨이퍼 지지체의 표면nan은서로전기적분리되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제 4 항에 있어서,상기 플라즈마원은 개별적으로 제어 가능한 다수의 rf 또는 dc 바이어스원을 포함하고,상기 웨이퍼 지지체의 표면은 서로 전기적으로 분리되어, 각각 상기 바이어스원 중 상이한바이어스원결합되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 플라즈마원으로서, 중심 웨이퍼 지지 표면 및, 상기 중심 웨이퍼 지지 표면을 둘러싸는 환상형 주변 표면을 가진 웨이퍼 지지체, 상기 웨이퍼 지지체에 결합되는 바이어스원 및, 상기 웨이퍼 지지체의 상기 환상형 주변 표면에 인접하고, 2개 이상의 환상형 자극을 가지며, 제 1 극성의 내부 환상형 극 및 반대 극성의 외부 환상형 극을 포함하여, 상기 환상형 주변 표면 위에서 평행하고, 상기 중심 웨이퍼 지지 표면에 수직인 자기장을 형성하도록 구성되는 환상형 영구 자석 조립체를 구비하는 플라즈마원 [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 환상형 영구 자석 조립체는, 자기 터널로부터 상기 중심 웨이퍼 지지 표면 상에 지지되는 웨이퍼의 표면에 걸쳐 내부로 확산하는 플라즈마를 형성하도록 상기 중심 웨이퍼 지지 표면 상의 웨이퍼로부터 떨어져 터널 내에 여기되는 전자를 형성하는 플라즈마를 트랩하도록 구성하는자기터널형성하는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 19] 제 17 항에 있어서,상기 환상형 영구 자석 조립체는, 한 피스의 고 투자율 재료 , 외부 환상형 자석 링 및 내부 환상형 자석 링을 포함하며, 상기 링의 각각은 북자극 및 남자극을 가지며, 이들 자극의 대향 자극은 상기 피스의 고 투자율 재료와 접촉하거나근접있는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 20] 제 19 항에 있어서,상기 외부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 수직인극축가지는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 21] 제 19 항에 있어서,상기 외부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 수직인 극축을 가지며,상기 내부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 수직이고, 상기 외부 환상형 자석 링의 극축과 대향하는극축가지는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 22] 제 19 항에 있어서,상기 외부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 수직인 극축을 가지고, 상기 외부 환상형 자석 링의 제 1 극은 상기 웨이퍼 지지체의 상기 환상형 주변 표면에 대면하며,상기 내부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 평행한 극축을 가지고, 상기 중심 웨이퍼 지지 표면으로 떨어져 대면하는 상기 외부 환상형 자석 링의 제 1 극축과 동일한 극성인극가지는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 23] 제 22 항에 있어서,상기 환상형 영구 자석 조립체는 상기 중심 웨이퍼 지지 표면을 향해 대면하는 상기 외부 환상형 자석 링의 상기 제 1 극과 동일한 극성인 극을 가지는 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 평행한 극축을 가진중간자석링갖는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 24] 제 19 항에 있어서,상기 외부 환상형 자석 링은 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 수직인 극축을 가지고, 상기 외부 환상형 자석 링의 제 1 극은 상기 웨이퍼 지지체의 상기 환상형 주변 표면에 대면하며,상기 환상형 영구 자석 조립체는 상기 중심 웨이퍼 지지 표면을 향해 대면하는 상기 외부 환상형 자석 링의 상기 제 1 극과 동일한 극성인 극을 가지는 상기 웨이퍼 지지체의 표면에 평행한 극축을 가진중간자석링갖는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 25] 제 17 항에 있어서,상기 환상형 영구 자석 조립체는 상기 환상형 주변 표면의 적어도 일부 위에서 일반적으로 평평한 자기장을 생성시키도록구성되는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 26] 제 17 항에 있어서,상기 환상형 영구 자석 조립체는 상기 웨이퍼 지지체의 상기 환상형 주변 표면 뒤에 배치되어, 상기 지지체의 표면을 통해 상기 조립체의 극으로부터 아싱하는 자기장에 의해상기자기터널생성시키는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 27] 제 17 항에 있어서,상기 환상형 영구 자석 조립체는 대향하여 배치되고, 상기 웨이퍼 지지체의 상기 환상형 주변 표면으로부터 이격되어, 상기 지지체의 표면을 통해 상기 조립체의 극으로부터 아싱하는 자기장에 의해상기자기터널생성시키는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 28] 제 17 항에 있어서,상기 웨이퍼 지지체는 상기 중심 웨이퍼 지지 표면을 둘러싸는다수의환상형주변표면가지는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 29] 제 17 항에 있어서,상기 웨이퍼 지지체의 표면nan은서로전기적분리되는것을특징으로 하는플라즈마원. [청구항 30] 제 17 항에 있어서,상기 플라즈마원은 개별적으로 제어 가능한 다수의 rf 또는 dc 바이어스원을 포함하고,상기 웨이퍼 지지체의 표면은 서로 전기적으로 분리되어, 각각 상기 바이어스원 중 상이한바이어스원결합되는것을특징으로 하는플라즈마원.